借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

　　近日在中國(guó)深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師?！澳銮稍谠O(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎？”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管（SOT）-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS（ON）通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎？”我問。他確實(shí)碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS（ON）不到60mΩ，占位面積僅為1.5mm × 0.8mm （1.2mm2）（參見圖1），是專為諸如信息娛樂系統(tǒng)等空間受限的應(yīng)用情況設(shè)計(jì)的。

圖1：CSD18541F5l平面網(wǎng)格數(shù)組封裝

　　相比您的那些家用電器采用的SOT-23 （6.75mm2）封裝（參見圖2），新型MOSFET的尺寸約有其六分之一。這意味著，新型MOSFET不僅RDS（ON）導(dǎo)通電阻更小，其封裝尺寸也比傳統(tǒng)MOSFET小75%。

　　圖2：傳統(tǒng)SOT-23封裝，旁邊是CSD18541F5LGA封裝

　　與這位工程師做了一些快速計(jì)算，我們的結(jié)論是如果每個(gè)電路板用10個(gè)元件，他就能節(jié)省大約55mm2占位面積——大多數(shù)的工程師通常事后才會(huì)想到這節(jié)省的是不小的空間。那么焊盤間距情況如何呢？幸運(yùn)的是，這個(gè)微型LGA封裝在設(shè)計(jì)中同樣考慮了工業(yè)客戶的需求，他們一致認(rèn)為0.5mm是兩個(gè)焊盤之間的首選最小間距。

　　如今，我在工業(yè)市場(chǎng)遇見的每個(gè)人，無論是從事生產(chǎn)電源、電池保護(hù)裝置還是電動(dòng)工具的，幾乎都對(duì)更小尺寸或更高性能（或兼具兩個(gè)特點(diǎn)）的負(fù)載開關(guān)頗有興趣。

　　因此，如果您的工業(yè)設(shè)計(jì)需要使用不少SOT-23或更大的負(fù)載開關(guān)，請(qǐng)考慮選擇TI新型的CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB占位面積會(huì)也會(huì)對(duì)您感激不盡。

　　其他信息

　　· 獲取有關(guān)CSD18541F5 60-V N通道功率 MOSFET的詳細(xì)信息。

　　· 下載設(shè)計(jì)綜述，了解有關(guān)LGA封裝的詳細(xì)信息。

　　· 訪問FemtoFET 登錄頁面，查詢有關(guān)MOSFET系列的詳細(xì)信息。
作者: Brett Barr1

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ti(210846) ti(210846)
負(fù)載開關(guān)(18641) 負(fù)載開關(guān)(18641)
CSD18541F5(2364) CSD18541F5(2364)

評(píng)論

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2021-11-16 09:36:36

Vishay SQ2361 汽車P 溝道 60V 功率 MOSFET

`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)

2019-07-09 17:30:39

[求助]哪些開關(guān)電源管理芯片能輸出60V以上的電壓

之前xl6009芯片資料說能升到60V,然而實(shí)際做出來只能到38V,比較郁悶,問一下有其他芯片能升壓到60V或以上嗎?

2017-04-02 16:45:35

具有60V故障的RS485收發(fā)器

RS485收發(fā)器支持參考設(shè)計(jì)，具有60V故障，適用于半雙工RS485網(wǎng)絡(luò)操作60V DC，15kV ESD保護(hù)

2020-05-15 09:23:17

創(chuàng)新型MOSFET封裝：大大簡(jiǎn)化您電源的設(shè)計(jì)

`目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸

2013-12-23 11:55:35

單片式線性電池充電器采用高達(dá)60V的輸入運(yùn)作

型”系統(tǒng)或后備電池充電器中必需的低電流來說，開關(guān)模式解決方案往往就是“殺雞用牛刀”了。此外，適合高達(dá) 60V 之汽車和工業(yè)應(yīng)用的解決方案實(shí)在少之又少。LTC?4079 是一款寬輸入范圍獨(dú)立型充電器，其

2018-10-30 11:53:11

開關(guān)電源220v改60v

=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 如何把輸入220v的開關(guān)電源（手機(jī)充電器）改成60v輸入。很對(duì)不起！我沒有懸賞積分。只能表達(dá)我的謝意！

2019-05-18 10:35:39

怎么產(chǎn)生60V電壓并且是方波1KHZ~2KHZ

怎么產(chǎn)生60V電壓并且是方波1KHZ~2KHZ,如果用5V怎么變成12V電壓？，并且控制輸出方波脈寬。

2017-07-12 17:52:19

求一個(gè)LMR16010輸入60V輸出5V的電路圖

輸入60V，輸出5V，元器件最好有參數(shù)，類似下圖

2020-09-21 17:08:43

求一個(gè)過放保護(hù)電路，電池60V，過放到54v的時(shí)候截止，電路越簡(jiǎn)單越好。謝謝

求一個(gè)過放保護(hù)電路，電池60V，過放到54v的時(shí)候截止，電路越簡(jiǎn)單越好。謝謝

2023-03-17 10:28:57

測(cè)量高精度60V電量監(jiān)測(cè)計(jì)

測(cè)量高精度60V電量監(jiān)測(cè)計(jì)

2019-09-18 08:56:50

電壓是60V，其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰電壓?jiǎn)?

三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的一相，電壓是60V，其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰電壓?jiǎn)? 要如何選擇型號(hào)呢？

2018-09-10 17:30:11

示波器測(cè)量的電源60V的紋波太大求解決

我這邊用示波器測(cè)的60V的電源，輸出紋波好大，不知道是測(cè)試問題還是電源的問題，示波器圖片如下：

2014-12-30 18:35:44

耐壓60V，ZCC2459替代MP2459

2020-12-17 14:47:30

英飛凌40V和60V MOSFET

，高輸出功率下?lián)p耗的降低，會(huì)導(dǎo)致低負(fù)載范圍內(nèi)損耗的升高。英飛凌通過推出阻斷電壓為40V和60V的新型MOSFET，為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大幅降低各種損耗創(chuàng)造了條件。通過對(duì)測(cè)量曲線進(jìn)行直接比對(duì)，結(jié)果顯示

2018-12-06 09:46:29

請(qǐng)問如何簡(jiǎn)化48V至60V直流饋電三相逆變？

簡(jiǎn)化48V至60V直流饋電三相逆變的方法

2020-11-27 06:43:34

調(diào)光比高達(dá)3000:1的60V大電流LED控制器實(shí)現(xiàn)方案

的一些功能也使其適用于給電池和超級(jí)電容器充電。LT3761 的4.5V至60V的輸入電壓范圍使該器件適用于多種應(yīng)用，包括汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3761 采用一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET，可用一個(gè)

2012-12-12 17:01:33

降壓恒流芯片AP5103_輸入電壓范圍:5V~60V

的亮度。產(chǎn)品特點(diǎn): 內(nèi)置溫度保護(hù) 輸出短路保護(hù) 關(guān)斷時(shí)間可調(diào) 內(nèi)置電流采樣前沿消隱電路高效率：可高達(dá) 95% 最大工作頻率：300kHz 寬輸入電壓范圍：5V~60V峰值電流采樣電壓：250mV內(nèi)置

2018-07-26 10:11:50

MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型

MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其

2008-03-22 14:46:02

484

通過無線RF集成減少元件數(shù)量縮小線路板面積

通過無線RF集成減少元件數(shù)量縮小線路板面積如今的無線設(shè)備中，線路板上一半以上的元件都是模擬RF器件，因此要縮小線路板面積和功耗一個(gè)有效方法就是進(jìn)行更大規(guī)

2009-12-26 14:39:56

394

小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET

小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET 　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多

2009-12-31 09:59:44

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Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出一對(duì)MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電感無線充電電路。

2015-03-03 10:43:40

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TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。

2016-07-18 17:12:36

1476

新型60V FemtoFET MOSFET減少您的元件占用面積

在中國(guó)深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。你碰巧在你的設(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎？我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形尺寸晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100m左右。

2017-04-18 07:52:11

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TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電

2018-10-13 11:03:01

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