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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實現更好的性能

Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實現更好的性能

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阻---WSK1216。Vishay Dale WSK1216采用Kelvin 4接頭連接,能有效提高測量精度,同時其0.001Ω的極低電阻使功率損耗最小化,能提高最終產品的效率。
2016-11-23 16:48:111697

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667

600V半橋預驅動器BP6903A

高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233

bp6904a 600V半橋預驅動器

高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346

bp6901a/bp6908a,600V半橋預驅動器

描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓,高速半橋預潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側和低側的輸入,以及具有內部死區時間的兩個輸出通道,以避免交叉傳導。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側通道可驅動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V
2017-11-23 14:13:3756

600V三相MOSFET/IGBT驅動器MIC4609的詳細中文數據手冊免費下載

MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅 動 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時間,旨在避免出現意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011

Vishay推出快速體二極管MOSFET-SiHH070N60EF,提供高效解決方案

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692

MOSFET的關鍵指標

在高溫下,溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的,在接近最高結溫時,溫度系數會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET
2021-03-11 09:50:583725

簡述Kelvin四線連接電阻測試技術及應用

介紹了開爾文(Kelvin)四線連接方式測試電阻的原理,針對復雜電阻網絡提出電阻隔離測試技術。分析了采用全開爾
2021-04-21 10:24:1313604

Kelvin探針為標準陣列和晶圓級設備的量產測試提供一流性能

的鑿尖設計能夠在設備焊接點上實現更緊密的中心,低至 0.25 毫米。 Kelvin測試是一種通過高分辨率測量來確定電阻的有限變化的方法。開爾文探針通過與載流元件或測試選點的精密電接觸,可消除或大大降低接觸電阻的影響,從而實現更精確的測量。這在處理用于大電流測試的低
2021-11-18 16:00:44744

Vishay推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341

Vishay推第四代600 VE系列MOSFET器件 高通驍龍數字底盤助力汽車發展

Vishay Intertechnology, Inc.(紐約證券交易所代碼:VSH)??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142011

220V交流轉600V直流電路

220V交流轉600V直流,沒有380的可以這樣接直流母線上
2022-06-06 10:07:2919

Vishay推出新系列卡扣式功率鋁電容器

Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器,額定電壓和類別電壓分別提升至 570V 和 475V。 器件面向太陽能
2022-08-19 09:32:27720

Vishay推出四款新型TO-244封裝第5代FRED Pt 600V Ultrafast整流器

Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性,能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11944

Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速體二極管MOSFET,其RDS(ON)*Qg FOM創業界新低

(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375

Vishay推出新型FRED Pt第五代 600V Hyperfast 恢復整流器

Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:241100

Vishay推出封裝的新型第四代 600V EF系列快速體二極管MOSFET

Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降 60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數(FOM)創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817

AN-9085 智能電源模塊,600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南

AN-9085 智能電源模塊,600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341

600V SPM? 2 系列性能(通過安裝扭矩)

600V SPM? 2 系列性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:030

600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21561

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列:兼具業內出優異的降噪和低損耗特性

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優化內置...
2023-02-08 13:43:21869

KN系列:保持低噪聲性能并可高速開關

超級結MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲等特征,并已擴展為系列化產品,現已發展到第二代。
2023-02-10 09:41:06555

EN系列:保持低導通電阻與開關速度,改善噪聲性能

超級結MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性,并已擴展為系列化產品,現已發展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578

強茂推出優越電氣參數的600V功率FRED

優越的電氣參數,呈現出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs,以拓展LowVF系列和LowTrr的產品線;此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180

4A額定電流,Vishay汽車級Power DFN系列整流器

Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產品陣容又增新品

同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437

600V三相MOSFET/IGBT驅動器

電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500

羅姆ROHM開發出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243

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