IGBT 是應用最廣泛的可控功率電子開關,一個200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎?它可以每個周期快速關斷600安培的電流,電流密度高達300安培每平方厘米!這個耐壓1200V的IGBT芯片只有紙張的厚度,可以想象圍繞芯片的物理界面的機械應力會有多大。
2023-11-27 09:39:42436 通過減少封裝寄生效應來降低功耗,在更高的工作頻率上提供更高的效率
2012-05-11 11:12:57971 重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義介紹,目前實驗室已成功研發第三代半導體氮化鎵功率芯片,主要應用在汽車電子、消費電源、數據中心等方面。電量能節省10%以上,面積是硅芯片的1/5左右,開關速度提升10倍以上。目前該項目已經到了試驗性應用階段,未來有望在各種電源節能領域和大數據中心使用。
2020-11-18 09:59:154689 增加GaNSense?技術,全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護,為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:261988 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現快充。
2021-12-30 15:06:091364 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到,并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 11:18:151152 2022年1月18日,納微半導體正式宣布,其新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:022551 氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS)正式宣布其發貨數量已超過四千萬顆,終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:48628 一款多段導通,可完成恒功率的THD 高功率因數LED線性恒流操控芯片,SM2326E這款電源芯片芯片內置過溫維 且在多顆芯片并聯使用時,可省去外圍的跳線電阻。芯片首要經過調理REXT端口電阻值
2020-10-27 06:19:40
不錯的功率芯片
2012-02-02 19:48:22
中的技術優勢和發展前景。智能車燈控制系統概述本文介紹了在智能車燈控制系統中功率芯片的應用經驗,與傳統技術進行了對比,結合實例具體分析了其實現的智能診斷技術在實際產品應用中的技術優勢和發展前景。現今
2018-12-06 09:45:03
NEC電子完成了驅動車前燈等車燈產品的功率IC的開發,并以“μPD166010 ”為名即日起開始提供樣品。 新產品是在汽車車前燈和霧燈等車燈控制單元中驅動各種燈類的功率IC,是在輸出驅動電路中
2009-02-09 13:23:48
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
當恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.,NXP)開始使用先進的低功率芯片設計技術時,有一件事令其大吃一驚。“某些情況下,在實現階段出現了兩倍的產能下降。”NXP公司設計與技術負責人Herve Menager表示。
2019-08-21 06:14:03
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優勢,實單歡迎洽談。產品信息型號1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
適用的驅動IC:H6902是一款內罝100V功率NMOS ,高精度的升壓型大功率LED恒流 驅動芯片。H6902內罝高精度誤差放大器,固 定關斷時間控制電路,恒流驅動電路等,特別適合大功率、多個高亮度
2020-10-24 14:58:35
`H6902是一款內罝100V功率NMOS升壓型大功率LED恒流驅動芯片,采用固定關斷時間的樣值電流模式控制方式。 H6902芯片內部由誤差放大器、PWM比較器、電感峰值電流限流、固定關斷時間
2020-10-24 15:01:01
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優勢,如主動有源鉗位反激式(ACF)、圖騰柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變,初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
傳感器來實現,如何有效地管理棚室溫度,是當前蔬菜管理的重點。本文針對由于農作物的不同時期傳感器的空間位置不固定,布線不方便,可靠性差的問題,采用無線通信技術進行數據傳輸。利用微功率RF芯片
2019-06-27 06:04:00
集成半橋驅動MOS管功率芯片SN-D05
2018-12-01 17:05:53
PN7726集成驅動及四個開關管的無線充電發射端功率芯片?寬電源電壓范圍:3V~12V?輸出功率20W?高達500kHz工作頻率?內置自舉高壓PMOS管?集成5V LDO(50mA)用于MCU供電
2022-01-05 11:38:25
驪微電子提供PL3369B/C 12W恒流原邊控制功率芯片,可兼容代換DP2525F,是聚元微供應商,可提供樣品申請及技術支持。>>
2022-03-21 16:18:47
原邊內置MOS管功率芯片CR6245 產品概述CR6245是一款高性能原邊檢測控制的PWM開關,待機功耗小于 75mW。CR6245內部采用了多模式控制的效率均衡技術,用于優化芯片系統待機
2022-04-20 10:30:03
具有4路立體聲輸出的汽車用音頻功率芯片AN7560Z
2009-05-04 13:48:5633 供應PN7727QF-A1 無線充發射功率芯片,更多產品手冊、應 用料資請向驪微電子申請。>>
2022-10-06 14:32:14
電路采用TDA2822雙聲道功率芯片.電路簡單,成本較低.
2009-01-24 00:51:235986 本文針對由于農作物的不同時期傳感器的空間位置不固定,布線不方便,可靠性差的問題,采用無線通信技術進行數據傳輸。利用微功率RF芯片(nRF24E1)設計了一個體積小、成本低、性能穩
2012-05-21 10:26:501020 SM7022 5V2A充電器電源模塊PWM控制功率芯片,SM7022是采用電流模式PWM控制方式的功率開關芯片,集成高壓啟動電路和高壓功率管,為低成本開關電源系統提供高性價比的解決方案。芯片VDD
2016-03-16 10:15:3752 2017-05-31 08:00:0086 本文介紹了在智能車燈控制系統中功率芯片的應用經驗,與傳統技術進行了對比,結合實例具體分析了其實現的智能診斷技術在實際產品應用中的技術優勢和發展前景。 現今MCU和電力電子技術在智能車燈控制系統中發
2017-09-07 18:56:426 傳感器來實現,如何有效地管理棚室溫度,是當前蔬菜管理的重點。 本文針對由于農作物的不同時期傳感器的空間位置不固定,布線不方便,可靠性差的問題,采用無線通信技術進行數據傳輸。利用微功率RF芯片(nRF24E1)設計了一個體
2017-11-24 01:22:38212 數量為4.5246億股。合肥瑞成的實際經營主體為位于荷蘭的Ampleon集團,Ampleon系原恩智浦半導體公司射頻事業部,經剝離后成立,現為全球領先的射頻功率芯片供應商,以專業研發、設計、生產和銷售高功率射頻功率芯片產品為主。
2017-11-24 19:29:253216 當恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.,NXP)開始使用先進的低功率芯片設計技術時,有一件事令其大吃一驚。某些情況下,在實現階段出現了兩倍的產能下降。NXP公司設計與技術
2017-11-25 16:16:341041 伏達10W無線充電全橋功率芯片NU1007規格書,適用于符合WPC qi認證無線充電方案設計
2018-01-10 15:43:08227 隨著智能型手機與其它行動裝置的普及,功耗逐漸成為芯片和系統設計的主要方向,而無人機、物聯網(IoT)、機器人、穿戴裝置和其它電池供電電子產品的出現,更推動超低功率芯片的研發。
2018-01-30 11:09:452950 導熱絕緣片在LED大功率芯片散熱很重要,LED導熱絕緣片可以按芯片大小來分切貼片,根據功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據客戶要求可分為單管級、數碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。關于
2020-03-31 11:31:211102 鴻海富士康集團進軍半導體市場企圖心明顯,鴻海集團總裁郭臺銘也證實,半導體一定要自己做,除了在珠海的半導體投資案之外,最新的投資案又曝光,將計劃在濟南市設立功率芯片制造廠。
2019-02-22 14:17:386795 LED芯片根據功率分為:小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。LED芯片根據形狀分為:一般分為方片、圓片兩種;LED芯片根據發光亮度分為:一般亮度:R(紅色GaAsP655nm
2019-03-27 16:46:4215861 富士康深耕半導體產業的意圖已經越來越明顯,在業界近期討論富士康擬在珠海建晶圓廠傳聞之時,富士康在濟南的高功率芯片工廠項目似乎已悄然開工。
2019-05-05 16:11:3714213 芯片在工作時,如果過熱發燙,要看是異常情況還是正常情況。有些功率芯片在接近滿載工作時的確是非常燙的,這要通過加大散熱銅皮、加裝散熱片來解決;有些非功率芯片如果燙得厲害就要考慮是不是電路異常所導致的。
2019-10-19 10:44:5032429 近日,贛州經開區成功舉行名冠微電子(贛州)有限公司功率芯片項目簽約儀式,與名芯有限公司(香港)、電子科技大學廣東電子信息工程研究院正式簽訂功率芯片項目投資合同。
2019-12-03 15:59:288536 富能半導體高功率芯片項目總投資額60億元,規劃建設月產十萬片的兩個八英寸廠及一個月產五萬片的十二英寸廠,一期占地318畝,主要建設月產三萬片的八英寸硅基功率器件和月產一千片的六英寸碳化硅功率器件的產能,產品覆蓋消費、工業、電網以及新能源車的應用。
2019-12-06 11:01:454745 近日,濟南富能半導體高功率芯片項目成功封頂。
2019-12-06 13:40:389444 LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。
2020-04-16 17:12:541655 據悉,協昌科技成立之初專注于運動控制軟件和硬件電路的研發,即程序編寫和電路設計。經過一段時間發展,在熟練掌握控制軟件開發和硬件電路設計的基礎上,協昌科技收購了凱思半導體,進軍功率芯片。
2020-08-26 14:06:261436 目前市面單顆 1W 以上的大功率LED芯片產品,常被使用在建筑物,洗墻燈、隧道、舞臺、礦工燈 等需要長時間點亮且維修難度高的應用中,其中,又以工程案的要求最為嚴苛,因此,如何延長產品壽命以及挑選正確
2020-10-20 09:22:121584 據重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義表示,目前實驗室已成功研發第三代半導體氮化鎵功率芯片,主要應用在汽車電子、消費電源、數據中心等方面,其具備體積小、效率高、用電量少等特點。電量能節省10%以上
2020-11-17 14:37:322789 重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義介紹,目前實驗室已成功研發第三代半導體氮化鎵功率芯片,主要應用在汽車電子、消費電源、數據中心等方面。電量能節省10%以上,面積是硅芯片的1/5左右,開關速度提升10倍以上。目前該項目已經到了試驗性應用階段,未來有望在各種電源節能領域和大數據中心使用。
2020-12-08 10:29:353423 據長沙晚報報道,位于湖南瀏陽經開區(高新區)的泰科天潤項目,力爭6英寸碳化硅功率芯片產線春節前投產。 據報道,如今90%的生產設備已到位,大部分設備處于工藝調試階段,這里將打造一條極具市場競爭力
2021-01-06 13:42:212633 近日,媒體報道東風汽車集團公司旗下的智新半導體有限公司年產30萬套功率芯片模塊的生產線4月將投入量產,該產線產品有望打破海外壟斷,替代進口。
2021-01-26 16:24:392538 嘉興斯達半導體股份有限公司(以下簡稱“斯達半導”)發布2021年度非公開發行A股股票預案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導體模塊等項目。
2021-03-04 15:07:141878 ? 納微半導體(Navitas Semiconductor)是全球氮化鎵功率芯片的開創者,成立于2014年,總部位于愛爾蘭,在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發中心。納微半導體擁有一支強大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:012969 納微半導體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關信息,并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應用。
2021-08-24 09:39:211267 中為 ZWI002 氮化鎵 合封功率芯片,實戰應用原理圖。設計簡單,走線美觀,生產直通率高。為PD快充市場填補多項空白。65W快充 1A1C 1A2C 整體設計成本優化。
2022-01-11 09:19:2630 從全球產業發展轉移角度看,半導體產業是伴隨著上一輪計算機與互聯網技術革命迅速發展起來的,整體上起源于美國,然后由于全球化帶來的國際分工,逐步向日本、韓國、中國臺灣轉移。而近年來,這一產業正在向國內轉移,尤其是國產芯片正在崛起。工信部數據顯示,2021年我國集成電路銷售額為9591億元,同比增長21%。
2022-03-21 14:10:082687 氮化鎵作為下一代半導體技術,其運行速度比傳統硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術,集成了氮化鎵功率場效應管(GaN Power[FET])、驅動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:131626 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度,將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:561497 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克代碼:NVTS)正式發布 NV6169,這是一款采用 GaNSense?技術的650/800 V 大功率GaNFast?芯片,可滿足高功率應用。
2022-05-11 11:24:311706 納微半導體于2022年9月正式發布新一采用GaNSense技術的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新一代產品,其集成了兩個GaN FETs 和驅動器,以及控制、電平轉換、傳感和保護功能 ,其適用于手機移動、消費和工業市場中100-300W應用。
2022-09-09 14:44:531480 無壓燒結銀成為 DA5聯盟選擇功率芯片連接材料的優選方案之一
2023-01-02 16:08:18381 電源管理芯片的檢測2如果外圍電源都正常但是電源管理芯片電壓不正常可以先檢查場效應管G極的電壓如注重阻值不一樣,基本可以確認電源管理芯片是有問題的。功率 IC 是由功率半導體與驅動電路、電源管理芯片等集成而來的模塊,主要應用在小電流和低電壓的環境。根據可控性分類,
2023-02-06 10:01:501799 目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權76件,除去世界知識產權局WO的8件PCT專利之外,其授權率高達約80%,目前僅有3件專利處于失效狀態。
2023-02-06 14:36:21399 增加GaNSense?技術,全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護,為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最
高效率和可靠性
11月8日,北京–氮化鎵(GaN)功率芯片的行業
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到,并減少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日,北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業領導者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 功率芯片一般是指一種集成了功率放大器或開關等功率驅動電路的集成電路,其主要作用是為外部負載提供高功率信號。通常,功率芯片會采用高電壓、大電流的工作方式,用于驅動一些需要較高功率的負載,如音響、電機等。
2023-02-27 15:54:122953 功率芯片主要用于將電信號轉換成為較高功率的電信號,以控制各種負載,例如驅動電機、燈泡、喇叭、加熱器等。功率芯片通常包括功率放大器、電源管理芯片、電流傳感器等功能模塊,具有高功率、高效率、高可靠性、低噪音等特點,廣泛應用于工業、汽車、通信、醫療等領域。
2023-02-27 15:56:422664 功率芯片的制程與普通的半導體芯片有些不同,因為功率芯片需要承受更大的電流和電壓,因此在制程上需要更加注重功率芯片的耐壓性、耐熱性、導電性等特性。
2023-02-27 15:59:051429 ? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者 — 納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)宣布旗下
2023-02-28 17:57:13823 芯片作為現代智能化時代的基礎,對于國家的科技水平以及未來的發展是至關重要的,現在的手機、電腦、智能電器等產品都要使用芯片,而國產芯片也越來越普遍化,種類也越來越豐富多樣,其中國產芯片之模擬芯片和功率
2023-03-10 17:50:382513 自氮化鎵進軍快充市場以來,不過短短幾年時間,其憑借著極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性,使得采用氮化鎵功率芯片的充電器, 能在體積和重量只有傳統硅器件充電器的一半的前提下,提升3倍的充電速度, 迅速
2023-03-28 13:58:021193 TC358774XBG/TC358775XBG功能規范定義DSISM到LVDS低功率芯片(或更縮寫,TC358775XBG芯片)。TC358775XBG是的后續芯片TC358764XBG
2023-06-13 17:31:121 摘要:為解決智能手機使用的大功率芯片中非均勻分布熱點的散熱問題,本文采用手機芯片作為熱源,利用軟件使手機滿載工作以模擬實際的高溫場景,采用具有各向異性導熱系數的導熱層和用于小型散熱系統的熱沉以提高
2022-10-27 11:44:54497 無壓燒結銀成為DA5聯盟選擇功率芯片連接材料的優選方案之一DA5聯盟即:德國羅伯特·博世(汽車電子業務部)、美國飛思卡爾半導體、德國英飛凌科技、荷蘭恩智浦半導體及意法合資的意法半導體宣布,已就
2023-01-03 11:27:28349 此前,湖南湘江新區湖南三安一期工程裝幀,基板,外延,芯片車間全線大量生產,生產能力和收率穩定上升。得益于新能源汽車市場的爆發,2022年湖南三安汽車規格及工業級硅電石半導體出貨量突破1億個。
2023-06-30 09:44:47459 英飛凌汽車部門總經理Peter Schiefer表示:“作為汽車半導體領域的全球領軍人物,英飛凌為干凈、安全的乘車券提供改變格局的解決方案。今天,igbt和二極管通過電力動力系統的有效電力轉換,對電動汽車產業的轉換起到了重要的作用。
2023-07-14 10:50:02385 摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料對GaAs功率芯片與MoCu基板進行焊接,分析了焊接溫度、摩擦次數等工藝參數對共晶焊接的影響,給出了GaAs芯片共晶焊的工藝參數控制要求,通過掃描電鏡
2023-07-15 14:01:421276 據資料顯示,協昌科技主要從事運動控制產品、電力芯片的研發、生產和銷售。近年來,協昌科技逐步建立了上下游電力芯片和下游運動控制產品的共同發展工作體系。根據對外銷售的產品形態,協昌科技的主要產品具體可分為晶圓、封裝成品、動作控制器、動作控制模塊四種。
2023-08-21 11:57:34545 資料顯示,協昌科技自成立以來專注于功率芯片的設計開發及其下游運動控制器的研發、生產和銷售。目前公司建有運動控制系統、功率芯片設計、集成電路封測、表面貼裝技術四大研發中心,通過江蘇省專精特新“小巨人”、江蘇省企業技術中心等認定,擁有有效知識產權300余件。
2023-08-22 15:47:46408 納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術,創造了專有的AllGaN工藝設計套件(PDK),以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器,邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準
2023-09-01 14:46:04409 柵極電壓。上升過程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時,P阱瞬態電位上升,等效閾值電壓升高;
漏極電壓下降過程,P阱空間電荷區變窄,空穴流入P阱的空間電荷區,在流經P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時,P阱瞬態電位下降,有效閾值電壓降低。
2023-10-08 10:59:28365 不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件,它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:44544 隨著科技的不斷發展,無線通信、射頻設備和微波應用等領域對高性能功率放大器的需求不斷增加。為滿足這些需求,半導體行業一直在不斷尋求創新和進步。其中,氮化鎵功率芯片已經成為一項引領潮流的技術,為高頻、高功率應用提供了全新的解決方案。
2023-10-18 09:13:14560 功率芯片通過封裝實現與外部電路的連接,其性能的發揮則依賴著封裝的支持,在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進行使用。芯片互連(interconnection)指芯片上表面的電氣連接,在傳統模塊中一般為鋁鍵合線。
2023-10-24 10:52:091791 驪微電子是芯朋微一級代理商,供應PN7726無線充智能功率芯片,提供pn7726芯片資料,更多產品手冊、及應用料資請向驪微電子申請。>>
2022-01-05 10:21:1618 供應PN7727SP-A1 20W無線充發射功率芯片內置LDO,更多產品手冊、應 用料資請向驪微電子申請。>>
2022-10-06 17:32:391 10月30日,中瑞宏芯半導體宣布,公司于近日完成近億元人民幣的產投融資,由光伏微逆領頭公司禾邁股份和頭部汽車電子供應商納芯微聯合投資。
2023-11-02 16:27:47337 從三星S22到S23,下一代GaNFast?技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片
2023-11-03 14:04:49865 從三星S22到S23,下一代GaNFast技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布再度
2023-11-03 14:06:31609 日本東芝(Toshiba)集團與芯片制造商羅姆半導體集團(Rohm)近日宣布將共同生產功率芯片,總投資額達3883億日元(約人民幣191億元),這一舉措旨在通過擴大生產規模,提高成本競爭力,迎合電動車和產業機器等領域對功率芯片不斷增長的需求。
2023-12-12 10:07:27281 、頻率等參數的轉換以后才能供設備使用。而電能的轉換本質是利用功率芯片的開關作用,實現弱電對強電的控制,對電能(功率)進行處理。
2023-12-13 10:32:191037 近日,據路透社消息,東芝和羅姆表示,他們將投資 3883 億日元(27 億美元)聯合生產功率芯片。
2023-12-14 09:30:47413 ,對器件通電狀態下的溫度場進行計算,討論空洞對于熱阻的影響。有限元仿真結果表明,隨著芯片粘接層空洞越大,器件熱阻隨之增大,在低空洞率下,熱阻增加緩慢,高空洞率下,熱阻增加更明顯;總空洞率一致時,不同位置空洞對應器件熱阻的關
2024-02-02 16:02:54109 作為中國電力投資集團核技術應用產業的重點項目,核力創芯始創于2021年3月,負責研發并建立我國首條功率芯片質子輻照生產線。該公司致力于通過質子輻照技術為IGBT、FRD二極管等功率芯片實現氫離子注入工藝,從而大幅提升其效能。
2024-01-17 13:58:43301 該項目坐落在浙江嘉興市南湖區,總投資高達1.3億人民幣,旨在建立專門的生產工廠以研發與批量生產全套高壓特色工藝功率芯片;此外,項目還設有先進的潔凈生產空間、完備的輔助設施如動力站、氣站以及倉庫等。
2024-02-01 15:36:20382
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