數(shù)字晶體管是雙極晶體管內(nèi)增添了電阻器的一種晶體管。

數(shù)字晶體管，又稱數(shù)字可控硅，是一種可以實現(xiàn)電路轉(zhuǎn)換功能的硅元件。它由npn或pnp 三極管以及控制電路組成，控制電路中有振蕩電路、反饋和計時電路等。數(shù)字晶體管使電路具有多種復雜的功能，并使其能夠根據(jù)不同的輸入信號而改變邏輯功能。

由于數(shù)字晶體管具有靈活的輸入/輸出控制特性，它一般用于電場效應管（FET）和Insulated Gate Field Effect （IGBT）史v實現(xiàn)電路的轉(zhuǎn)換作用：它可以對丕鳳信號輸入有丕鳳的反饋;進而控制或IGBT的開關。在迕多航空電子系統(tǒng)史：數(shù)字雖體管作為一個可控電子開關，它控制和傳輸電子信號，滿足航空電子系統(tǒng)的電路功能要求，也可以進行信號編碼、編碼和故障指示等復雜的功能操作。

數(shù)字晶體管也可用于數(shù)字電子系統(tǒng)中的數(shù)字控制和運算，如大臂機器人的運動控制、自動數(shù)控銑床等。而且還可以用于電力轉(zhuǎn)換行業(yè)操作控制。由于他的低功耗特性，可以用于要求低功耗的應用中，如EPROM和定時器、閃存等應用。

數(shù)字晶體管常用語表征數(shù)字晶體管的參數(shù)有7個，分別為VI（on）Min、VI（off）Max、VO（on）、II（Max.）、GI、R1、R2/R1。

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其中，VI（on）Min.是最小輸入電壓。這表示向OUT引腳、GND引腳間施加正向電壓 （VO），并得到規(guī)定的輸出電流時需要的最小輸入電壓，即數(shù)字晶體管導通區(qū)域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態(tài)變?yōu)镺FF狀態(tài)，需要進一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值低于這個數(shù)值。

VI（off）Max.是最大輸入電壓。這表示向OUT引腳、GND引腳間施加電源電壓 （VCC）、輸出電流 （IO） 的狀態(tài)下，IN引腳、GND引腳間得到的最大輸入電壓，即可以保持數(shù)字晶體管OFF狀態(tài)區(qū)域的最大輸入電壓值。因此，如果要從OFF狀態(tài)變?yōu)镺N狀態(tài)，需要進一步升高該最大輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值高于這個數(shù)值。

VO（on）是輸出電壓，表示任意輸入條件下不超過絕對最大額定值的輸出引腳電壓。GND接地放大電路流過充足的輸入電流時，輸出電壓降低，IN、OUT接合也變?yōu)檎珘籂顟B(tài)。在規(guī)定的VO、IO下將II設定為整數(shù)（通常10~20）分之一進行測定。

II（Max.）是輸入電流，表示向IN引腳、GND引腳間施加正向電壓 （VI） 時，IN引腳連續(xù)流過電流的最大輸入容許值。

GI是GND接地直流電流增益，表示規(guī)定的VO、IO條件下的IO/II的比值。

R1表示輸入電阻，表示在IN引腳、晶體管基極之間內(nèi)置的電阻。R1的公差設定為±30%。另外，還會隨著溫度的變化而變化。

R2/R1是電阻比率（RESISTANCE RATIO），表示晶體管的基極發(fā)射極之間的電阻與內(nèi)置輸入電阻的比率。

　　以下是數(shù)字晶體管常用的術語：

　　基極（Base）：數(shù)字晶體管中的一極，用于控制晶體管的開關狀態(tài)和放大作用。

　　發(fā)射極（Emitter）：數(shù)字晶體管中的一極，用于發(fā)射電子并控制電流流動的方向。

　　集電極（Collector）：數(shù)字晶體管中的一極，用于收集電流并控制電流流動的方向。

　　NPN：一種常見的數(shù)字晶體管類型，其中基極為P型材料，發(fā)射極和集電極為N型材料。

　　PNP：另一種常見的數(shù)字晶體管類型，其中基極為N型材料，發(fā)射極和集電極為P型材料。

　　飽和狀態(tài)（Saturation）：數(shù)字晶體管的一種工作狀態(tài)，發(fā)射極-基極電壓足夠高，使得集電極-發(fā)射極電壓不再繼續(xù)增加，電流達到極限值。

　　切斷狀態(tài)（Cut-off）：數(shù)字晶體管的一種工作狀態(tài)，此狀態(tài)下基極電壓很低或為零，電流不能流過數(shù)字晶體管。

　　放大倍數(shù)（Current Gain）：數(shù)字晶體管的放大倍數(shù)，也稱為直流放大倍數(shù)，是指數(shù)字晶體管所能放大的電流大小。

　　希望這些常用語可以幫助您更好地理解數(shù)字晶體管的工作原理和應用。