由于本設計中的變換器的應用場合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環節。功率器件的特性主要有安全特性、開關特性和驅動特性等。當負載功率和頻響等指標已知時，即可確定功率器件的主要參數，除此之外，還要考慮器件的經濟性、驅動電路是否簡單、安裝和散熱方法等。

隨著電子器件的發展和現代功率電子技術的成熟，新型功率半導體器件越采越多，在設計中應根據實際需要選擇合適的功率器件。

1）在幾百kV·A以上的大容量和超大容量的逆變電路中，開關器件主要以GT0為主，如高壓直流輸電、大型電機驅動、超大型UPS和大型化學電源，其容量都在幾百kV·A以上。但是在某些工頻場合下，有時也用SCR和TRIS，其中SCR主要還用于整流式電源設各。

2）在幾kV·A到幾百kV·A甚至上MV·A的中大容量的逆變器中，主開關器件將以IGBT為主，GTR雖然也已被廣泛地應用，但是由于其具有驅動功耗大、開關速度慢和二次擊穿問題等不足，因此將逐步被IGBT和其他新型開關器件所取代。這個容量等級的逆變器最多，應用也最普遍，如交流電機變頻調速、UPS、逆變式弧焊電源、通信開關電源、有源濾波裝置、感應加熱等。這類逆變器的逆變頻率一般為1OW、25kHz，電源的容量密度適中，比較理想，并且噪聲也比較小。

3）在幾kW以下的逆變電源中，主開關器件以VMOSFET為主，逆變頻率為幾十kHz至幾百kHz，有的還高達1MHz以上。這類電源的容量密度高，噪聲很小。如小型UPS、小型變頻器、醫用電源、照明、汽車、家用電器、小型開關電源、逆變器、電磁灶等。MOSFET屬于單極型、電壓驅動控制晶體管器件。當門控電壓足夠高時，器件完全導通，近似于閉合開關；當門控電壓低于門閾值時，器件關斷。它不但有自關斷能力，而且有驅動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區寬等優點，常用于中低壓場合，適合本設計。

根據電力電子開關器件的發展和各種開關器件的性能特點，在設計逆變器電路時，對于主電路中功率開關器件的選擇一般應該遵循以下幾個指導原則：

由于功率開關器件的性能參數對逆變電路的性能起著非常關鍵的作用，則選擇功率MOSFET時主要考慮功率管的靜態特性和動態特性。功率管的靜態特性主要指功率MOSFET的輸出特性、飽和待性、轉移特性等；與靜態特性有關的參數主要有通態電阻、開啟電壓、跨導、最大電壓額定值和最大電流額定值。動態特性主要影響功率MOSFET的開關過程，它和GTR的開關過程相似，也分為幾個階段；但是由于功率MOSFET是單極型器件，是靠多數載流子傳導電流的，本身的電阻效應和渡越效應對開關過程的影響可以忽略不計，因此在開關工作的機理上又與GTR有較大的差別。

在實際應用中，主要考慮功率開關的以下幾個參數要求：功率開關在關斷狀態時，電路中流過的電流（即漏電流ioff）這個電流應盡量小；功率開關在導通狀態時，開關的自身的電壓降（Von），這個值應盡可能的小；功率開關從導通狀態變為關斷狀態的時間（ton）和從關斷狀態變為導通狀態的時間（toff）盡可能小；用小的控制信號就能夠實現功率開關的導通及關斷；功率開關即使在高速長時間反復導通與關斷的情況下工作，也不會損壞，也就是說要有較高的工作頻率（f）此外，體積小、重量輕、價格便宜也是設計者常常要考慮的因素。

在本系統中，負載的驅動電流最大為5A，供電電壓為12V，開關頻率取20kHz，采用IRE公司的IRF540作為主功率管已經能夠滿足系統的動態和靜態要求。