硅光電池是一種直接把光能轉換成電能的半導體器件。它的結構很簡單,核心部分是一個大面積的PN結,把一只透明玻璃外殼的點接觸型二極管與一塊微安表接成閉合回路,當二極管的管芯(PN結)受到光照時,你就會看到微安表的表針發生偏轉,顯示出回路里有電流,這個現象稱為光生伏特效應。硅光電池的PN結面積要比二極管的PN結大得多,所以受到光照時產生的電動勢和電流也大得多。
硅光電池的電路分析
如圖所示,用兩個性能相近的硅光電池作光接受器件,當入射光通量相同時Vo=0,行機構按預定的方式工作。當光路系統略有偏差時,兩個硅光電池接收到的光通量發生變化,此時Vo≠0,這一差動輸出信號經過放大即可帶動執行機構(例如微型電機)對系統狀態進行糾正,直到Vo=0為止,從而達到跟蹤的目的。
硅光電池的工作原理
硅光電池的工作原理是光生伏特效應。它是一個大面積的光電二極管,它可把入射到它表面的光能轉化為電能。當光照射在硅光電池的PN結區時,會在半導體中激發出光生電子空穴對.PN結兩邊的光生電子空穴對,在內電場的作用下,屬于多數載流子的不能穿越阻擋層,而少數載流子卻能穿越阻擋層。結果,P區的光生電子進入N區,N區的光生空穴進入P區,使每個區中的光生電子一空穴對分割開來。光生電子在N區的集結使N區帶負電,光生電子在P區的集結使P區帶正電.P區和N區之間產生光生電動勢。當硅光電池接入負載后,光電流從P區經負載流至N區,負載中即得到功率輸出。
硅光電池的分類應用
1、晶體硅光電池
晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類,用P型(或n型)硅襯底,通過磷(或硼)擴散形成Pn結成制作,生產技術成熟,是光伏市場上的主導產品。采用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、優化背電極及接觸電極等技術,提高材料中的載流子收集效率,優化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背電極等方式,光電轉換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限,目前比較大的為 ∮10至 20cm的圓片,年產能力46MW/a。
目前主要課題是繼續擴大產業規模,開發帶狀硅光電池技術,提高材料利用率。國際公認最高效率在AM1.5條件下為24%,空間用高質量的效率在AMO條件約為13.5—18%地面用大量生產的在AM1條件下多在11—18%之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶硅錠代替#晶硅,可降低成本,但效率較低。優化正背電極的銀漿和鋁漿絲網印刷,磨圖拋工藝,千方百計進一步降成本,提高效率,大晶粒多晶硅光電池的轉換效率最高達18.6[%]。
2、非晶硅光電池
a-Si(非晶硅)光電池一般采用高頻輝光放電方法使硅烷氣體分解沉積而成。由于外解沉積溫度低,可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積約1μm厚的薄膜,易于大面積化(05rn×l.0m),成本較低,多采用p in結構。為提高效率和改善穩定性,有時還制成三層P in等多層疊層式結構,或是插入一些過渡層。
其商品化產量連續增長,年產能力45MW/a,10MW生產線已投入生產,全球市場用量每月在1千萬片左右,居薄膜電池首位。發展集成型a-Si光電池組件,激光切割的使用有效面積達90%以上,小面積轉換效率提高到 14.6%,大面積大量生產的為8-10%,疊層結構的最高效率為21%。研發動向是改善薄膜特性,精確設計光電池結構和控制各層厚度,改善各層之間界面狀態,以求得高效率和高穩定性。
3、多晶硅光電池
P-Si(多晶硅,包括微品)光電池沒有光致衰退效應,材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響,是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉換效率為15.3%,經減薄襯底,加強陷光等加工,可提高到23.7[%],用CVD法制備的轉換效率約為12.6—l7.3[%]。采用廉價襯底的p—si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法,或對a—si:H材料膜進行后退火,達到低溫固相晶化,可分別制出效率9.8[%]和9.2[%]的無退化電池。
微晶硅薄膜生長與a—si工藝相容,光電性能和穩定性很高,研究受到很大重視,但效率僅為7.7%大面積低溫p—si膜與—si組成疊層電池結構,是提高比a—S光電池穩定性和轉換效率的重要途徑,可更充分利用太陽光譜,理論計算表明其效率可在28%以上,將使硅基薄膜光電池性能產生突破性進展。銅煙硒光電池 CIS(銅鎖硒)薄膜光電池己成為國際先伏界研究開發的熱門課題,它具有轉換效率高(已達到17.7%),性能穩定,制造成本低的特點。
CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的,厚度可做到2-3μrn,吸收層CIS膜對電池性能起著決定性作用。現已開發出反應共蒸法和硒化法(濺射、蒸發、電沉積等)兩大類多種制備方法,其它外層通常采用真空蒸發或濺射成膜。阻礙其發展的原風是工藝重復性差,高效電池成品率低,材料組分較復雜,缺乏控制薄膜生長的分析儀器。CIS光電池正受到產業界重視,一些知名公司意識到它在未來能源市場中的前景和所處地位,積極擴大開發規模,著手組建中試線及制造廠。
硅光電池應用
光敏傳感器的基礎是光電效應,即利用光子照射在器件上,使電路中產生電流或使電導特性發生變化的效應。目前半導體光敏傳感器在數碼攝像、光通信、航天器、太陽能電池等領域得到了廣泛應用,在現代科技發展中起到了十分重要的作用。
能源--硅光電池串聯或并聯組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造衛星、宇宙飛船、航標燈、無人氣象站等設備的電源;也可做電子手表、電子計算器、小型號汽車、游艇等的電源。
光電檢測器件--用作近紅外探測器、光電讀出、光電耦合、激光增加準直、電影還音等設備的光感受器。
硅光電池的使用及注意
1)硅光電池的壽命很長,性能很穩定,但是要注意保護,不能受機械損傷,一旦電池破碎就無法再使用了。
2)硅光電池不能受潮,也不能沾油污,否則將使抗反射膜脫落。
3)應避免用白熾燈的光源長時間照射硅光電池,這樣會使電池的溫度升高,降低輸出功率。
4)硅光電池的輸出電壓一般為0.5V,為能獲得較高的電壓,可將硅光電池串聯起來使用,如要獲得較大的電流,也可將硅光電池并聯使用。硅光電池串、并聯后,就可得到一定輸出功率的電池組。該電池組就可當電源使用。也可與蓄電池配合共同完成對負載的供電。如圖1所示,當無光照射時,由蓄電池向負載供電,當有光照射時,由硅光電池向負載供電,同時給蓄電池充電。圖中的VD為防逆流二極管,其反向耐壓要高于蓄電池的電壓,最大工作電流要大于硅光電池組的最大輸出電流。
5)將硅光電池可作為光電開關的光接收器件,在其中起到一個自動開關的作用。當有光照射時,硅光電池輸出電壓,使晶體管導通。當無光照射時,硅光電池無電壓輸出,晶體管截止不導通。
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