7月23日，2019英飛凌電源管理研討會(huì)在深圳盛大開(kāi)幕，英飛凌電源管理與多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源就全球半導(dǎo)市場(chǎng)和功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)應(yīng)用熱點(diǎn)給出了精彩的分析。
2019-07-25 17:04:37
8858 Hanebeck表示，“GaN技術(shù)為更節(jié)能、更節(jié)約二氧化碳的脫碳解決方案鋪平了道路。在移動(dòng)充電、數(shù)據(jù)中心電源、住宅太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車車載充電器等應(yīng)用領(lǐng)域的采用正處于轉(zhuǎn)折點(diǎn)，這將導(dǎo)致市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)增長(zhǎng)。” 為什么是GaN Systems？ 官網(wǎng)信息顯示，作為一家GaN功率半導(dǎo)體廠商
2023-03-06 07:57:001582 Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。
2013-04-19 09:08:311795 GaN-on-Si技術(shù)可用來(lái)降低LED及功率元件的成本，將有助固態(tài)照明、電源供應(yīng)器，甚至是太陽(yáng)能板及電動(dòng)車的發(fā)展.
2013-09-12 09:33:291401 最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請(qǐng)了安川電機(jī)，針對(duì)采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功率調(diào)節(jié)器，介紹有關(guān)技術(shù)和取得的效果。
2013-09-22 10:35:411447 
根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際整流器(International Rectifier;IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。
2015-09-14 09:08:201144 。 納微半導(dǎo)體于2014年成立，并憑借其面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的高集成度的GaN功率芯片產(chǎn)品在市場(chǎng)上快速建立起知名度。由于基于GaN功率器件的前景可期，此前已吸引許多公司進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)，EPC、GaN系統(tǒng)、英飛凌、松下和Transphorm，（包括中國(guó)的英諾賽科）已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，Dialog、恩智浦、安
2019-03-01 17:43:535933 10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30189 
包括國(guó)內(nèi)企業(yè)在內(nèi)的OLED產(chǎn)能的確在提高，但具體到折疊屏手機(jī)的熱潮或許還為時(shí)尚早。
2019-02-18 07:48:001364 Transphorm驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦，這進(jìn)一步印證了GaN用于電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 15:56:28789 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率
2021-05-21 14:57:182257 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對(duì)功率GaN公司GaN Systems的收購(gòu)，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購(gòu)，這筆收購(gòu)的價(jià)值甚至比2022年整個(gè)功率
2023-11-10 00:24:001758 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）充電樁市場(chǎng)隨著高壓直流快充的推廣，在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導(dǎo)體的GaN，由于在高頻應(yīng)用上的優(yōu)勢(shì)，一些廠商也在推動(dòng)GaN進(jìn)入到
2024-02-21 09:19:283852 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號(hào)角。目前，從晶體管來(lái)看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001844 如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
）的輸入電壓較高的電流密度，使得GaN組件在不降低功率的情況下設(shè)計(jì)得更緊湊快速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻（200KHz及以上）電機(jī)運(yùn)行高頻操作，限制輸出電流波動(dòng)，減小濾波器元件尺寸降低開(kāi)關(guān)功耗，限制功率損失，提供
2019-07-16 00:27:49
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路技術(shù):過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
（MOSFET）是在20世紀(jì)70年代末開(kāi)發(fā)的，但直到20世紀(jì)90年代初，JEDEC才制定了標(biāo)準(zhǔn)。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認(rèn)證對(duì)GaN晶體管而言意味著什么。 標(biāo)準(zhǔn)滯后于技術(shù)的采用，但標(biāo)準(zhǔn)無(wú)需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
柵極電荷，它可以使用高開(kāi)關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個(gè)后進(jìn)者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢(shì)的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
D功放的音質(zhì)也將得到有效的提升。
針對(duì)目前主流的GaN Class D應(yīng)用，三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件，同時(shí)采用自主設(shè)計(jì)的半橋電路測(cè)試平臺(tái)對(duì)200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
就是增加電壓，這讓氮化鎵晶體管技術(shù)極具吸引力。如果我們對(duì)比不同半導(dǎo)體工藝技術(shù)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)功率通常會(huì)如何隨著高工作電壓IC技術(shù)而提高。硅鍺(SiGe)技術(shù)采用相對(duì)較低的工作電壓（2 V至3 V），但其集成
2018-10-17 10:35:37
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
UMS正在開(kāi)發(fā)用于空間應(yīng)用的系列產(chǎn)品。新型CHA6710-FAB是采用密封金屬陶瓷封裝的GaN 5W X波段（8至12.75GHz）中功率放大器。 CHA6710-FAB的PAE（功率附加
2020-07-07 08:50:16
功率密度射頻應(yīng)用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直徑可達(dá)6 英寸。GaN-on-Si 合并的熱學(xué)性能則低得多，并且具有較高的射頻損耗，但成本也低很多。這就是GaN
2019-08-01 07:24:28
圖所示。安裝MCU的LED電路圖 *很顯然，使用MCU的電路要復(fù)雜得多，而且設(shè)計(jì)電路還要花費(fèi)精力與財(cái)力。好象使用MCU并沒(méi)有什么優(yōu)點(diǎn)。但是，現(xiàn)在下結(jié)論還為時(shí)尚早。如果我們讓這個(gè)電路做一些比較復(fù)雜的操作，會(huì)怎么樣呢。例如：如果希望LED在按下開(kāi)關(guān)后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間再點(diǎn)亮或熄滅，那么，對(duì)于安裝有
2021-11-01 06:43:30
的電路如下圖所示。 * 安裝MCU的LED電路圖 * 很顯然，使用MCU的電路要復(fù)雜得多，而且設(shè)計(jì)電路還要花費(fèi)精力與財(cái)力。好象使用MCU并沒(méi)有什么優(yōu)點(diǎn)。但是，現(xiàn)在下結(jié)論還為時(shí)尚早。 如果我們讓這個(gè)電路做
2021-01-28 17:04:36
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaN單級(jí)解決方案——采用TPS53632G 無(wú)驅(qū)動(dòng)器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級(jí)（驅(qū)動(dòng)器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開(kāi)關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開(kāi)關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō)，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案，解決設(shè)計(jì)過(guò)程的風(fēng)險(xiǎn)。
2020-10-28 06:59:27
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來(lái)說(shuō)，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
現(xiàn)在我只有一點(diǎn)C語(yǔ)言的基礎(chǔ)，一點(diǎn)51單片機(jī)的基礎(chǔ)。學(xué)習(xí)ARM會(huì)不會(huì)為時(shí)尚早？還要哪些準(zhǔn)備嗎？
2012-09-13 09:09:31
消散。已經(jīng)采用了幾個(gè)器件設(shè)計(jì)技巧（電場(chǎng)板）來(lái)減少大多數(shù)靈敏GaN FET區(qū)域中的電場(chǎng)強(qiáng)度。電場(chǎng)板已經(jīng)表現(xiàn)出能夠最大限度地減小RF GaN FET和開(kāi)關(guān)功率GaN FET中的這種影響。GaN是一種壓電
2019-07-12 12:56:17
（ESC）及無(wú)線遙控（RC）結(jié)合使用。第三部分就是完整的電機(jī)控制，演示板提供了矢量定位算法（FOC），使電機(jī)運(yùn)行更加平穩(wěn)順暢。關(guān)于英飛凌無(wú)人機(jī)方案的更多特點(diǎn)，詳見(jiàn)下圖： 全新功率開(kāi)關(guān)技術(shù) 硅基GaN技術(shù)
2018-10-09 10:08:42
以及免執(zhí)照5GHz頻譜的使用等。 這些短期和中期擴(kuò)容技術(shù)以及最終的5G網(wǎng)絡(luò)將要求采用能提供更高功率輸出和功效且支持寬帶運(yùn)行和高頻頻段的基站功率放大器 (PA)。 GaN on SiC的前景 歷史上
2018-12-05 15:18:26
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
今天的博文是一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目：你將用一個(gè)氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)、一個(gè)Hercules? 微控制器和一個(gè)滾輪來(lái)調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會(huì)談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設(shè)備充上電，我們馬上開(kāi)始。你
2022-11-17 06:56:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
伴隨著更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而導(dǎo)致更高的功率密度。但熱管理和寄生效應(yīng)無(wú)法縮放!在更小的體積中集中更多的功率為散熱和封裝帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。較小的模面面積限制了傳統(tǒng)封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景
2018-11-20 10:56:25
半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管和氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET））的功率電平的日益增加，當(dāng)安裝在精心設(shè)計(jì)的放大器電路中時(shí)，它們也將受到連接器等元件甚至印刷電路板（PCB）材料的功率處理能力的限制。了解組成大功率元件或系統(tǒng)的不同部件的限制有助于回答這個(gè)長(zhǎng)久以來(lái)的問(wèn)題。
2019-06-21 08:03:27
穩(wěn)定的化合物，具有強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是最高的、化學(xué)穩(wěn)定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強(qiáng)抗輻照能力，同時(shí)GaN又是高熔點(diǎn)材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
的使用前景。 GaN大功率的輸出都是采用增加管芯總柵寬的方法來(lái)提高器件的功率輸出，這樣使得管芯輸入、輸出阻抗變得很低，引入線及管殼寄生參數(shù)對(duì)性能的影響很大，一致直接采用管殼外的匹配方法無(wú)法得到大的功率輸出
2017-06-16 10:37:22
個(gè)好的解決方案。 LXI聯(lián)盟正在積極致力于“資源管理”，但我認(rèn)為現(xiàn)在判斷它將如何發(fā)展還為時(shí)尚早.Brian PowellLabVIEW R＆amp; D>有誰(shuí)知道，如果我運(yùn)行兩個(gè)獨(dú)立的Vee程序
2019-10-16 16:44:15
、溫度和開(kāi)關(guān)頻率，而且功率損耗要比硅晶體管低得多，集成GaN HEMT和驅(qū)動(dòng)逆變器的高功率密度電動(dòng)機(jī)的商業(yè)應(yīng)用也正在推動(dòng)更多新技術(shù)的發(fā)展。GaN HEMT逆變器采用了新一代陶瓷電容器，它能夠承受高壓
2019-07-16 20:43:13
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 電子發(fā)燒友網(wǎng)【編譯/Triquinne】:3D打印技術(shù)現(xiàn)在是眾所熟知的事物。不過(guò)，3D打印技術(shù)在醫(yī)療APP現(xiàn)狀如何？是否已經(jīng)搶奪市場(chǎng)先機(jī)?專家分析：為時(shí)尚早!
2012-12-07 16:25:211743 2015年3月20日，德國(guó)慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式（增強(qiáng)型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。
2015-03-20 14:08:391729 松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測(cè)試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 
GaN材料研究與應(yīng)用和運(yùn)用前景
2017-09-14 17:18:42
12 借助AI大數(shù)據(jù)的應(yīng)用彩電業(yè)將逐漸步入后智能化時(shí)代，AI能否接過(guò)智能化大棒，我們還尚無(wú)依據(jù)，一是市場(chǎng)大幅下滑，二是彩電的更換周期較長(zhǎng)。所以說(shuō)AI支撐彩電業(yè)下一輪爆發(fā)還為時(shí)尚早。
2018-01-19 16:56:58762 2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬(wàn)美元，研究機(jī)構(gòu)Yole Développemen研究顯示預(yù)計(jì)到2022年該市場(chǎng)將成長(zhǎng)到4.6億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)79%。
2018-05-22 17:02:218234 
對(duì)于絕大部分趨之若鶩的新選手而言，要取得一定的成績(jī)還有很長(zhǎng)的路要走，現(xiàn)在要判定哪些公司在做事，哪些公司在造假還為時(shí)尚早。
2018-09-12 15:06:215452 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場(chǎng)、產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)特性方面的信息，以及英飛凌相關(guān)業(yè)務(wù)和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。
2018-12-06 18:06:214652 本次會(huì)議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù)，推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用（包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合）。
2019-01-09 07:26:003102 
本次會(huì)議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù)，推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用（包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合）。
2019-01-09 06:46:003031 
GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類產(chǎn)品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長(zhǎng)，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:307150 
說(shuō)取代醫(yī)生為時(shí)尚早，但AI已為顛覆醫(yī)療業(yè)埋下伏筆，今年4月舉辦的2019國(guó)際醫(yī)學(xué)人工智能論壇上，海軍軍醫(yī)大學(xué)長(zhǎng)征醫(yī)院影像醫(yī)學(xué)與核醫(yī)學(xué)科主任劉士遠(yuǎn)說(shuō)：“我們影像上面最大的隱患就是漏診，一旦漏掉，過(guò)幾個(gè)月發(fā)現(xiàn)轉(zhuǎn)移了、晚期了，這時(shí)候病人看原來(lái)沒(méi)有發(fā)現(xiàn)，這就是一個(gè)巨大的醫(yī)療隱患，甚至有走上法庭的可能”。
2019-07-02 15:31:34280 比特幣硬盤 BHD 集 PoS 與 PoW 的優(yōu)點(diǎn)于一身，能否帶來(lái)真正的“去中心”，現(xiàn)在下結(jié)論還為時(shí)尚早，仍需時(shí)間檢驗(yàn)。
2019-07-15 09:28:321428 像Google Clip這樣的AI攝像頭得到了褒貶不一的評(píng)價(jià)，但是對(duì)于這項(xiàng)技術(shù)下結(jié)論還為時(shí)尚早。
2019-08-08 11:13:463597 在軍事應(yīng)用中，隨著政府的投資并透過(guò)取代TWT的系統(tǒng)來(lái)改善國(guó)家安全，國(guó)防將仍然是GaN RF功率元件市場(chǎng)的主要推手之一。
2020-09-25 16:29:221918 載人自動(dòng)駕駛飛行器的確有很大的想象空間，但是載人飛行商業(yè)化依舊為時(shí)尚早。
2020-12-09 15:03:581522 英飛凌功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用說(shuō)明。
2021-05-19 16:00:5338 雷達(dá)系統(tǒng)中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業(yè)服務(wù)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備和國(guó)防軍事用途的電路和系統(tǒng)中的各種應(yīng)用。它們都通過(guò)寬帶gap?GaN半導(dǎo)體材料的作用，在小封裝中產(chǎn)生高功率密度和高輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14395 的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計(jì)人員越來(lái)越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
2023-01-30 14:17:44556 您可以通過(guò)多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無(wú)源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
為時(shí)尚早
2023-05-24 14:30:36301 
功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻，以應(yīng)對(duì)較高的功率需求，并保證能量傳輸?shù)男省＠纾?b class="flag-6" style="color: red">功率晶體管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141019 交割日，GaN Systems現(xiàn)已成為英飛凌的一部分。 英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術(shù)為支持脫碳的更節(jié)能、更節(jié)能的二氧化碳解決方案鋪平了道路。收購(gòu)GaN Systems顯著加快了我們的GaN路線圖，并通過(guò)掌握所有相關(guān)功率半導(dǎo)體技術(shù)，進(jìn)一步加強(qiáng)了英飛凌在電源系統(tǒng)
2023-10-25 14:51:13479 渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專家和超過(guò) 350 個(gè)氮化鎵技術(shù)專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52206 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
近日，英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X 充電樁。
2024-01-19 10:23:04562 
近期，英飛凌科技公司宣布與安克創(chuàng)新和盛弘電氣兩大知名廠商達(dá)成合作，共同推動(dòng)SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用。這些合作將進(jìn)一步提升功率半導(dǎo)體器件的效率和性能，為行業(yè)帶來(lái)更多的創(chuàng)新和價(jià)值。
2024-02-02 15:06:34304 英飛凌現(xiàn)已通過(guò)下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機(jī)構(gòu)涉嫌侵犯有關(guān)GaN技術(shù)的美國(guó)專利，尋求永久禁令。
2024-03-15 09:56:04367
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