Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布業內首款包含可變電阻和內置旋鈕開關的新型面板式電位計---P16S
2012-06-04 13:56:27
1028 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 日前，Vishay Intertechnology為滿足爆破的苛刻要求，推出新型大尺寸電爆破點火片式 （MEPIC） 電阻，通過焦耳效應或閃光點火，使點火時間縮短到250μs以下。器件基于汽車行業
2013-02-25 13:50:51729 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 電源管理系統要實現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道
2022-06-28 11:01:01750 
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
Ω@VGS=2..5V-極低導通電阻RDS（開）-低CRSS-快速切換-100%雪崩測試-提高dv/dt能力。應用：PWM應用,負載開關,電源管理。售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術支持
2021-03-30 14:22:40
海飛樂技術20V MOSFET場效應管現貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開關用
2020-03-03 17:36:16
在20V電壓之間利用電阻分壓的方法通過STM32可以測得電壓，現在需要通過STM32來控制測得電壓的值，例如通過STM32來控制數字電位器來改變電阻值。從而改變測得的電壓值，但是20V電壓太大，數字電位器沒法用，求大神指點更好的方法。
2015-07-26 09:58:10
20V轉5V，20V轉3.3V，20V轉3V，20V轉1.8V，20V轉5V降壓芯片，20V轉3.3V降壓芯片，20V轉3V降壓芯片，20V轉1.8V。 20V我們常常需要轉3.3V或者5V輸出穩壓
2020-10-15 17:10:55
。問題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅動通用驅動電壓的功率MOSFET，有什么問題？問題分析：檢查數據表中不同的VGS的導通電阻，發現對應的導通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時系統的效率降低。極端情況下在低溫的時候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開通。
2016-12-21 11:39:07
汽車級電阻，節省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
芯片級維修資料分享（一）關于臺式機主板維修分享
2019-08-28 14:47:21
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到
2018-12-05 10:00:15
FP6102 20V、3A降壓開關調節器芯片
一般說明
FP6102是一種用于廣泛工作電壓應用領域的降壓開關調節器。FP6102包括高電流P-MOSFET，用于將輸出電壓與反饋放大器進行比較
2023-09-19 14:36:57
20V。該芯片集成了兩個低導通電阻的功率MOSFET：一個11m?開關FET和一個13m?整流器FET，使用具有集成斜坡補償功能的固定頻率峰值電流模式控制。HT7178 PFM,PWM兩種模式可選
2018-05-28 11:31:45
AUIRF8736M2與上一代設備相比，導通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導損耗降到最低。 性能特點： ●COOLiRFET硅技術 ●實現傳導損耗最低 ●系統尺寸減小 ●成本降低 ●采用
2018-09-28 15:57:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
的輸入信號兼容 CMOS 和 LSTTL 電平，最低可到 3.3V。輸出級可以提供較高的峰值電流驅動，讓交叉導通時間減到最小。輸出級的傳輸延時做了匹配，簡化了在高頻場合中的應用。LN4318 內置了
2021-06-30 10:07:13
，鍺和硅之分，導通飽和時，CE間也是導通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時導通，可有-20—+20V柵極電壓，根據極性，有N溝道，P溝道，增強型，耗盡型，還有結型等之分，導通后，源極漏極
2012-07-05 10:50:09
，鍺和硅之分，導通飽和時，CE間也是導通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時導通，可有-20—+20V柵極電壓，根據極性，有N溝道，P溝道，增強型，耗盡型，還有結型等之分，導通后，源極漏極
2012-07-05 12:14:01
，鍺和硅之分，導通飽和時，CE間也是導通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時導通，可有-20—+20V柵極電壓，根據極性，有N溝道，P溝道，增強型，耗盡型，還有結型等之分，導通后，源極漏極
2012-07-06 17:22:53
，鍺和硅之分，導通飽和時，CE間也是導通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時導通，可有-20—+20V柵極電壓，根據極性，有N溝道，P溝道，增強型，耗盡型，還有結型等之分，導通后，源極漏極
2012-07-09 17:37:38
電路如下：MOS管IRF740，Vgs為20V，當電源電壓為0V時，測量到MOS管的導通電阻為0.6Ω；當有電源電壓輸入時（從20V慢慢調整至70V）,電阻R兩端電壓一直為16V，MOS管的管壓降
2015-06-25 17:19:50
`品牌：NCE新潔能型號：NCE3416封裝：SOT23-6批號：批號FET類型：N溝道漏源電壓（Vdss）：20V漏極電流(Id)：6.5A漏源導通電阻(RDS On)：16柵源電壓(Vgs
2021-07-21 16:14:39
了導通電阻和優值的行業新標桿 圖3：并聯在一個功率模塊內的OptiMOS 3 150 V芯片，在13％負載循環條件下的開關波形。左側：顯示導通和關斷的整個脈波（200A/div、20V/div、4μs
2018-12-07 10:21:41
有助于在應用程序中節省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅動；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
更小。這些可根據要求和目的來具體區分使用。－ 也就是說可根據處理的功率選用更小的封裝。是的。ROHM的SJ MOSFET相對元件尺寸的導通電阻非常小，因此就能以采用小型SOP8封裝的芯片尺寸，實現4
2019-04-29 01:41:22
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內提供與之相同的導通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時具備更高的電流密度和更低的導通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移層實現高耐壓。 因此，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。 例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同
2019-05-07 06:21:55
一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
狀態之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
技術：MOSFET（金屬氧化物） 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：44A（Tc） 驅動電壓：10V 不同 Id、Vgs 時導通電阻：4.7 毫歐 、 20A，10V 不同 Id 時 Vgs
2021-01-13 17:46:43
示Hybrid MOS與SJ MOSFET的導通電阻Ron的詳細溫度特性。SJ MOSFET在高溫時，相對于ID的VDS、即Ron顯著增加。所以，當周圍溫度高時不必言說，當ID增加時可能會產生發熱增加、芯片溫度
2018-11-28 14:25:36
如圖，VB接到10~20V,當內部信號拉高HO，HO的電壓等于VB的電壓，VS=0，Vgs=HO-VS=10~20V,所以此時MOSFET導通，VS的電壓等于HV.HV是高電壓，我們設定為30V.這
2020-12-27 16:55:32
光通信應用經常需要從+3.3V的輸入電源升壓得到一組正負電壓，比如+/-20V，常見的做法是用兩顆芯片分別去產生+20V和-20V輸出，這種方案體積會比較大，對面積敏感的應用無法滿足要求。本文在TI
2022-11-10 06:14:27
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電阻
2023-02-27 10:02:15
對于單顆的芯片，目的驗證其從封裝完成，經過儲存、運輸直到焊接到系統板之前的靜電防護水平，建議采用芯片級的測試方式，測試電壓通常在2000V左右。對于系統板和整機，為驗證其抗干擾的能力，建議用靜電槍測試，接觸式放電8KV，空氣放電15KV.
2022-09-19 09:57:03
的元件中，難于實現低導通電阻及將開關應用的能耗降至最低。為了實現這些參數的高質量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷。 移動設備用MOSFET的微型化 通常情況下，有多種
2018-09-29 16:50:56
FDC6324L是一款集成負載開關 是使用ON生產的半導體專有的高單元密度DMOS技術。這種非常高密度的工藝特別適合于將導通電阻降至最低，并提供優越的開關性能 這些設備特別適用于需要低導通損耗和簡單
2021-11-27 12:14:08
”這個參數的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
求一款DCDC芯片，要求輸入電壓最低5V 最高20V以上的降壓型，頻率在500K以上，效率在95以上
2022-04-18 13:50:12
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
的效率，更重要的是，優異的EMI性能。這是我們的Power by Linear ?單片靜音開關2降壓調節器可滿足先進SoC功率預算同時滿足SoC尺寸和熱約束的地方。用于SoC的20V輸入的20A解決方案該
2018-12-26 09:17:59
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
計算機芯片級維修中心（芯片級維修培訓教材）
2009-04-05 01:17:54
SRAM中晶圓級芯片級封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
平面式高壓MOSFET的結構圖1顯示了一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低
2018-10-17 16:43:26
的矛盾。 即便如此，高壓MOSFET在額定結溫下的導通電阻產生的導通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電壓很高，耐壓800V以上的導通電壓高得驚人，導
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來進行說明。SJ-MOSFET的種類以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據噪聲、導通電阻、高速性及獨有結構等進行分類的。首先
2018-12-03 14:27:05
20V N-溝道增強型MOSFET
20V N-溝道增強型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強型MOSFET管
20V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強型MOSFET管
20V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:471179 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將其MCW 0406 AT Precision系列寬端子薄膜片式電阻的歐姆值擴展至1?，是業內采用小尺寸0406封裝的器件中阻值最低的。
2013-02-19 11:23:231244 Vishay發布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內工作，具有低至20m?的導通電阻、低靜態電流， 導通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581089 年度Top-10電源產品獎。Si7655DN是業內首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 應用，把高效同步DC/DC降壓轉換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進小尺寸5mm x 6mm封裝里，比使用分立MOSFET的方案節省空間，低邊MOSFET的最大導通電阻低至6.4mΩ。
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創新獎之電源器件和模塊類最佳產品獎。
2013-12-20 09:10:031307 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節省空間，并簡化高效同步降壓轉換器的設計。
2014-02-10 15:16:51890 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 Vishay宣布，推出業內首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171004 了高效率的解決方案。這顆器件具有業內最低的優值系數 （FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積），該參數是600V MOSFET在功率轉換應用的關鍵指標。
2017-02-10 15:10:111667 M2105-雙路20v MOSFET驅動器芯片相關資料
2018-04-08 17:49:5863 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 新的芯片級MICRO FOOT P溝道Si8457DB在1.8V柵極驅動下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET當中最低的導通電阻，也是唯一VGS 達到±8V的此類器件，為鋰離子電池供電的應用提供了額外的安全裕量。
2018-08-28 09:10:001047 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01308 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設備中的負載切換，包括智能手機、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動計算設備。在
2019-01-01 16:29:01380 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728 ，溫度及其高，不利于電路的穩定和工作。注意 20V 輸入時，在通電和接上電時，會產生輸入尖峰電壓，一般是 0.5V 倍-3 倍左右，所以我們需要選擇輸入電壓范圍更寬的
2020-10-12 08:00:007 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導通電阻低至 0.95 mΩ，優異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 NP3416EMR(20V N溝道增強模MOSFET)
2022-07-18 17:16:07774 
NP3416BEMR(20V N溝道增強模MOSFET)
2022-07-19 09:07:17774 
NP2302MR(20V N溝道增強模MOSFET)
2022-07-20 09:09:43828 
。“導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
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