Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:31
1694 近日，德州儀器 （TI） 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111114 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:005406 瑞薩電子日前發售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產品“在封裝尺寸為2mm見方的產品中，實現了業界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341360 基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業標桿，不僅通態電阻（RDS（on））降低，還具有業內領先的熱性能指標。該產品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅動、SMPS（包括服務器、電信和
2020-02-18 17:50:081494 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 電源管理系統要實現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道
2022-06-28 11:01:01750 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
。7N60的柵源電壓(VGS)為±30V，導通電阻RDS(on)為1.2Ω。7N60的電性參數是：連續二極管正向電流(IS)為7A，漏源電壓(VDSS)為600V，源-漏二極管壓降(VSD)為1.5V
2021-12-16 16:58:19
(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
設備，TI同時推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產品，并將電壓范圍擴充至60V。了解更多60V F5設備，請閱讀我同事Brett Barr的博客文章，“Shrink 使用新一代
2018-08-29 15:28:55
用于它們的負載點（POL）設計。當適應控制器和外部MOSFET時，這些應用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術的進步使得TI能夠成功應對這些挑戰。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
東芝新一代功率MOSFET產品幫助設計者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間，包含直流-直流轉換器的high side 及low side開關，以及交流-直流設計中的二次側同步整流。此技術也適合馬達控制及鋰電池電子設備中的保護模組。
2019-08-02 08:07:22
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
摻雜的N-的外延層即epi層來控制。圖2：N溝道垂直導電的平面結構及Rdson組成 在低壓器件中，由于N-外延層比較薄，N+層和漏極的金屬襯底對通態的電阻影響大；大于100V的器件，N-外延層是通態電阻
2016-10-10 10:58:30
e圖2：空穴和電子的遷移率遷移率和tc成正比，由于空穴的有效質量比較大，因此在同樣的摻雜濃度下，空穴的遷移率遠小于電子，這意味著：同樣的晶元面積，P溝道的功率MOSFET的導通電阻也遠大于N溝道的功率
2016-12-07 11:36:11
；設計輸出：通道1輸出1.2V/4A;通道2輸出2.5V/4A,通道3,4輸出3.3V/1.2A；通道1,2電路原理圖如下： 存在問題：1.每次上電，芯片四個通道的SW引腳有時候有輸出；2.通道3,4能
2018-10-15 14:30:34
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
`Diodes公司繼續擴展其功率MOSFET產品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產品系列非常適合各種應用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導體領先供應商，還是管理方案領先供應商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術,40V
2018-09-28 15:57:04
LTC2422的典型應用 - 在MSOP-10中的1- / 2通道20位功率無延遲Delta Sigma ADC。 LTC2421 / LTC2422是1通道和2通道2.7V至5.5V微功率20位模數轉換器，集成振蕩器，8ppm INL和1.2ppm RMS噪聲
2019-08-21 08:53:11
的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統
2018-12-07 10:21:41
120 、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
時，客戶工程師發現：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時，Q1的導通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時候，VTH比正向導通的時候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
：不含鹵素，符合 IEC 61249-2-21 規定TrenchFET? 功率 MOSFET典型 ESD 保護:800V符合 AEC-Q101經 100% Rg 和 UIS 測試VDS(V)：-60VID(A):-2.9應用：車載/汽車電子`
2019-07-09 17:30:39
;自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：如<br/>高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V；低導通電阻MOSFET其阻值僅
2010-08-12 13:58:43
的梯形控制，并支持25A RMS連續（60 秒峰值2秒，100毫秒峰值400毫秒）繞組電流。該設計的MOSFET功率模塊和電流控制的柵極驅動器有助于清除MOSFET開關，并且由于壓擺率控制和低寄生電感而
2018-06-26 12:03:16
和上限：3V、4V、4.5V。FDMS86181，VTH下限、中間值和上限：2V、3.1V、4V。IRFB4310，VTH下限、上限：2V、4V，中間值沒有標出。1.2 邏輯電平驅動的功率MOSFET
2019-08-08 21:40:31
為什么貼片電阻的封裝是3.81mm*1.27mm？應該是0805=2.0x1.2mm才對啊
2013-08-19 20:14:30
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
全球知名的半導體廠商羅姆(ROHM)公司推出了一款內部集成高額定電壓的功率MOSFET的電流模式同步降壓轉換器——BD9V101MUF-LB，它可以保證在工業市場長期支持。該芯片通過納米脈沖控制技術
2019-04-01 06:20:06
。功率 MOSFET 的分類及優缺點和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強型有不少的優勢，但實際上
2019-11-17 08:00:00
陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機控制及電源應用提供優異的散熱性能。 最低導通電阻： 兩款最新 80V 及 100V
2018-11-29 17:13:53
LM3463 是一款 12V 至 95V 寬泛輸入電壓的 6 通道 LED 電流控制器，可為每個燈串驅動28 個 LED，還可通過調光輸入引腳由外部微控制器便攜地進行調光控制。它與外部 N 通道
2012-12-12 17:37:11
(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
MOSFET晶體管FA57SA50LC技術參數資料通道類型 N--連續漏極電流 5.7 A--漏源電壓 500 V--漏源電阻值 0.08 Ω--柵源電壓 ±20 V封裝類型 SOT-227安裝類型 螺絲
2019-10-24 15:11:08
通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V Id-連續漏極電流: 26 A Rds On-漏源導通電阻: 230 mOhms Vgs
2020-03-31 17:08:29
: TO-247-3 通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V Id-連續漏極電流: 340 A Rds On-漏源導通電阻: 3.2 mOhms Vgs
2020-04-01 16:19:37
通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續漏極電流: 36 A Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms Vgs
2020-04-01 11:07:48
: SOT-227-4 通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 850 V Id-連續漏極電流: 90 A Rds On-漏源導通電阻: 41 mOhms Vgs
2020-03-19 16:31:27
: TO-220AB-3 通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V Id-連續漏極電流: 60 A Rds On-漏源導通電阻: 19 mOhms
2020-03-20 17:12:51
: TO-3P-3 通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續漏極電流: 50 A Rds On-漏源導通電阻: 73 mOhms Vgs
2020-03-04 10:11:00
通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V Id-連續漏極電流: 60 A Rds On-漏源導通電阻: 19 mOhms Vgs - 柵極
2020-03-20 17:01:53
通道數量: 1 Channel 晶體管極性: P-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續漏極電流: 16 A Rds On-漏源導通電阻: 720 mOhms Vgs
2020-04-01 11:09:10
通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續漏極電流: 22 A Rds On-漏源導通電阻: 350 mOhms Vgs
2020-04-01 16:21:55
驅動外部、低導通電阻、功率N通道mosfet。它提供快速充放電所需的大瞬態電流，以減少開關過程中MOSFET內部的損耗。充電和放電速率可以通過與MOSFET柵極串聯的外部電阻來控制。柵極驅動電壓調節柵極
2020-09-29 16:51:51
羅姆（ROHM）是全球著名半導體廠商之一。它推出了6款中功率肖特基勢壘二極管，型號分別為RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3MM60
2019-07-15 04:20:07
40V的MOSFET的通態電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態電阻降幅甚至達到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
ICE2QS03G作為功率轉換控制芯片，CoolMOS? IPL65R190E6作為反激開關管，IR1161LTRPBF作為次級同步整流控制芯片，BSC035N10NS5作為次級同步整流MOSFET。支持恒壓
2017-04-12 18:43:19
的梯形控制，并支持25A RMS連續（60 秒峰值2秒，100毫秒峰值400毫秒）繞組電流。該設計的MOSFET功率模塊和電流控制的柵極驅動器有助于清除MOSFET開關，并且由于壓擺率控制和低寄生電感而
2018-06-19 09:40:27
用途。 這樣，是否可以將導電通道以高摻雜較低電阻率實現，而在MOSFET關斷時，設法使這個通道以某種方式夾斷，使整個器件耐壓僅取決于低摻雜的N-外延層。基于這種思想，1988年INFINEON推出內建橫向電場
2023-02-27 11:52:38
100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17483F4 30V N 通道 FemtoFET? MOSFET、MSP430G2553 MCU、LM5107(...)主要特色15V 至
2018-07-13 03:07:39
The TPS55332 is a monolithic high-voltage switching regulator with integrated 3-A, 60-V power
2010-10-01 23:15:27
29 The TPS54060 device is a 60-V 0.5-A step-down regulator with an integrated high-side MOSFET
2010-10-02 20:57:2610 The TPS54160 device is a 60-V 1.5-A step-down regulator with an integrated high-side MOSFET
2010-10-02 21:18:185 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:06681 小信號應用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多
2009-12-31 09:59:441421 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準
2010-01-14 09:01:43654 TI業內最低功耗16位DSP平臺再添新成員
日前，德州儀器 (TI) 宣布旗下業界最低功耗 16 位數字信號處理器 (DSP) 平臺 C5000 新增兩款器件：TMS320C5514 與 TMS320C5515。此外，為幫
2010-01-20 08:40:23980 TI推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對
2010-01-22 09:40:49932 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相
2010-01-26 16:55:08783 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監控特性的數字雙路同步降壓功率驅動器，
2010-02-23 09:26:57667 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Maxim推出業內尺寸最小的2通道ADC MAX11645。該款12位I2C ADC在微型1.9mm x 2.2mm晶片級封裝(WLP)中內置基準。4 x 3焊球陣列、0
2010-12-21 09:22:06618 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)產品。新產品名為RJK60S5DPK
2011-03-21 11:20:251059 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態電阻
2011-12-27 17:29:101277 
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:471179 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。
2015-01-22 15:33:263064 近日，德州儀器 （TI） 發布了業內首款多通道電感數字轉換器 （LDC）。此次推出的LDC1614系列中的這4款全新器件隸屬于TI在2013年推出的首個數據轉換器產品類別，這讓TI創新型LDC產品庫獲得了進一步的豐富和補充。這些器件在單個IC中提供2個或4個匹配通道，以及高達28位的分辨率。
2015-05-06 15:20:091799 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561040 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361384 ）-23，漏源導通電阻RDS（ON）通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎？”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息。
2016-10-24 16:33:37938 了高效率的解決方案。這顆器件具有業內最低的優值系數 （FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積），該參數是600V MOSFET在功率轉換應用的關鍵指標。
2017-02-10 15:10:111667 哪個含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復縈繞著這個問題。TI新發布的F3 FemtoFET，聲稱其產品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚的沙礫。
2017-04-18 07:49:54958 
關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01308 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用
2019-01-01 16:29:01380 哪個含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復縈繞著這個問題。TI新發布的F3 FemtoFET，聲稱其產品尺寸小至
2021-11-10 09:39:17498 
適用于標準柵極驅動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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