中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網發(fā)文表示，科研人員通過優(yōu)化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結晶質量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度
2022-05-07 00:55:00
3759 科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 高溫半導體解決方案供應商CISSOID日前宣布：公司已與中國科學院電工研究所（簡稱中科院電工所）達成戰(zhàn)略合作關系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現(xiàn)廣泛應用。
2019-06-10 14:10:191342 我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
點擊上方“碼農突圍”，馬上關注這里是碼農充電第一站，回復“666”，獲取一份專屬大禮包真愛，請設置“星標”或點個“在看”2020年1月15日，中國科學院計算技術研究所（以下簡稱中科院計算...
2021-07-21 06:13:57
，更好地促進技術創(chuàng)新和產業(yè)鏈的結合。”在多個場合，白春禮都曾反復表示，為了中國LED的未來，中科院愿意先行嘗試。 7月12日，在白春禮等人的推動下，中科院邀請了研究所和企業(yè)的代表，召開半導體照明工作
2012-07-18 11:31:19
中科院計算技術研究所副所長包云崗介紹了目前全球性能最高的開源高性能RISC-V處理器核項目“香山”。他指出，計算技術研究所對標ARM Cortex-A72，已于2021年成功研制出第一代“香山
2023-05-28 08:43:00
與團隊合作精神；5. 有研發(fā)團隊的管理工作經歷優(yōu)先。三、福利待遇 參照中科院海西研究院（福建物質結構研究所）相應規(guī)定給予薪酬等待遇，年底有項目獎金； 符合泉州市及所屬縣（市、區(qū)）相關政策的創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新
2017-06-30 16:27:40
中科院頂級專家和多個部門深入研究，并選擇與國內網絡攝像機行業(yè)的領導者ithink公司合作，終于推出手立視Q系網絡攝像機。 “手立視Q系，在外形上大膽選用球形元素，更符合中國家庭的審美意識；功能上，采用
2015-02-05 10:09:03
芯片加工，MEMS傳感器、光電子器件的研究背景或工作經驗；4.動手能力強，善于學習溝通，吃苦耐勞，有團隊合作精神； 5.有半導體相關工作2年以上工作經驗優(yōu)先考慮； 崗位待遇：中科院蘇州納米所南昌研究院為
2017-07-12 17:19:13
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
每小時幾米。 然而，該工藝不適合SiC體積增長。對于碳化硅生產，必須使用稱為物理蒸汽傳輸（PVT）的工藝。該過程在腔室頂部使用晶種，在其下方有SiC源材料，其加熱溫度約為2000 - 2500°C
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導通狀態(tài)電阻很大，開關損耗很大，額定工作結溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開關損耗比硅快速恢復二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實現(xiàn)器件的正反切換，提高產品的效率和降低產品噪音，同時易于改善EMI。 以下測試結果
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
、58887025聯(lián)系地址：北京市海淀區(qū)北四環(huán)西路19號中科院電子所科教融合管理辦公室郵政編碼：100190E-mail:edu@mail.ie.ac.cn 附件：1.中國科學院電子學研究所2017年博士后
2017-12-18 17:27:09
處于領先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
。雖然碳化硅組件可望成為推動電力設備由機械轉向電子結構的重要推手，但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應用市場，其實是電動汽車。電動汽車應用之所以對碳化硅組件的需求如此殷切，主要原因在于可實現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內開發(fā)出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
降低到75%。 表 2：SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設計取代耗時的生產流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此，可以提高性價比，并充分利用SiC的優(yōu)勢，使應用受益。
2023-02-20 16:29:54
， Rgon=Rgoff=10Ω， VGE=15V/0V， L=200uH 圖12 傳統(tǒng)IGBT及混合碳化硅分立器件開關損耗參數(shù)對比 如圖12所示，碳化硅肖特基二極管對IGBT的損耗和二極管反向恢復損耗
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成員。 相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。 基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
散電感是碳化硅封裝的一種技術發(fā)展趨勢。然而，實現(xiàn)碳化硅封裝技術的突破并大規(guī)模應用，還需要開展大量的工作，以下列舉一些核心挑戰(zhàn)以及前景展望：1）低雜散電感封裝結構綜合性能的進一步研究驗證。例如封裝結構
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
范圍-5V~-15V，客戶根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開通穩(wěn)定。 2）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布：公司已與中國科學院電工研究所（簡稱中科院電工所）達成戰(zhàn)略合作關系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現(xiàn)廣泛應用。
2019-06-11 14:50:593516 最近晶盛機電宣布，公司成功生產出行業(yè)領先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。
2022-09-07 09:29:442068 傳感新品 【中科院大連化學物理研究所：提出基于功能化紙基比色傳感器的農殘快檢新策略】 近日，中科院大連化學物理研究所化學傳感器研究組(106組)馮亮研究員團隊在紙基光化學傳感器的信號放大研發(fā)中取得
2023-01-12 01:21:14953 碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領域具有重要應用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳化硅晶體，研制情況如何？
2023-01-31 11:52:10522 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:16613 
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:37:00736 6.3.5.1界面態(tài)分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.8其他
2022-01-12 10:00:29744 6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:35:56706 7.3.4電流-電壓關系7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.3“i”區(qū)的電勢下降∈《碳化硅技術基本原理——生長
2022-02-14 09:44:16796 6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.1反應性離子
2022-01-04 16:34:33543 7.3.3“i”區(qū)的電勢下降7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術基本原理
2022-02-14 09:41:11310 7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.1大注入與雙極擴散方程∈《碳化硅技術
2022-02-14 09:36:44444 6.5總結第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:44861 6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:24662 6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:23:45517 6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.1界面
2022-01-13 11:21:29631 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775 6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.2n型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:17:33617 6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-04 14:10:56564 7.2肖特基勢磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-09 09:27:53440 第１章導論１.１電子學的進展１.2碳化硅的特性和簡史１.３本書提綱第２章碳化硅的物理性質2.4總結2.3熱學和機械特性2.2.6擊穿電場強度2.2.5漂移速率2.2.4遷移率2.2.3雜質摻雜
2022-05-09 17:19:452152 
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.5高低頻方法
2022-01-10 14:04:39631 6.3.4.7電導法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.6C-Ψs方法
2022-01-12 10:44:27394 6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:22:28480 的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.1氧化速率
2022-01-05 13:59:37493 6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:09:121034 6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 14:25:52549 7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.2肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-10 09:18:15614 8.1.4比通態(tài)電阻8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.3飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征
2022-02-20 16:16:46636 6.2.1反應性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 10:57:22817 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:08743 6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.1反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.6
2021-12-31 10:31:17722 8.1.6功率JFET器件的實現(xiàn)8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.5增強型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術
2022-02-21 09:29:28537 特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.2氧
2022-01-07 14:24:25420 5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.2載流子壽命“殺手
2022-01-06 09:38:25510 5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.1.2雜質∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:40535 5.3.1.2雜質5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術
2022-01-06 09:30:23552 5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16693 6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636 業(yè)內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21967 環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示，她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅（SiC）需求，現(xiàn)在情況超出預期，她強調環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產能建設，預估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進行認證，并于2025年量產。
2023-10-27 15:07:43394 碳化硅器件在UPS中的應用研究
2023-11-29 16:39:00240 
晶盛機電公司決定從2017年開始，碳化硅生長設備及技術研發(fā)（r&d）開始，通過研究開發(fā)組的技術攻堅，2018年，公司成功開發(fā)了6英寸生長碳化硅決定，2020年長征及加工研發(fā)試驗生產線建立。”
2023-12-06 14:08:17379 碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優(yōu)勢。
2024-02-21 09:32:31337
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