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電子發燒友網>電源/新能源>電池技術>超薄羥基化二氧化硅離子篩實現均勻的鋅離子分布和沉積

超薄羥基化二氧化硅離子篩實現均勻的鋅離子分布和沉積

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2023-03-27 17:44:11

界面勢壘對碳納米管場發射特性的影響

以界面勢壘對碳納米管(CNT)場發射的影響為研究目的,在硅襯底上引進很薄的二氧化硅層,以二氧化硅層作為絕緣勢壘,然后在二氧化硅界面層上直接生長CNT,來研究二氧化硅絕緣勢
2010-03-05 14:07:3614

輻照電子在光纖芯處能量沉積的計算

輻照電子在光纖芯處能量沉積的計算:摘要 為了用盡可能低的輻照電子能量在光纖芯處形成大的性質改變, 模擬 了0 . 1 ~1   Me V能量的電子輻照二氧化硅。發現每一特定能
2010-04-05 06:38:0820

離子體所在基于氮摻雜二氧化鈦電池暗電流抑制研究取得較大進展

離子體所在基于氮摻雜二氧化鈦電池暗電流抑制研究取得較大進展 近來,中科院等離子體研究所太陽能材料與工程研究室研究生田華軍在基于氮
2010-01-28 09:03:371986

[7.7.1]--CVD二氧化硅

集成電路制造集成電路工藝
學習電子知識發布于 2022-11-24 20:37:32

二氧化碳傳感器安裝位置_二氧化碳傳感器參數

二氧化碳傳感器是對空氣中二氧化碳濃度含量的檢測,是對人們的生活及身體健康的保證,二氧化碳傳感器的使用普遍增加。而我們需要使用二氧化碳傳感器首先要安裝好,而二氧化碳傳感器的安裝直接關系到測量的準確度,所以對安裝需要十分重視。
2019-09-29 14:23:1518893

二氧化碳傳感器吊掛標準_二氧化碳傳感器的作用

本文首先介紹了二氧化碳傳感器吊掛標準,其次介紹了二氧化碳傳感器優勢,最后介紹了二氧化碳傳感器的作用。
2020-05-08 08:59:527846

離子電池是什么,鋰離子電池的運用說明

TWS電池的很好選用。 什么是鋰離子電池 鋰離子電池分為正極、負極和電解液,電解液由鋰離子、金屬鋰、氧化物等組成。正極包括二氧化硅二氧化鋰、二氧化錳、磷酸鐵鋰等。負極包括碳、鋰金屬、氧化物等負極材料;電解質包括少
2021-01-09 13:22:40598

二氧化硅層在芯片中有何作用

二氧化硅它是屬于光纖的主要制作材料
2021-12-21 15:30:059547

用磷酸揭示氮化硅二氧化硅的選擇性蝕刻機理

電流的極端規模集成。在這個過程中,固相氮化硅(Si3N4)層在部分二氧化硅(SiO2)沉積中起到掩模的作用。通過這種沉積,形成了由數百個交替堆疊的Si3N4和二氧化硅原子層組成的垂直堆疊結構.Si3N4掩模必須在程序結束時去除,通常通過熱化學蝕
2021-12-28 16:38:085460

反應離子蝕刻的實用方法報告

刻蝕電介質(二氧化硅、氮化硅)和晶體硅。論文的第二部分致力于蝕刻ⅲ-ⅴ族化合物半導體,其中基于氮化鎵材料的反應離子刻蝕結果,揭示了一種簡單實用的熱力學方法,解釋了選擇蝕刻特定材料的最佳化學物質的標準,并解釋了氮化鎵蝕刻
2022-02-07 14:39:361642

化硅二氧化硅之間穩定性的刻蝕選擇性

磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產需要完全去除Si3N4,同時保持二氧化硅損失最小。批量晶片清洗的挑戰是如何保持Si3N4對二氧化硅的高蝕刻選擇性,以獲得更長的槽壽命。
2022-02-15 11:25:592554

二氧化硅蝕刻標準操作程序研究報告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風險,建議用戶使用在執行工藝之前,請仔細閱讀材料安全數據表。
2022-03-10 16:43:35798

用濕化學工藝制備的超薄氧化硅結構

近十年來,濕化學法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結構的技術和研究取得了迅速發展。這種結構最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關。
2022-03-11 13:57:22828

二氧化硅薄膜蝕刻速率均勻性的比較

的發展,開發出了一張處理晶片的枯葉式。在常溫的藥液中,batch式的均勻度在3%以上,而每葉式的均勻度在1%以下,非常優秀。另外,與batch式相比,枯葉式的超純用量少1/15左右,在Cu工藝等擔心金屬
2022-03-14 10:50:47475

在超臨界二氧化碳中蝕刻氧化硅薄膜

介紹 硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨立式結構,例如微機電系統(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統的含水HF已經廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層,因為它成本低廉。然而,當具有高縱橫比的結構在含水
2022-05-23 17:01:43948

加熱工藝發展趨勢

RTCVD過程可以用來沉積多晶硅、氮化硅二氧化硅,例如在淺溝槽隔離工藝中使用CVD氧化硅填充溝槽。
2022-11-08 09:52:20616

氧化層和多晶硅柵工藝示意圖解析

當核心區域和 I/O 區域都已經生長晶體管后,沉積多晶硅層(Poly-Si)和硬掩模層(薄的SiON和PECVD二氧化硅)。沉積柵疊層(Cate-Stack)后,進行圖形化硬掩模(經過光刻步驟)。
2022-12-08 09:53:044196

一種用于熱管理的二氧化硅氣凝膠設計與制備技術

密度、低導熱系數等特性,使氣凝膠在建筑、航空航天、儲能、氣體檢測、催化、吸附、傳感器和熱管理等領域工業領域得到了廣泛的應用。硅基氣凝膠因其導熱系數低、熱穩定性強而被廣泛用作輕質保溫材料,現已顯示出巨大的商業價值,有助于減少碳排放。二氧化硅氣凝膠是一種具有超低密
2023-05-10 09:13:53351

半導體材料是什么 半導體材料是硅還是二氧化硅

硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、鍺(Ge)等。其中,硅是最為常見和廣泛應用的半導體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一,它具有較高的化學穩定性、熱穩定性和機械性能,因此硅材料具有廣泛的應用前景。硅晶體的晶體結構為鉆
2024-02-04 09:46:07458

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