全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor) 發布了非常適合功率轉換系統的碳化硅(SiC)技術解決方案，進而拓展了公司在創新型高性能功率晶
2012-11-22 14:04:54
1021 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061242 科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 SiC MOSFET在開發與應用方面，實現了傳統型半導體（Si）實現不了的低損耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統級成本
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅動，增加了系統復雜度，再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統成本?！ ”疚闹?，將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
的正向損耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V?！ ?3)碳化硅有高的熱導率
2019-01-11 13:42:03
。 正向導通壓降VF：衡量二極管正向導通性能最重要的參數，對工程師而言，需要更關注VF與Tj的依賴性關系。這里以基本半導體650V 10A TO-220封裝碳化硅肖特基二極管為例進行說明?！ D（5
2023-02-28 16:55:45
?！ ∠鄬?，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環境和大功率耗散條件下工作?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 編輯
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場強度、高電流密度、快速開關速度、低導通電阻和抗輻射性能等獨特特點，在電子器件領域有著
2022-02-17 14:36:16
具有明顯的優勢。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導通電阻低，還利用了低內感和熱阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的導通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優點
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在
2020-06-28 17:30:27
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優異的半導體性能，在各個現代工業領域發揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優越的性能，零開關損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實現更高的開關頻率，減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優越的性能，零開關損耗，極低反向電流 ，無反向恢復電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC ) 發布專門用于高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關開關? VF上的正溫度系數? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
碳化硅已被證明是高功率和高壓器件的理想材料。然而，設備可靠是非常重要的，我們不僅指短期，而且還指長期可靠性。性能，成本和可制造性也是其他重要因素，但可靠性和堅固性是碳化硅成功的關鍵。全世界有超過30
2019-07-30 15:15:17
還沒有廣泛應用。據預計在中長期內，硅半導體的價格仍將優于碳化硅半導體，所以至少在中期內，碳化硅半導體主要應用于那些能夠為整個系統帶來成本降低或性能提升的場合?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管內部結構如圖1所示。左邊
2019-01-02 13:57:40
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
系統能做得越小巧，則電動車的電池續航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應用產品領域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
，在這些環境中，傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管?！ ‘擳2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能簡化高壓輸入隔離DC/DC變換器拓撲且具備高效能、高可靠性等明顯優勢，適合應用在中大功率新能源領域。其主要特點如下：碳化硅MOSFET高阻斷電壓（一般大于1000V)能夠簡化拓撲
2016-08-05 14:32:43
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，導通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關頻率；同時，碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性，使電力
2023-02-22 16:06:08
的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業解決方案。公司基礎核心產品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
12V電氣系統，難以供應較多的大功率設備，而新能源電車的電力平臺可支撐更多的智能設備載荷，但同時對散熱要求就高。 因此，碳化硅封裝基板就是很好的選擇，因為它有超高的熱導率，能及時散去電源系統中的高熱量
2020-12-09 14:15:07
）功率器件產業化的倡導者之一，國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，在國內碳化硅功率器件制造商中率先完成了質量管理體系---汽車行業生產件與相關服務件的組織實施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26731 
?正溫度系數，易于并聯使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 3A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 ?正溫度系數，易于并聯使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
?
正溫度系數，易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 推動高能效創新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。
2018-03-01 13:14:178360 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
作為碳化硅技術全球領先企業的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合，適用于更廣闊的工業應用，助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用，提供業界領先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 同被稱為第三代半導體材料的氮化鎵（GaN）因其特性，多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領域，而碳化硅（SiC）則主要用在650V以上的高壓功率器件領域。
2020-06-24 15:56:043046 
碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結勢壘
肖特基二極管結構（JBS），因此相比于傳統的硅快恢復二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056028 森國科針對大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產品。該兩款產品型號為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A），KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。
2021-03-10 16:24:212552 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
下的傳導損耗更低，當然，還會增加功率密度、減小系統的尺寸和重量并平衡系統成本。 當前的碳化硅格局 Wolfspeed 為汽車、工業和能源市場的應用提供大量、根深蒂固的產品組合，包括現在的 650V MOSFET。如下圖 1 所示，Wolfspeed 的 SiC 功率產品包括 SiC 肖特基
2022-08-05 10:38:36855 
多家公司已將 SiC 技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已經為未來基于 SiC 的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅 （SiC）MOSFET 即將徹底取代硅功率開關；該行業需要能夠應對不斷變化的市場的新驅動和轉換解決方案。
2022-08-09 08:02:071519 
來源：中國電子報 日前，國際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成，未來兩年內產能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數十
2022-10-08 17:02:25872 基于進一步提升電驅動總成系統效率和功率密度的需求,設計了一款碳化硅三合一電驅動總成系統,介紹了碳化硅控制器和驅動電機的結構設計方案,并詳細闡述了碳化硅三合一電驅動總成的冷卻系統設計方案。為了進一步
2022-12-21 14:02:33836 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅(SiC) 是第三代半導體，相較于前兩代半導體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求。
2023-01-16 10:22:08412 碳化硅屬于第三代半導體材料之一，具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點，可應用于 1200 伏特以上的高壓、嚴苛環境，可廣泛應用于風電、鐵路等大型交通工具，及太陽能逆變器、不斷電系統、智慧電網
2023-02-03 14:49:52367 由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因為本征載流子激發導致器件性能失效。碳化硅材料在發生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵（GaAs）的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。
2023-02-09 09:47:59387 
第三代半導體碳化硅是目前半導體領域最熱門的話題。提到 碳化硅（SiC） ，人們的第一反應是其性能優勢，如更低損耗、更高電壓、更高頻率、更小尺寸和更高結溫，非常適合制造大功率電子器件；如果說
2023-02-21 09:09:553 下面我們拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件說明。碳化硅 (SiC）二極管采用全新技術，提供比硅材質更勝一籌的開關性能和可靠性。目前主流的能量產而且性能穩定的碳化硅二極管電壓為650V
2023-02-21 09:59:541184 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34801 大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現更高的環保效率。
2023-08-18 11:05:26238 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現更高的環保效率。
2023-08-18 11:21:40355 
MOSFET也已經發展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
MOS管在直流充電樁上的應用，推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
在當今快速發展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 已全部加載完成
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