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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管,實(shí)現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍

MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管,實(shí)現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍

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PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

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2018-07-13 14:16:37

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

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2018-07-06 09:46:43

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2018-07-06 09:47:57

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管現(xiàn)貨

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2018-11-12 11:02:34

QPD1004氮化晶體管

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2018-07-30 15:25:55

QPD1018氮化晶體管

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2018-07-27 09:06:34

QPD1018氮化晶體管

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2019-07-17 13:58:50

QPD1020射頻功率晶體管

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2018-07-27 11:20:12

SGK1314-25A砷化晶體管

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2018-08-06 11:45:41

SGK1314-30A砷化晶體管

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2018-08-06 11:48:15

SGK5254-120A-R砷化晶體管

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2018-08-13 10:23:05

SGM6901VU砷化晶體管

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2018-06-11 14:29:01

SGN2729-250H-R氮化晶體管

)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化晶體管SGN1214-220H-R氮化晶體管
2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶體管

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2021-03-30 11:24:16

SGNE045MK晶體管

)= + 25°CSGN19H181M1H砷化晶體管SGN19H240M1H砷化晶體管SGN21H180M1H砷化晶體管SGN21H121M1H砷化晶體管SGN21H181M1H砷化晶體管
2021-03-30 11:32:19

T2G6003028-FS射頻功率晶體管銷售

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2018-11-16 09:49:48

TGF2023-2-20碳化硅晶體管

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2018-06-22 11:09:47

TGF2040砷化晶體管

功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級別。產(chǎn)品型號:TGF2040產(chǎn)品名稱:砷化晶體管
2018-07-18 12:00:19

TGF2160砷化晶體管

TGF2160砷化晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報(bào)價(jià)TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47

TGF2977-SM氮化晶體管

、測試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號: TGF2977-SM產(chǎn)品名稱:氮化晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍:直流- 12 GHz輸出功率(p3db):6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

。 在器件層面,根據(jù)實(shí)際情況而言,歸一化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優(yōu)值系數(shù),氮化比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化充電器將能實(shí)現(xiàn)
2023-06-15 15:53:16

什么是氮化功率芯片?

包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能,消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問題。 納微推出的世界上首款氮化功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率,實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化(GaN)?

具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢,氮化充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。 更重要的是,氮化相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場,同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外,氮化比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16

什么是GaN透明晶體管

法,使用氨而不是更常見的氮來減少氮化晶體管在高溫退火過程中的表面損傷(見圖4)。我們通過優(yōu)化離子能量、劑量、活化退火熱預(yù)算和金屬退火后熱預(yù)算,實(shí)現(xiàn)了注入?yún)^(qū)在良好歐姆接觸和方阻方面都有優(yōu)良的結(jié)果(見表2
2020-11-27 16:30:52

供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢,實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1:NV6127絲?。篘V6127屬性:氮化功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43

固態(tài)射頻能量與傳統(tǒng)射頻的不同

小時(shí),磁控管微波的壽命非常有限。射頻晶體管產(chǎn)生的能量場受控制、高精度,對控制器的反應(yīng)非常敏感,從而實(shí)現(xiàn)最佳和精確的使用和分配。通過使用RF能量代替磁控管,即可在微波爐中實(shí)現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪,微波爐內(nèi)
2018-08-21 10:57:30

固態(tài)射頻能量的常見應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)用。應(yīng)用一:固態(tài)烹飪射頻能量的一個(gè)主要目標(biāo)應(yīng)用是傳統(tǒng)的微波爐,目前,標(biāo)準(zhǔn)連鎖餐廳使用磁控管供電的微波加熱顧客的食物,考慮到每天準(zhǔn)備的餐具數(shù)量,磁控管微波的壽命非常有限。使用射頻晶體管射頻晶體管產(chǎn)生超高
2018-08-06 10:44:39

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

降低性能。行業(yè)內(nèi)外隨著射頻能量通過加大控制來改進(jìn)工藝的機(jī)會持續(xù)增多,MACOM將繼續(xù)與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作,以應(yīng)用最佳實(shí)踐并通過我們的硅基氮化(GaN-on-Si)解決方案實(shí)現(xiàn)射頻能量。確保了解有關(guān)射頻能量
2018-01-18 10:56:28

微波射頻能量:醫(yī)療應(yīng)用

我們在“日常生活中的微波射頻能量”系列此前的技術(shù)知識分享中有提到氮化(GaN)技術(shù)在固態(tài)烹飪和等離子照明應(yīng)用中的諸多優(yōu)勢以及普遍認(rèn)為的氮化將對商業(yè)和工業(yè)市場產(chǎn)生變革的影響。在談?wù)撏黄菩缘陌雽?dǎo)體
2017-12-27 10:48:11

微波射頻能量:等離子照明

空置的地方,這進(jìn)一步延長了燈泡的壽命。盡管這是一個(gè)極具吸引力的概念,但從以往記錄來看,固態(tài)芯片的成本結(jié)構(gòu)比磁控管更昂貴,這使射頻能量應(yīng)用成為一種奢侈品。然而,憑借MACOM氮化(以硅基的成本構(gòu)成實(shí)現(xiàn)
2017-12-14 10:24:22

微波的發(fā)展:從磁控管到固態(tài)能量

熱應(yīng)用。固態(tài)射頻晶體管能夠產(chǎn)生超精確、可控且響應(yīng)迅速的能量場,使射頻能量能夠精確、合理地分布,從而按照精確規(guī)范將食物加熱到理想狀態(tài)。例如,在小分量的典型烹飪食譜中,MACOM的硅基氮化300W晶體管可在
2017-11-15 10:08:05

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化設(shè)計(jì)有哪些步驟?

  第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇  驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動(dòng)硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異?! ◎?qū)動(dòng)氮化E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極。2010年,第一款增強(qiáng)型氮化晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化功率集成電路- 將GaN FET、氮化基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47

消費(fèi)類電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管

(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管

針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓(600V)氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

  導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管氮化器件

晶體管”。  伊斯曼和米什拉是對的。氮化的寬帶隙(使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量)和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力,制造性能空前的器件。  如今,氮化是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36

300W晶體管正弦波逆變電源電路

300W晶體管正弦波逆變電源電路
2008-11-03 19:19:172403

MACOM推出用于無線基站的全新高性能氮化功率晶體管系列

中國上海,2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵(GaN)功率晶體管。
2016-02-24 10:40:21992

MACOM展示“射頻能量工具包”:通過將高性能、高成本效益的硅基氮化射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用,幫助客戶縮

,以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火系統(tǒng)等各種應(yīng)用之中。商業(yè)OEM將固態(tài)射頻能量作為高效、精確的能源,可使未來幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全新的性能水平和承受能力。
2017-06-12 15:58:571001

用于FM發(fā)射器的300W射頻功率放大器電路圖

這款用于FM發(fā)射器的300W射頻功率放大器具有2個(gè)TP9383晶體管。300W無線電功率放大器,適用于88–108MHz頻段。
2023-05-23 17:01:281459

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