美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產品。
2012-05-18 09:25:34
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瑞薩電新發表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:281650 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率
2018-10-23 16:21:49
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
容量為1200A/2400V，根據大功率斬波的需要，通常，額定工作電流為400A——1500A，考慮到器件工作安全，必須留有2倍左右的電流裕度，再結合本文前述的IGBT最大電流標稱問題，單一器件無法
2018-10-17 10:05:39
世界技術舞臺的時候，盡管它凝聚了高電壓大電流晶閘管制造技術和大規模集成電路微細加工手段二者的精華，表現出很好的綜合性能，許多人仍難以相信這種器件在大功率領域中的生命力。現在，跨世紀的IGBT顯示了巨大
2012-06-19 11:17:58
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件，具有M08場效應晶體管的電壓控制、開關頻率高、驅動功率小的優點，又具備大功率雙極晶體管的通態壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
按照大功率 igbt 驅動保護電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率 igbt 驅動保護電 路分為以下三種類型：單一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
。此外本文所述大功率igbt驅動保護電路是指應用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場合。詳情見附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
igbt驅動保護電路進行分類，并對該電路需要達到的一些功能進行闡述，最后展望此電路的發展。此外本文所述大功率igbt驅動保護電路是指應用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在
2012-12-08 12:34:45
詳情見附件大功率IGBT驅動的技術特點及發展趨勢分析1 引言由于igbt具有開關頻率高、導通功耗小及門極控制方便等特點，在大功率變換系統中得到廣泛的應用。在igbt應用中，除其本身的技術水平以外
2021-04-20 10:34:14
；第四步：打開電源開關；第五步：開始測試；第六步：數據處理； 最后得到的曲線如下圖：測試器件為CM400HA-24H@Vgs=15.0V六：測量CM400HA-24H大功率IGBT步驟第一步：關閉電源
2015-03-11 13:51:32
按照大功率igbt驅動保護電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率igbt驅動保護電路分為以下三種類型:單一功能型、多功能型、全功能型。2.1 單一功能型 單一功能型的大功率igbt驅動保護電路一
2012-07-09 15:36:02
單獨控制，在芯片的供電，驅動效率和體積，BOM數量和成本上往往很難做到最優化。 作為晶豐明源在大功率高端燈具驅動電源上的解決方案，UR3311是一顆基于兩級架構的二合一控制芯片，既可
2018-11-30 17:09:21
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
有做大功率PCB板的朋友嗎，電流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
0.3pF以下；三、功率：小功率TVS性能測試用8/20us波形；大功率TVS性能測試用10/700us波形，其功率是小功率TVS管的7~10倍；四、響應速度：小功率TVS的響應速度ps級；大功率TVS一般為
2022-05-24 16:18:18
許多大功率微波發射機常有一定功率的寄生輸出,成為無線電子干擾的來源之一。為了抑制這種干擾，須用大功率微波濾波器，使發射機的載波和調制邊帶通過，抑制其寄生輻射。在大功率微波濾波器的設計中，所需要考慮的問題常與小功率濾波器有所不同，因而小功率濾波器的設計方法在大功率設計中要受到限制，甚至完全不能用。
2019-06-21 08:10:59
整流的應用。 8、產品無鉛 , 符合 RoHS 指令。相比普通的功率電感或色環電感來說,盡管所起到的作用是一樣的，但是大功率電感在高性能要求電路上所起的作用是普通功率電感不能代替的。
2015-03-23 16:35:29
尋求有做過大功率短波項目的人員，27.12M40.68M等的大功率短波功率能達到二百瓦，主要涉及信號震蕩，選頻，放大，耦合，控制精度較高，需符合電磁兼容標準要求YY0505有合作意向的聯系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22
MOSFET的方式內嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT.與最佳競爭產品和前代產品相比，該器件具有Eoff較小的特性。總之，新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯二極管的軟開關應用。
2018-09-30 16:10:52
新一代小區網關：靈活性與高性能至關重要各種各樣的數字設備進入到越來越多的家庭之中，如各種多媒體應用、網絡設備、語音與數據通信平臺，以及娛樂系統等。當今消費者通常可在家中通過因特網寬帶連接獲得日益豐富
2009-10-05 09:18:53
美高森美MSAD165-16整流模塊能用ASEMI的 MDA165-16代替嗎?
2017-05-27 14:54:59
高通AR9341 2.4GHz大功率無線戶外CPE具有哪些參數應用？
2022-01-14 07:35:35
高通AR9342 5.8GHz大功率無線戶外CPE具有哪些應用參數？
2022-01-14 07:09:45
給大家推薦一款高性能LED驅動芯片 EC1916A 30-70W大功率低電流諧波LED驅動方案過認證 下面是對這款新型產品一些簡單描述。 EC1916A高功率因數、低電流諧波 LED 驅動方案
2016-11-05 15:06:58
ASEMI MDA165-16能代替美高森美的MSAD165-16嗎？
2017-06-05 17:17:49
FCI為混合動力及電動汽車推出大功率連接器設計
2021-05-10 06:18:51
編輯-ZMDS100-16在MDS封裝里采用的6個芯片，其尺寸都是Φ13，是一款工業焊機用大功率整流模塊。MDS100-16的浪涌電流Ifsm為920A，漏電流(Ir)為5mA，其工作時耐溫度范圍為
2021-08-03 16:18:19
功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。美高森美的SP6LI產品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從
2018-10-23 16:22:24
電壓能力相結合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導體推出TO247-4L IGBT系列，具有強大且經濟實惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
硅RF外側擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)，在3.8GHz范圍內具有滿足WiMAX基礎設施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業、科學以及醫療(ISM)應用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓
2019-07-09 08:17:05
羅姆(ROHM)是半導體和電子零部件領域的著名生產商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
（10kW）發射機和 ELMER 公司的 ST—10085（10kW）發 射機等。這些第二代大功率發射機較第一代的進步之處是：釆用了性 能優良的金屬陶瓷電子管，來代替玻璃外殼的電子管作為功放管；果 用r
2021-12-16 10:24:19
的區別請參考：PT，NPT，FS型IGBT的區別）。技能：低導通壓降，125℃工作結溫（600V器件為150℃），開關性能優化得益于場截止以及溝槽型元胞，IGBT3的通態壓降更低，典型的Vce(sat
2021-05-26 10:19:23
作為國家科技重大專項——智能電網高壓芯片封裝與模塊技術研發及產業化項目的中國北車永濟電機公司以其研制的3300V IGBT器件產品，日前中標國家智能電網項目，成為我國首個高壓大功率IGBT產品批量
2015-01-30 10:18:37
什么是大功率直流電源?大功率直流電源是各種電子設備都不可缺少的設備，其功能會影響整體產品的使用效果，通常在選擇不同功率的電源會根據產品的性能以及要求，大功率直流電源能夠很好的為大功率設備供電
2021-12-29 06:52:58
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
2021-05-21 07:00:24
本文介紹了新一代IHM.B具備更強機械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設計、材料、焊接和安裝技術。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設計的3.3kV IGBT3芯片,在保持機械
2010-05-04 08:07:47
導讀：LYTSwitch-4控制器能夠提供高功率因素和恒流輸出，具有優于±5%的恒流性能，適合用于大功率LED驅動。鑒于此，本文提出了一種基于LYTSwitch-4的大功率LED電源解決方案。在
2018-09-27 15:19:32
PrimePACK?是英飛凌推出的最新一代大功率IGBT 模塊，它集合了最新的芯片和封裝 技術，在大功率場合很受歡迎。光伏逆變器追求高效率，PrimePACK?的芯片和封裝技術能 大大降低IGBT 總損耗從而提高光伏
2018-12-07 09:24:53
快速增長的電動汽車市場，安森美半導體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數字隔離柵極驅動器以及一個用于48V系統的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
的問題，20世紀90年代初NPT IGBT被開發出來并由西門子公司率先量產。NPT IGBT采用高阻的區熔硅為襯底材料，在正面工藝完成后將硅片減薄到一定的厚度，再通過背面注入的方式形成P區。和PT
2015-12-24 18:13:54
德州儀器（TI）推出新一代KeyStone II架構
2021-05-19 06:23:29
,尤其適用于高壓大功率電力電子裝置.目前通用電路仿真軟件中還沒有專門的IGCT仿真模型,不能滿足可靠的仿真性能的要求.基于電力電子器件的物理現象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、電學模型法、集
2010-04-24 09:07:39
經常有客戶想要大功率輸出的電源芯片，但是又考慮成本過高？我們銀聯寶有一款U321電源芯片，可以大功率輸出，又電路極簡，成本低，性能高！具有良好的線性調整率和負載調整率。U321電源芯片是集成
2020-03-18 14:37:05
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
系統和24V系統。 12V系統的電源芯片一般可以承受40幾V的電壓，12V系統選用24V的大功率TVS工作一分鐘測試OK 24V系統選用36V的大功率TVS工作一分鐘測試ok 電壓選高點不會有問題。 深圳安達森，你身邊的電子保護專家。專業生產銷售ESD防靜電電子元器件，TVS,靜電保護管。
2014-02-21 10:12:54
在這個頻段上提供最大功率，次要特性包括： 規范脈沖間歇格式：100μs,10%DF 出色的輸入功率：500W 高功率增益：>11.5dBmin 漏極偏壓?Vdd：+65V
2012-12-06 17:09:16
請教一下大神大功率管IGBT(H20T120)怎么檢測呢？
2023-05-16 17:15:04
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
近年來變頻控制因其節能、靜音及低顫動而得到廣泛的關注和應用，基于ARM/DSP 的高性能驅動方案為中大功率三相電機提供了高性能、多控制方式的解決方案，其主要應用于對電機控制的性能、實時性方面要求比較
2019-07-09 08:24:02
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
供應igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導通損耗和開關損耗，SGTP75V65SDS1P7可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:11:03
可控硅、達靈頓、IGBT、MOSFET等大功率模塊外形圖
（供參考）
2009-07-25 14:45:452146 IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理
通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討
2009-10-09 09:56:011851 
IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用研究
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:50743 
M57962L驅動大功率IGBT模塊時的應用電路
2010-02-18 11:20:464335 
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 對大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）的開關特性、驅動波形、驅動功率、布線等方面進行了分析和討論，介紹了一種用于大功率IGBT 的驅動電路。
2012-05-02 14:50:48
135 大功率IGBT驅動技術的現狀與發展
2012-06-06 11:52:236113 
大功率igbt驅動保護電路的功能
2012-07-09 12:02:015212 高壓大功率IGBT驅動型號介紹
2012-09-03 18:20:2673 功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案供應商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非貫穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新產品
2012-09-13 10:08:171624 
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 擴展碳化硅（SiC）肖特基產品系列，推出全新的650V解決方案產品系列，新型二極管產品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業應用。
2013-10-30 16:09:57856 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年4月，深圳費思科技推出了重磅產品：高性能的大功率可編程直流電源FTH系列。該電源具有目前國際上最先進的技術水平和技術指標，是國產測試測控電源領域的重大突破。
2015-04-08 16:51:371627 IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 雙路智能大功率IGBT驅動器
2017-03-04 17:50:193 引入IGBT基區存儲電荷造成的等效電容及模塊封裝鍵合絲帶來的寄生電感，考慮反并聯PIN二極管行為模型，從而有針對性地實現了完整中電壓大功率IGBT模塊行為模型。同時提出了新的米勒電容函數擬合方法，量化分析行為模型完整開關過程中典型行為與模型參
2018-03-08 09:21:360 Infineon公司是出界上著名的半導體生產商，其生產的“EUPEC”IGHT在世界范圍內占有很大部分份額。其配套生產的EiceDriver系列IGBT驅動器也在工業領域廣泛應用。對于大功率IGBT
2019-10-07 14:40:0017895 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
IGBT器件的大功率DCDC電源并聯技術(通信電源技術2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯技術總結文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1950 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯的功率模組參考設計與測試驗證。本文將詳細的介紹這款設計。
2023-02-07 09:12:041555 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關型）”共21種機型，該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性，并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25723 
1700V以下大功率IGBT智能驅動模塊使用手冊 （采用100%國產化元器件設計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅動模塊是特別為100%國產化需求企業推出的一款可靠、安全的高性能驅動模塊
2023-02-16 15:01:5512 ，自行研制出各種專用的大功率igbt驅動保護電路。本文對這些大功率igbt驅動保護電路進行分類，
并對該電路需要達到的一些功能進行闡述，最后展望此電路的發展。此外本文所述大功率igbt驅動保護電路是指應用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、
輸出電
2023-02-24 10:51:3613 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網和風能發電等行業發展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728 
SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
驪微電子供應SVF7N65F/T/S650v10a大功率mos管提供svf10n65f電路圖，更多產品詳細參數、規格書及相關資料請士蘭微MOS代理商驪微電子申請。>>
2022-03-30 15:42:475 ，可增強大功率LED的熱耗散，提升大功率LED的發光性能和長期可靠性。利用高精度陶瓷基板和納米銀膏材料制備出高性能TEC，TEC冷端溫度最低可達-22.2℃。將LED
2023-12-03 08:11:14670 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07188 
近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19563
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