光電晶體管能夠將光能轉化為電能，其工作方式與通常稱為LDR的光敏電阻類似，但能夠同時產生電流和電壓，而光敏電阻僅能因電阻變化而產生電流。

光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會向基極發送電流，而是激活晶體管。這是因為光電晶體管由雙極半導體制成，并集中在通過它的能量上。

它們由光粒子激活，并用于幾乎所有以某種方式依賴光的電子設備。所有硅光傳感器（光電晶體管）都響應整個可見輻射范圍以及紅外線。事實上，所有的二極管、晶體管、達林頓管、可控硅等都具有相同的基本輻射頻率響應。

光電晶體管特點：

·低成本可見光和近紅外照片檢測。

·可提供從100到1500的增益。

·響應時間適中。

·提供多種封裝，包括環氧樹脂涂層，傳遞模塑和表面貼裝技術。

·電氣特性類似于信號晶體管。

光電晶體管結構

由于熱產生的空穴-電子對，沒有光落在器件上會產生很小的電流，并且由于負載電阻R上的電壓降，電路的輸出電壓將略小于電源值。落在集電極-基極結上，電流增加。在基極連接開路的情況下，集電極–基極電流必須在基極·發射極電路中流動，因此通過正常的晶體管動作放大電流。集電極基極結對光非常敏感。它的工作條件取決于光的強度。來自入射光子的基極電流被晶體管的增益放大，導致電流增益從數百到數千。

光電晶體管的結構專門針對照片應用進行了優化。與普通晶體管相比，光電晶體管具有更大的基極和集電極寬度，并使用擴散或離子注入制成。

其實，光電晶體管只不過是一個普通的雙極晶體管，其中基區暴露在光照下。它可用于PNP和NPN類型，具有不同的配置，如共發射極、共集電極和共基極，但通常使用共發射極配置。它也可以在底座打開時工作。與傳統晶體管相比，它具有更多的基極和集電極區域。

很早以前的光電晶體管使用硅和鍺等單—半導體材料，但現在的現代組件使用嫁和砷化物等材料來實現高效率水平。基極是負責激活晶體管的引線，它是用于較大電力供應的門控設備。集電極是正極引線和較大的電源。發射器是負極引線和較大電源的出口。

當器件上沒有光照時，由于熱生成的空穴-電子對，電流會很小，并且由于負載電阻R兩端的電壓降，電路的輸出電壓將略低于電源值，落在集電極–基極結上的電流增加。在基極連接開路的情況下，集電極-基極電流必須在基極-發射極電路中流動，因此流動的電流被正常的晶體管動作放大。

集電極-基極結對光非常敏感，它的工作狀態取決于光的強度。來自入射光子的基極電流被晶體管的增益放大，導致電流增益從數百到數千不等。光電晶體管的靈敏度是噪聲水平較低的光電二極管的50到100倍。