隨著光電子技術的發發展，光電檢測在靈敏度、光譜響應范圍及頻率等技術方面要求越來越高，為此，近年來出現了許多性能優良的光伏檢測器，如硅鍺光電二極管、PIN光電二極管和雪崩光電二極管（APD）等。在材料方面-V族化合物及其他化合物制作的二極管也成為了最近研究的熱門（InGaAs、GaAs、InP等）。

　　光電晶體管由光電二極管和放大器集成在一個硅片上，它解決了光電二極管的主要的缺點：單位增益，許多應用要求光電探測器具有大信號輸出能力。光電二極管的信號可以用外部的運放進行放大，但是它不如光電晶體管經濟實用。光電晶體管的典型增益為100到1500倍，它提高了模擬信號或者數字信號的輸出。

　　光電晶體管可以用于環境光探測器，當在使用一個可控光源時（通常是IRED），它作為光隔離器，傳送型光開關以及反射型光開關的探測單元。

　　光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場效應型等。

　　光電晶體管的優點主要有以下幾點：

　　這種晶體管的效率比光電二極管高。 與光電二極管相比，晶體管的電流增益也更大。 即使入射光相同，光電晶體管也會產生更多的光電流。

　　與光電二極管相比，光電晶體管的響應時間更長。 因此，這意味著此類晶體管具有更快的響應時間。

　　光電晶體管不受任何噪聲干擾。

　　光電晶體管的成本較低。

　　這種晶體管的電路不太復雜。

　　光電晶體管的缺點：

　　光電晶體管的效率隨著電磁場的干擾而降低。

　　在較高的頻率下，光電晶體管無法正常工作。 由于這個問題，它不能有效地在高頻下轉換光電流。

　　高靈敏度：光電晶體管的靈敏度比光電二極管高得多，因為它們可以放大光信號。

　　高速度：光電晶體管的響應速度比光電二極管快得多，因為它們可以放大光信號。

　　低噪聲：由于光電晶體管的靈敏度高，因此它們產生的噪聲也很小。

　　可控性：光電晶體管可以通過控制光源的強度來控制電流的大小，因此具有很好的可控性。

　　可靠性：光電晶體管不受電磁干擾的影響，因此具有很好的可靠性。

　　總之，光電晶體管具有高靈敏度、高速度、低噪聲、可控性和可靠性等優點，因此在光電傳感器、光電開關、光電隔離器等應用中得到廣泛應用。