,使器件可工作在更高的開關頻率;同時,碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性,使電力電子系統的效率和功率密度朝著更高的方向
2022-11-12 10:01:261315 科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破,為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
推薦幾款電力電子仿真軟件,有沒有安卓端和電腦端的?
2024-03-17 09:43:40
電力電子的典型電路有哪些?
2021-11-10 06:05:40
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 編輯
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場強度、高電流密度、快速開關速度、低導通電阻和抗輻射性能等獨特特點,在電子器件領域有著
2022-02-17 14:36:16
,熱導率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都優于硅 這為碳化硅器件開辟了廣泛的應用領域,在5G/數據中心等空間受限和節能領域,低損耗是應用的推動力;在電動汽車領域,更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
精細化,集成化方向發展。 在新技術驅動下,汽車電子行業迎來新一輪技術革命,行業整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下,車用電路板也會向上成長。車用電路板穩定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業者
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
,熱導率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖(1)所示。 圖(1) 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導體器件性能已經進入瓶頸期時,碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經成為全球最大的半導體消費國,半導體消費量占全球消費量的比重超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
,TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關帶來的優勢。 02 從數據的角度去分析共源雜散電感對開關損耗的影響 (1)雙脈沖測試時的重要注意事項---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
求有關matlab電力電子與電機控制的建模仿真相關資料。。。。
2013-07-08 14:50:39
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
。雖然碳化硅組件可望成為推動電力設備由機械轉向電子結構的重要推手,但現階段碳化硅組件最主要的應用市場,其實是電動汽車。電動汽車應用之所以對碳化硅組件的需求如此殷切,主要原因在于可實現更輕巧的電源系統
2021-09-23 15:02:11
,在這些環境中,傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能,包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天,SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來,預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
,獲得華大半導體有限公司投資,創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實現相比硅元器件更高的工作溫度,實現雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω,內部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比,SiC MOSFET通常表現出顯著較低的開關損耗,尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
和高性能的碳化硅 MOSFET之間,在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET,可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡,具有重要的應用價值,特別適用于對功率密度提升有需求,同時更強
2023-02-28 16:48:24
使碳化硅MOSFET技術在將功率轉換效率推向更高極限的同時,在經濟方面也更加切實可行。原作者:北京穩固得電子
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管等化合物半導體器件限制了高頻條件下的開關損耗,加速了電路越來越小的趨勢。事實上,高頻操作導致電子電路的收縮,這要歸功于減小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。這一點對于
2023-09-06 06:38:52
,導通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性,使器件可工作在更高的開關頻率;同時,碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性,使電力
2023-02-22 16:06:08
最近在學習電力電子中三相VSR空間電壓矢量PWM控制,按照各種論文中搭建了仿真模型,卻又不知道各種參數該怎樣設計,求電力電子仿真方面大神給個可行的三相VSR SVPWM控制的模型,以此來多多學習下。
2014-09-03 22:18:14
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強,穩定的超快速本體二極管,因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續引領高效率電子電力模組變革,宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:161682 你可能不知道,采用碳化硅取代傳統的硅半導體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗,碳化硅半導體已成為國際上公認的將引領電力電子,特別是大功率電力電子下一個50年的最佳電
2012-04-12 08:54:552043 。其中,碳化硅功率元器件作為新一代"環保元器件",正備受業界關注。 碳化硅(SiC,下文中的碳化硅簡稱為SiC)一經問世就開始大展拳腳,在電源、汽車、鐵路、工業設備、家用消費類電子設備等領域皆取得了顯著的成效。SiC是一種由硅(
2023-02-01 17:50:11627 碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協議將增加其在行業中的廣泛采用。 汽車和工業市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜
2022-07-28 17:05:011903 碳化硅是一種非常高效的材料,具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導體是提高系統效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設計成本的創新選擇。碳化硅是硅和碳的化合物,是一種具有同素異形變體的半導體
2022-08-08 08:09:591331 碳化硅技術有望為更智能的電源設計提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導體技術在電力電子行業中的廣泛采用持續增長。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN
2022-08-08 09:52:41256 以下是有關用于電源應用的碳化硅 (SiC) 的 10 個事實,包括 SiC 如何實現比硅更好的熱管理。
2022-08-17 17:11:011543 寬帶隙 (WBG) 半導體技術的廣泛采用在電力電子行業中持續增長。與傳統硅技術相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 半導體材料顯示出優異的性能,允許功率器件在高壓下工作,尤其是在高溫和開關頻率下。電力電子系統的設計人員正在努力充分利用 GaN 和 SiC 器件。
2022-08-17 14:43:02313 來源:中國電子報 日前,國際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成,未來兩年內產能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數十
2022-10-08 17:02:25872 隨著對電動汽車(EV)需求的持續增長,制造商正在比較兩種半導體技術,即碳化硅和硅,用于電力電子應用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV電力電子設備所需的更小、更薄的設計。SiC當前應用的示例包括車載DC/DC轉換器、非車載直流快速充電器、車載電池充電器、電動汽車動力總成和LED汽車照明。
2022-11-15 10:22:55653 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 (SiC)技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術的需求繼續增長,這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率,同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它們也并非都是一樣的。為了實現碳化硅技
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-02-03 13:45:31321 碳化硅因其獨特的性能而被譽為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性,以及它在電力電子設備中的應用。
2023-02-03 13:46:59915 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591313 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統的電子器件,由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件,采用現代半導體技術制造而成,可以實現高功率、高效率、高頻率的控制和開關,適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:222180 憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合,納微半導體以雙擎驅動的姿態在電力電子能源轉換領域高歌前進。
2023-02-27 09:09:35261 碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此,碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:151180 11.5開關模式電源的電力電子學第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:器件主控:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型
2022-04-24 15:30:53284 11.1電力電子系統的介紹第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產
2022-04-14 11:22:07277 長達 10 年的供應協議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規模化生產的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片,這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產業轉型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 目前,碳化硅(SiC)這種半導體材料因其在電力電子應用中的出色表現引起了廣泛的關注。對晶圓和器件的研究在近年來已經取得很大進展。碳化硅是一種寬禁帶(WBG)半導體材料。禁帶通常是指價帶和導帶之間
2023-08-30 08:11:47694 隨著對電動汽車(EV)需求的持續增長,制造商正在比較兩種半導體技術,即碳化硅和硅,用于電力電子應用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV電力電子設備所需的更小、更薄的設計。SiC當前
2023-09-27 09:48:18325 碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域,處于寬禁帶半導體產業鏈的前端,是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,由于其優于傳統硅的性能,在電力電子行業中越來越受歡迎。
2023-11-08 09:30:28359 碳化硅和igbt的區別? 碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)都是在電子領域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應用,但在結構、材料、性能和應用方面存在一些顯著差異。本文將詳細介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531790 隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46240 隨著科技的快速發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設備,已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359 隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導熱率和高電子飽和遷移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應用領域以及發展前景。
2023-12-21 09:43:38353 隨著科技的飛速發展,電力電子技術在各種領域中發揮著越來越重要的作用,從電動汽車到數據中心,再到可再生能源系統,其應用范圍不斷擴大。在這一領域,碳化硅(SiC)功率器件因其出色的性能而備受矚目,被視為未來電力電子技術的關鍵。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優勢以及市場發展趨勢。
2023-12-26 09:31:49173 在當今快速發展的電力電子領域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領域具有廣泛的應用前景,特別是在新能源、電動汽車、軌道交通等領域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導體材料的高載流子遷移率和低導通電阻特性,實現對電能的高效轉換。具體
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14293 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502 共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412 隨著能源危機和環境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域以及未來發展趨勢。
2024-02-21 09:27:13210 隨著全球能源危機和環境問題的日益突出,高效、環保、節能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學特性,正在逐步取代傳統的硅基功率器件,引領著電力電子技術的發展方向。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的特點、優勢、應用以及面臨的挑戰和未來的發展趨勢。
2024-02-22 09:19:21170
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