瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅動應用,包括冰箱和空調的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19999 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產品系列,專為提升系統效率及易于使用所設計,補足了專注提供頂尖效能(CoolMOS CP)及強調使用方便性(如 CoolMOS C6 或 E6)兩者之間的技術區間。
2012-11-13 08:54:331678 前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款通過AEC-Q101認證并具有ESD保護的600V標準整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對于空間有限的應用,新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:461051 近日,德州儀器 (TI) 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111114 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。
2020-12-24 15:08:34802 Vishay 宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 產品線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:50712 描述這款簡單的隔離型反激式設計可在 200mA 的條件下將 50V 至 600V 的輸入電壓轉換成 15V。LM5021-1 控制器因其脈沖跳躍模式而適用于綠色環保模式轉換器。由于脈沖跳躍模式的最大
2018-12-14 15:37:05
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關電源600V/3A。整流后經四個大容,四個場效應管組成的對管,后經變壓器,再經整流。開電沒問題。只要工作就燒開關管,大功率場效應管,兩個對管。問問是怎么回事,會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個項目,直流輸出有600V,輸出與控制板完全隔離,現在我想通過電阻分壓的方式對其進行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的,所以分壓電路設計上難把握。請問板上大聲有沒有有經驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
`Vishay SMBJxxD系列TVS采用小巧的封裝并具有±3.5%容差,且可以單向使用。 SMBJxxD具有600W峰值脈沖功率能力,波形為10 /1000μs,重復率(占空比):0.01
2019-09-07 11:48:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
部分的快速電壓瞬變干擾。Vishay推出的 VO3120是光隔離IGBT/MOSFET驅動器,驅動能力達1200V /50A,傳播延遲小于400ns,1500V電壓下抗共摸干擾 (CMTI)為25kV
2010-09-08 15:49:48
600V? 內置雙路 0.6Ω 100V MOSFET? 兼容 3.3V/5V 輸入 PWM 信號? 兼容 10kHz 以下的 PWM 信號調色? 低待機功耗? 采用 SOP8 封裝應用? LED 調光調色智能燈泡? 其他 LED 智能照明
2020-09-26 11:24:52
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性,并已擴展為系列化產品,現已發展到
2018-12-05 10:00:15
FAN7391MX是一款單片高側和低側柵極驅動 IC,可驅動工作在高達 +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級,所有 NMOS 晶體管設計用于實現高脈沖電流驅動
2022-01-18 10:43:31
解決方案ON MR16 NCL30100 方案Features:input:DC:12V. output:6.5V,1A , NO E-CAP 1.Quasi-Fixed OFF Time, Peak
2015-04-23 11:48:26
GTO一般最高只能做到幾百Hz,但功率較大,已達到3000A、4500V的容量。GTR目前其額定值已達1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達+600V,IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調器逆變器以及馬達控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D:保護式600V三相柵極驅動器
2016-06-21 18:26:25
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲等特征,并已擴展為系列化產品,現已發展到第二代。非常
2018-12-04 10:17:20
、LDO以及MOSFET等豐富的外設,規劃的電壓范圍有20V、60V、200V以及600V,產品豐富且應用涵蓋廣泛。靈
2021-11-26 08:30:57
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達600V耐負瞬態電壓,dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
的小型化。 另外,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動,從而也可以實現無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動,從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小(可實現小型封裝),而且體
2019-04-09 04:58:00
,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動,從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小(可實現小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55
為了保證Kelvin阻值測量的精度,需要考慮哪幾項重要的因素?精確測量功率MOSFET的導通電阻解析
2021-04-14 06:06:38
:1.MP2100B2.AQ6370B3.N9020A/26.5G4.E5071C/4855.E4438C/6G6.E4412A7.E4418A主要特色:電壓輸出范圍: 0 ~150V/600V/1000V
2020-08-13 10:44:42
實現功率連接,另一個用于實現驅動器連接。這樣一來,器件就能保持快的開關速度,同時又不必犧牲接通和關斷控制能力。 本文編排如下:在第二節,將利用硬開關升壓轉換器來分析并開發一個簡單的高頻模型,該模型采用
2018-10-08 15:19:33
各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側600V降壓到300v,升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側輸入的電壓,請問有懂這個的能說一下能實現升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:47
BT136 600E,說是一樣的,可以直接代換,我回到家上網一查:BTA08-600B 電流:IT(RMS) = 8A ;耐壓:VDRM = 600V;而 BT136 600E 電流:IT(RMS
2015-05-20 07:27:22
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設計,配有高端和低端驅動器,可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
實現了精度、速度與通用性的完美結合,適用于各種元件測量。無論是低阻抗范圍還是高阻抗范圍,E4980AL 均能提供極快的測量速度和出色的測量性能,是元件和材料的常規研發測試及制造過程測試的理想工具。
2020-05-22 15:33:03
加深理解,最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表。【標準SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的應用。在介紹最新溝槽柵場終止技術的背景后,本文探討如何充分利用IGBT靜態與動態性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:2788 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技術
日前,Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢,可降低設
2009-06-23 21:17:44594 Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技(EDOM Technology)代理的Qspeed半導體今日宣布推出H系列組件,協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰,同時也提
2009-11-11 10:49:22774 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰, Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數校正器(PFC
2009-12-31 10:03:11953 600V MOSFET繼續擴展Super Junction FET技術
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 Vishay推出4款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出汽車驅動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機驅動、微型逆變器驅動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411349 IR上市600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC
美國國際整流器公司(IR)上市了+600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43782 在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌科技600V逆導型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現最高達96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13744 Vishay Intertechnology宣布,發布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121028 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46847 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通
2012-05-03 17:29:421433 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,這些經過優化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業電機和焊接應用。
2013-02-19 10:58:47995 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術,導通電阻低至30m?、電流達6A~105A,在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 Vishay發布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421270 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗,旨在為焊接應用做出優化。
2014-08-19 16:31:532356 里首款MOSFET--- SiHx25N50E,該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:191468 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器,可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發,表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS,無鹵素,無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E
2016-07-18 16:19:591555 阻---WSK1216。Vishay Dale WSK1216采用Kelvin 4接頭連接,能有效提高測量精度,同時其0.001Ω的極低電阻使功率損耗最小化,能提高最終產品的效率。
2016-11-23 16:48:111697 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓,高速半橋預潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側和低側的輸入,以及具有內部死區時間的兩個輸出通道,以避免交叉傳導。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側通道可驅動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3756 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅 動 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時間,旨在避免出現意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 在高溫下,溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的,在接近最高結溫時,溫度系數會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 介紹了開爾文(Kelvin)四線連接方式測試電阻的原理,針對復雜電阻網絡提出電阻隔離測試技術。分析了采用全開爾
2021-04-21 10:24:1313604 的鑿尖設計能夠在設備焊接點上實現更緊密的中心,低至 0.25 毫米。 Kelvin測試是一種通過高分辨率測量來確定電阻的有限變化的方法。開爾文探針通過與載流元件或測試選點的精密電接觸,可消除或大大降低接觸電阻的影響,從而實現更精確的測量。這在處理用于大電流測試的低
2021-11-18 16:00:44744 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Vishay Intertechnology, Inc.(紐約證券交易所代碼:VSH)??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142011 220V交流轉600V直流,沒有380的可以這樣接直流母線上
2022-06-06 10:07:2919 Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器,額定電壓和類別電壓分別提升至 570V 和 475V。 器件面向太陽能
2022-08-19 09:32:27720 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性,能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11944 (NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:241100 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降 60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數(FOM)創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 AN-9085 智能電源模塊,600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341 600V SPM? 2 系列熱性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:030 關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21561 600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優化內置...
2023-02-08 13:43:21869 超級結MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲等特征,并已擴展為系列化產品,現已發展到第二代。
2023-02-10 09:41:06555 超級結MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性,并已擴展為系列化產品,現已發展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578 優越的電氣參數,呈現出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs,以拓展LowVF系列和LowTrr的產品線;此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180 Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243
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