在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。
2022-06-29 11:30:505045 SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優異的介電擊穿場強(擊穿場)和帶隙(能隙),分別是Si的10倍和3倍。此外,可以
2022-11-22 09:59:261373 IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40505 為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發,提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 科銳推出新型SiC功率模塊產品系列,為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業界領先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 中國上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903 進一步實現小型化。開關損耗大幅降低,可進一步提升大功率應用的效率ROHM利用獨有的內部結構并優化散熱設計開發出新型封裝,從而開發并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產品。由此,全SiC功率模塊在工業
2018-12-04 10:20:43
【譯者注】本文作者 Matt Watson 已經寫了超過 15 年的代碼,也由此總結出了提升 10 倍效率的三件事。Matt 表示,一個 10 倍效率的開發人員很快就知道了他們需要做什么,要問
2017-10-14 17:35:54
充電系統卻一直在研發中,今天我們就來了解一款全SiC功率器件的車載無線充電系統。今天介紹的這個研究是一款全SiC功率器件的車載無線充電系統,功率為50KW,載波頻率為85KHz,功率密度為9.5KW
2021-04-19 21:42:44
與IGBT相比,SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻,非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是,在實際應用中,工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外,幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅(SiC)MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展,性能有望進一步提升。從下一篇開始,將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點,但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。< 相關產品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此,在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的應用實例所謂SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關損耗運用要點柵極驅動 其1柵極驅動 其2
2018-11-27 16:38:39
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
通時產生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關速度與寄生電容下面通過與現有IGBT功率模塊進行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關的全SiC功率模塊的開關
2018-11-30 11:31:17
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-25 06:20:09
。例如,SiC功率模塊的尺寸可達到僅為Si的1/10左右。關于“高速工作”,通過提高開關頻率,變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實際上有能做到原有1/10左右的例子。“高溫工作”是指容許在
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此,在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
Dielectric Constant: εS11.89.712.89.5p. n Control○○○△Thermal Oxide○○××2. 功率器件的特征SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,因此與Si器件
2019-07-23 04:20:21
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-05-06 09:15:52
要的參數都非常優異。由于其絕緣擊穿場強比Si高約10倍,因此確保耐壓所需的膜的施主(donor)濃度高,膜厚可以做到很薄,從而可實現單位面積的電阻非常低的高耐壓產品。其效果是可實現高耐壓且高速開關性能優異
2018-12-03 15:12:02
LPC11C00宣傳頁:業界首款集成CAN收發器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點,根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018(第4賽季)”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季(第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
2018-11-27 16:37:30
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET,使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接,來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
%。 圖 1:模塊和系統電感及其對 MOSFET 關斷期間瞬態過電壓的影響 在40kHz以上,SiC MOSFET可能是最佳選擇,但給功率模塊和系統設計帶來了挑戰。快速開關會產生陡峭的電流斜率和高di
2023-02-20 16:29:54
與Si的比較開發背景SiC的優點SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構成開關損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
的開關電源電路相同。另外,SiC-SBD不產生短脈沖反向恢復現象,因此PWM控制無需擔心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率,還可實現小型化,這是全SiC功率模塊的巨大優勢。由
2018-12-04 10:14:32
全新CMSIS-NN神經網絡內核讓微控制器效率提升5倍
2021-03-15 06:55:09
cacheability的1.2倍(比全部在L2中多了EDMA啟動開銷)左右,感覺這個提升幅度有低。理想情況EDMA搬移數據到L2中計算,其效率應該是在開啟DDR2 cacheability的效率的幾倍?誰能解釋下這個沒有大幅的效率提升可能是什么原因。
2018-06-22 07:56:22
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
技術領域都擁有強大的優勢,雙方保持著技術交流并建立了合作關系。今后,通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術與Apex Microtechnology的模塊技術完美結合,雙方將能夠提供滿足市場需求的出色的功率系統解決方案,從而持續為工業設備的效率提升做出貢獻。
2023-03-29 15:06:13
。特別是對于負責進行通信管理的數據中心而言,其服務器的小型化和效率提升已經成為困擾各制造商的技術難題。在這種背景下,SiC功率器件因其有助于實現電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.
2023-03-02 14:24:46
項目名稱:全SiC MMC實驗平臺設計——功率子模塊驅動選型試用計劃:申請理由本人在電力電子領域有三年多的學習和開發經驗,曾設計過基于半橋級聯型拓撲的儲能系統,通過電力電子裝置實現電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
%提升到了97.3%。圖5功率損耗對比5、結論新的APS系統采用了最新的1.2kV全SiC功率模塊,憑借其低損耗、高工作溫度等特點,器件的開關頻率得以提高。在本設計中,作者考慮到了高開關頻率可以使濾波
2017-05-10 11:32:57
我國“新基建”的各主要領域中發揮重要作用。
一、 SiC的材料優勢
碳化硅(SiC)作為寬禁帶材料相較于硅(Si)具有很多優勢,如表1所示:3倍的禁帶寬度,有利于碳化硅器件工作在更高的溫度;10倍
2023-10-07 10:12:26
騰訊云存儲,正在形成面向未來的藍圖。在5月10日騰訊云存儲產品戰略發布會上,騰訊云一次性發布了業界首款十微秒級的極速型云硬盤、業界首款突破百GB 吞吐的文件存儲、以及業界首創能夠10倍提升...
2021-07-12 07:35:21
要充分認識 SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
電壓,從而成為可通過以往的分立結構很難實現的高精度來控制DC風扇電機旋轉速度的業界首款*電源IC。集成為IC后使控制進一步優化,不僅效率大幅提升,還可減少部件數量、提高開關速度,實現外圍元器件的小型化
2018-12-04 10:18:22
介紹了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二極管的100KHz,10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
望嘗試運行SiC元器件的各位、希望提高開發效率的各位使用我公司的評估板。請參考ROHM官網的“SiC支持頁面”。SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看< 相關產品信息 >SiC-MOSFETAC/DC轉換器全SiC功率模塊
2018-12-04 10:11:25
設計方面,SiC功率模塊被認為是關鍵使能技術。 為了提高功率密度,通常的做法是設計更高開關頻率的功率轉換器。 DC/DC 轉換器和應用簡介 在許多應用中,較高的開關頻率會導致濾波器更小,電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
模塊市場主要額定電流范圍100A~600A的全SiC模塊產品。利用這些模塊,可大幅提升普通同等額定電流IGBT模塊應用的效率,并可進一步實現小型化。封裝的內部電感值大幅降低電流額定較大的功率模塊中,封裝
2018-12-04 10:19:59
作為應用全SiC模塊的應用要點,本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎上,介紹使用專用柵極驅動器對開關特性的改善情況。全SiC模塊的驅動模式與基本結構這里會針對下述條件與電路結構,使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
德州儀器推出業界首款超低功耗 FRAM 微控制器開發人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開發人員帶來高達100倍的寫入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37
怎么實現基于業界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設計?
2021-06-15 09:14:03
2023年2月27日,中國上海 — 思特威(上海)電子科技股份有限公司,正式推出業界首顆5MP DSI-2技術全性能升級Pro系列安防應用圖像傳感器新品SC5336P。新品擁有3K級的清晰畫質,既是
2023-02-28 09:24:04
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-12 03:43:18
新品發布|業界首款!潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標準系統的智能硬件開發平臺HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
技(Synopsys, Inc.,納斯達克股票代碼:SNPS)隆重推出了業界首款全棧式AI驅動型EDA解決方案Synopsys.ai,覆蓋了先進數字與模擬芯片的設計、驗證、測試和制造環節。基于此,開發者第一次
2023-04-03 16:03:26
熱力學的基本規律揭示出沒有電子設備可以實現100%的效率——雖然開關電源比較接近(達到98%)。但不幸的是任何產生RF功率的器件目前都無法達到或者接近理想的性能,因為將直流功率轉換為射頻功率過程中
2019-07-31 08:13:39
雖然電動和混合動力電動汽車(EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢,高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
二極管(FRD:快速恢復二極管),能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化,并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化,而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
具有更高的熱性能和堅固性,以及高度可靠的環氧樹脂灌封技術。所有這些都導致: 優化內部低雜散電感和電弧鍵合?結構,顯著提升動態開關性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
數量的情況下所無法實現的。同時,DC/DC側的開關頻率高達150kHz至300kHz,比典型的硅實現方法快了3倍。 采用SiC MOSFET的6.6kW雙向轉換器適用于高效率和高功率密度車載充電
2023-02-27 14:28:47
的2倍,所以S使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優點,在相同的功率等級下,設備中功率器件的數量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小,同時效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
Fraunhofer ISE用ROHM SiC和柵極驅動器設備開發了一款10kW的三相UPS逆變器,如圖4所示。100kHz的高開關頻率導致輸出端的無源濾波器組件和輸入電容小,從而使輸出電容器和輸入
2019-10-25 10:01:08
DN369 - 業界首款四開關降壓-升壓型控制器采用單個電感器實現了極高的效率
2019-07-31 10:46:15
10mΩ(typ)的、SiC-SBD內置型全SiC功率模塊。下圖為與現有產品的關系示意圖。BSM180D12P3C007的開關損耗與IGBT模塊相比大幅降低,比ROHM現有的IGBT模塊產品也低42
2018-12-04 10:11:50
直流負載及相反)工作時的效率和穩定性。圖1. ADI公司IC生態系統驅動SiC/GaN功率開關需要設計一個完整的IC生態系統,這些IC經過精密調整,彼此配合。設計重點不再只是以開關為中心,必須加以擴大
2018-10-22 17:01:41
黎志遠_業界首款電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
全球最小單片機問世
——Microchip推出業界首款6引腳單片機
全球領先的單片機和模擬半導體供應商——Microchip Technology(美國微芯科技公
2009-07-06 09:02:001855 創新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創新的封裝技術,面向高電流DC/DC應用,推出5款目前業界首個采用封裝頂部散熱的標
2010-03-01 11:37:22828 業界首款可以在多天線無線基站中實現更高速度、性能和設計效率的四通道 DAC 問世-- 與雙通道器件相比,ADI 的1GSPS 四通道 DAC 的數據速率可以提高25%,PCB 占位面積可以減少20%
2010-04-28 17:15:51581 MXIM推出MAX12005,業界首款8 × 4衛星中頻開關IC可擴充到允許多達16個衛星信號。高度集成,MAX12005非常靈活,一個空間受限的范圍廣,如果分配和多路開關應用衛星的適應性。
2011-01-14 09:52:00536 Redpine Signals, Inc,近日宣布推出業界首款適用于M2M市場的集成式、低功率Wi-Fi模塊。該模塊有很多針對Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:11888 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業界首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產品。
2013-06-05 10:17:191224 日前,碳化硅(SiC)技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。
2015-09-06 17:39:111336 SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:311923 PKU4300D新系列1/16磚封裝DC/DC模塊可提供業界最高的功率和效率 對于ICT、電信和工業市場中的分布式和中間總線等應用,高級總線轉換器旨在替代部署在這些應用中的一系列終端用戶電路板
2018-04-07 22:18:007517 羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 DN369 - 業界首款四開關降壓-升壓型控制器采用單個電感器實現了極高的效率
2021-03-21 15:26:524 標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業界首款采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC。新IC可提供高達70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動巴士、卡車和各種工業電源應用。
2022-02-15 11:45:53958 Power Integrations今日發布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產品系列新添兩款符合AEC-Q100標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:121888 電機控制器是新能源汽車中電池電能轉換機械能的控制部分,功率控制模塊是電機控制器中核心電能轉換器件。據弗迪動力測算,SiC能夠提升電控系統中低負載的效率,整車續航里程增長5~10%;提升控制器功率密度, 由原18kW/L提升至45kW/L,有利于小型化;占比85%的高效區效率提高6%,中低負載區效率提高10%。
2022-11-08 15:40:482302 的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果: 開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化 (例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化) 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化 (例:電抗器或電容等的小型化)
2023-01-12 16:35:47489 的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果: 開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化 (例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化) 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化 (例:電抗器或電容等的小型化)
2023-02-07 16:48:23646 繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22673 ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊,提升新能源汽車加速度、續航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優勢
2023-03-15 17:22:551016 業界首款模擬信號10KV高隔離放大器變送器模塊.
2022-02-11 15:46:17480 點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254 除牽引逆變器外,輔助轉換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關頻率提升。開關頻率的增加通常允許減小無源元件(如變壓器、電感器或電容器)的尺寸。此外,較高的開關頻率可能允許使用不同的軟磁芯材料。它提供了提高效率和降低成本的潛力。
2023-10-15 11:40:03471 在商業應用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨特電氣優勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰。憑借其先進的芯片粘接技術,Vincotech 處于領先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 SiC驅動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關速度等優勢,使其在下一代功率器件中有著廣闊的應用前景。SiC驅動器模塊可以用于電動車的電力系統、可再生能源轉換系統、工業電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 SiC FET神應用,在各種領域提高功率轉換效率
2023-11-30 09:46:11155 美光科技近日宣布推出業界首款標準低功耗壓縮附加內存模塊(LPCAMM2),這款產品提供了從16GB至64GB的容量選項,旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設計空間及模塊化設計。
2024-01-19 16:20:47262 SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能,包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現。
2024-03-18 18:12:341063
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