什么是分立器件呢？分立器件的“分立”一詞是相對集成電路而言的，分立器件是單一的一個器件，具有單一的基本功能，分立器件可以說是集成電路的“始祖”，第一個二極管出現于1947年，比最早的集成電路早大約10年時間。集成電路是將大量電子元件包括分立器件集成于一塊晶片上形成的，如果說集成電路是將成千上萬個PN結集成到一塊晶片上，而分立器件則只在晶片上形成一個或少量的PN結，實現一些相對簡單的功能。

功率半導體分立器件可以按照不同的分類標準進行分類，以下是常見的幾種分類方法：

按照器件的基本構造分類：功率半導體分立器件可以分為二極管、三極管、四極管等幾類，其中二極管和三極管是最基本的功率器件，四極管相對較少使用。

按照器件的導通類型分類：功率半導體分立器件可以分為開關型和線性型兩類。開關型器件通常用于電源開關、電機控制等領域，能夠實現高效的功率轉換；線性型器件則適用于需要進行精確控制的場合，例如電壓調節、電流調節等。

按照器件的應用領域分類：功率半導體分立器件可以根據其在不同領域的應用情況進行分類。例如，IGBT適用于高壓、高頻電源開關、電機驅動、變頻器等領域；可控硅和晶閘管則廣泛應用于電源開關、電機控制、交流電源調節等領域。

按照器件的工作溫度范圍分類：功率半導體分立器件可以分為低溫器件、常溫器件和高溫器件。低溫器件適用于0℃至70℃的環境，常溫器件適用于-40℃至125℃的環境，而高溫器件適用于125℃以上的高溫環境。

根據不同的分類標準，功率半導體分立器件可以被歸類到不同的類別中，這有助于人們根據具體的應用需求選擇合適的器件。

按照器件結構，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。

按照功率處理能力，分為低壓小功率半導體分立器件、中功率半導體分立器件、大功率半導體分立器件和高壓特大功率半導體分立器件。

按照驅動電路加在器件控制端和公共端之間信號的性質， （除功率二極管外）可分為電流驅動型與電壓驅動型。

電流驅動型：通過從控制端注入或抽出電流實現其關斷的功率半導體分立器件。

電壓驅動型：通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號實現導通或關斷的功率半導體器件。

按照控制電路信號對器件的控制程度，可分為不可控型、半控型和全控型。

不可控器件：不能通過控制信號來控制其通斷的功率半導體分立器件，代表器件為功率二極管；

半控器件：通過控制信號能夠控制其導通而不能控制其關斷的功率半導體分立器件，代表器件為晶閘管及其大部分派生器件；

全控器件：通過控制信號既能夠控制其導通，又能夠控制其關斷的功率半導體分立器件，代表器件有絕緣柵雙極晶體管、功率場效應晶體管、門極可關斷晶閘管等；

按照器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況，可分為單極型器件、雙極型器件和復合型器件。

單極型器件：有一種載流子（電子或空穴）參與導電的功率半導體分立器件；

雙極型器件：由電子和空穴兩種載流子參與導電的功率半導體分立器件；

復合型器件：由單極型器件和雙極型器件集成混合而成的功率半導體分立器件；

按照功率半導體器件襯底材料的不同，現有的功率半導體分立器件的材料可分為三代：

第一代半導體材料主要是以鍺（早期產品，現已不常見）和硅為代表。

第二代半導體材料主要是以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為代表的化合物半導體材料。

第三代半導體材料主要是以即碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。