日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真
2013-03-05 15:52:33815 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:005406 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應用功率轉換，在提高能效的同時，減少元器件數量并
2023-01-30 10:09:49529 
。 ADP2386是一款同步降壓DC-DC穩壓器，集成44 mohm高側功率MOSFET和11 mohm同步整流MOSFET，采用緊湊的4 mm×4 mm LFCSP封裝，提供高效率解決方案
2019-08-12 07:38:58
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，FET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進的溝槽技術[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進的溝槽技術RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進的溝槽技術◆40V/ 100A[tr]提供優異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
SIR106ADP-T1-RE3
2023-04-06 23:31:37
SIR680ADP-T1-RE3
2023-04-06 23:34:43
SIR882ADP - N-Channel 100 V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
場效應管SIHU7N60E-GE3場效應管SI7370ADP-GE3場效應管SI4423DY-GE3場效應管SIR872ADP-T1-RE3場效應管SIE874DF-T1-GE3場效應管
2021-02-23 18:00:56
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
。功率 MOSFET 的分類及優缺點和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強型有不少的優勢，但實際上
2019-11-17 08:00:00
，合適于功率MOSFET的應用。這種結構稱為垂直導電雙擴散MOS結構VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標準 ?充電器?低導通電阻 ?SMPS待機功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
LT1158上單個輸入引腳的典型應用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
，增強型MOSFET分為P溝道增強型和N溝道增強型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET。基本概念溝道由大多數電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
轉換器拓撲結構，無論是隔離還是非隔離。 ADP1621通過測量n溝道MOSFET導通電阻上的壓降，無需使用電流檢測功率電阻
2019-05-30 09:08:12
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
。功率 MOSFET 的分類及優缺點和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強型有不少的優勢，但實際上
2019-11-17 08:00:00
溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的縮寫。對工程師來說
2021-04-09 09:20:10
``VISHAY生產Si7658ADP，3000pcs/盤，Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8，60K原裝現貨，價格優勢。聯系QQ：864968599``
2014-04-02 16:25:18
(ON)。表1比較了TrenchFET IV產品SiRA00DP和采用以前最先進技術的SiR812DP TrenchFET Gen III功率MOSFET。新器件的RDS(ON)和Qg分別低30
2013-12-31 11:45:20
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 隨著這種新器件的發布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現已供貨，其中包括耐熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，它可在SO-8占位面積
2009-09-12 17:42:02772 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 小信號應用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多
2009-12-31 09:59:441421 Vishay發布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49899 日前，長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍爾效應傳感器榮獲EDN China 2011創新獎。
2011-12-06 15:51:27719 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。
2012-04-26 16:39:57646 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Mouser Electronics開始供應Vishay Siliconix第一款採用業界最小的晶片級封裝，并將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 Vishay發布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內工作，具有低至20m?的導通電阻、低靜態電流， 導通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581089 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道
2014-04-29 16:30:44885 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 轉換器中節省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171004 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551514 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴充其microBUCK同步降壓穩壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 適用于標準柵極驅動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 N 溝道器件實現高功率密度，降低導通和開關損耗，提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計算和通信應用功率轉換，在提高能效的同時，減少元器件數量并簡化設計。 日前發布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件，節省 50% 基板空間，同時
2023-02-04 06:10:04502 
RU2060LN溝道功率MOSFET
2021-11-17 15:33:060 電子發燒友網站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:290 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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