Power Integrations今日推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQSCALE-iDriver門極驅(qū)動器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動器IC之后，新器件
2020-01-24 09:42:00
2938 ：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)且使用2000 V至3300 V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運(yùn)輸應(yīng)用的格局。這款新半導(dǎo)體器件將給諸多應(yīng)用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機(jī)車以及商用、
2024-01-02 16:25:23527 
這款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用數(shù)字柵極驅(qū)動器可與基于SiC的高壓電源模塊搭配使用，從而簡化并加快系統(tǒng)集成 ? 萬物電氣化推動了碳化硅 （SiC）技術(shù)在交通、電網(wǎng)和重型汽車等中高
2024-03-01 16:57:54318 系統(tǒng)。因此，對3.3kV等級的IGBT模塊驅(qū)動電路進(jìn)行研究十分有意義。目前，市場上專業(yè)驅(qū)動器生產(chǎn)廠商有相關(guān)配套驅(qū)動器產(chǎn)品提供給客戶選擇，但是做為一款廣泛應(yīng)用的模塊產(chǎn)品，很有必要做更深入的細(xì)節(jié)分析
2018-12-06 10:06:18
。IGBT驅(qū)動電路的選擇 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇
2012-07-25 09:49:08
IGBT 102變壓器隔離驅(qū)動模塊原理圖紙 我公司中頻電源用變壓器隔離驅(qū)動模塊原理圖紙，采用變壓器隔離比光耦有完全隔離的優(yōu)勢。u 單管大功率 IGBT 模塊驅(qū)動器。變壓器信號耦合，延遲小，工作頻率高
2013-01-17 13:54:30
接入驅(qū)動器電路板，實(shí)現(xiàn)氣密連接。如需要，Press-FIT接頭也可靈活地使用焊接工藝。在模塊的內(nèi)部，功率端子和輔助端子采用超聲波焊接方式與DCB連接。已有文章詳細(xì)說明了超聲焊接端子在可靠性和性能方面
2018-12-07 10:23:42
IGBT在國外列車供電系統(tǒng)中的應(yīng)用與發(fā)展 最初，德國將300A/1200VIGBT構(gòu)成幾百千伏安的逆變器，取代了工業(yè)通用變頻器中的雙極型晶體管，用于網(wǎng)壓為750V的有軌電車上。之后不久，德國和日本又將
2012-06-01 11:04:33
世紀(jì)90年代初進(jìn)入實(shí)用化。近幾年來，功率IGBT模塊散熱器的性能提高很快，額定電流已達(dá)數(shù)百安培，耐壓達(dá)1500V以上，而且還在不斷提高。由于IGBT器件具有PIN二極管的正向特性，P溝功率IGBT模塊
2012-06-19 11:17:58
概述：TA8316S是日本東芝株式會社出品的一款IGBT門驅(qū)動器，以驅(qū)動IGBT大功率管G極工作，一般常用作于電磁爐等電器驅(qū)動電路中。它采用SDIP 7引腳封裝工藝，具體外觀如下圖所示。
2021-04-07 07:23:48
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門極驅(qū)動器。這款緊湊型新驅(qū)動器支持耐壓在3.3kV以內(nèi)的模塊，現(xiàn)可隨時供貨
2021-09-09 11:00:41
面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。 主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。 2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
。這些設(shè)計平臺目 前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
Transistor : 絕緣柵極雙極型晶體管）等少數(shù)載流子器件（雙極型器件），但是卻存在開關(guān)損耗大 的問題，其結(jié)果是由此產(chǎn)生的發(fā)熱會限制IGBT的高頻驅(qū)動。SiC材料卻能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的多數(shù)
2019-07-23 04:20:21
本文探討了功率半導(dǎo)體在具有通用架構(gòu)的低壓驅(qū)動器中的使用。前端也稱為線路側(cè)轉(zhuǎn)換器，將交流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓并將其提供給直流母線。根據(jù)工作方案，二極管、晶閘管甚至IGBT可用于此應(yīng)用。通常可以使用日立
2023-02-22 16:58:24
IGBT門極驅(qū)動器能夠在太陽能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用中，為Mitsubishi生產(chǎn)的New Mega Power Dual IGBT模塊提供高效的驅(qū)動。該驅(qū)動器具有較高的集成度和優(yōu)越的抗EMI性能，便于實(shí)現(xiàn)緊湊且高可靠性的功率變換器設(shè)計，是一種靈活且即時可用的解決方案。
2019-04-20 16:13:50
新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計平臺類型眾多，既有用于高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動器板，也有完整的交流/直流雙向轉(zhuǎn)換器，其中ADSP-CM419F的軟件在
2018-10-22 17:01:41
FOD8342TR2是一款 3.0 A 輸出電流門極驅(qū)動光耦合器，能夠驅(qū)動中等功率 IGBT/MOSFET。它適用于電機(jī)控制逆變器應(yīng)用和高性能電源系統(tǒng)中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速
2022-01-17 09:31:39
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動器可用來直接驅(qū)動電機(jī)。 不過，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驅(qū)動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動 于 2021-12-20 14:28 編輯
NCV7721D2R2G是一款完全受保護(hù)的雙半橋驅(qū)動器，專為汽車和工業(yè)運(yùn)動控制應(yīng)用而設(shè)計。兩個半橋驅(qū)動器具有獨(dú)立
2021-12-20 14:28:27
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
700VDC以上。另一方面，由于系統(tǒng)回路內(nèi)雜散電感的存在，在功率器件開關(guān)時會在模塊主端子上產(chǎn)生尖峰電壓，因此在傳統(tǒng)的APS系統(tǒng)中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片
2021-01-22 06:45:02
柵極驅(qū)動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
隔離門驅(qū)動器在許多系統(tǒng)中的電力傳輸扮演著重要角色。對此，世強(qiáng)代理的高性能模擬與混合信號IC廠商Silicon Labs推出可支持高達(dá)5KV隔離額定電壓值的ISO driver隔離驅(qū)動IC Si823x。有誰知道這款業(yè)界最佳單芯片隔離驅(qū)動器解決方案到底有多厲害嗎？
2019-08-02 06:37:15
，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。圖
2012-06-19 11:36:58
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計指南
2022-11-02 12:07:56
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設(shè)計、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計的3.3kV IGBT3芯片,在保持機(jī)械
2010-05-04 08:07:47
℃，最大結(jié)溫提高至150℃，電流輸出能力可提高50%以上。本文還對宇宙射線以及功率循環(huán)試驗(yàn)進(jìn)行了研究。關(guān)鍵詞:具備更強(qiáng)機(jī)械性能高功率IGBT模塊3.3kV IGBT3芯片技術(shù)[中圖分類號] ？？[文獻(xiàn)
2018-12-03 13:51:29
描述PMP10654 參考設(shè)計是適用于單個 IGBT 驅(qū)動器偏置的雙路隔離式輸出 Fly-Buck 電源模塊。兩個電壓軌適合向電動汽車/混合動力汽車和工業(yè)應(yīng)用的電機(jī)驅(qū)動器中的 IGBT 柵極驅(qū)動器
2018-12-21 15:06:17
驅(qū)動半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動器級（驅(qū)動強(qiáng)度不足）以及系統(tǒng)級均會帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計使用增強(qiáng)型隔離式
2018-12-07 14:05:13
，形成最簡單的大功率igbt驅(qū)動保護(hù)電路;也可以自己配上一些外圍電路形成多功能型驅(qū)動器。 單一功能型的大功率igbt驅(qū)動保護(hù)電路的最大優(yōu)點(diǎn)是應(yīng)用靈活、成本較低。它既可以應(yīng)用于諸如斬波、boost等
2012-12-08 12:34:45
，另一個要考慮的重要因素是其驅(qū)動器的設(shè)計是否合理與可靠。igbt驅(qū)動器作為功率電路和控制器之間的接口電路，對系統(tǒng)的功耗和可靠性等方面有著極大的關(guān)聯(lián)，一個優(yōu)化的驅(qū)動器在功率變換系統(tǒng)中是不可或缺的，選擇適當(dāng)
2021-04-20 10:34:14
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
幾十年來最迅速的進(jìn)展。例如，新的符合AEC車規(guī)的ASPM 27三相智能功率模塊(IPM)，集成了驅(qū)動器、IGBT和二極管，提供一種更小、更可靠的方案，增強(qiáng)了熱性能，用于諸如汽車空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、電動油泵
2018-10-30 09:06:50
達(dá) 600 Vac 的低壓驅(qū)動器適用于額定電流高達(dá) 1000 A 且 Qg 高達(dá) 10 uC 的中等功率 IGBT 模塊雙極性（+15 V 和 -8 V）閘極驅(qū)動器電壓通用 MOSFET 尺寸讓用戶能
2018-09-04 09:20:51
、氧化鈹瓷片和散熱片。在積木單元的上部，則通過表面貼裝將控制電路、門極驅(qū)動、電流和溫度傳感器以及保護(hù)電路集成在一個薄絕緣層上。IPEM 實(shí)現(xiàn)了電力電子技術(shù)的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統(tǒng)噪聲
2019-03-03 07:00:00
的10.2kVAC隔離功能。驅(qū)動器內(nèi)核的主要功能是實(shí)現(xiàn)控制信號傳輸、集電極-發(fā)射極飽和電壓短路保護(hù)和故障輸出。有源適配器電路板負(fù)責(zé)提供驅(qū)動門極所需要的峰值電流。 圖11 3.3kV驅(qū)動級的功能圖6 IPOSIM仿真
2018-12-06 10:05:40
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計使用推挽式
2018-09-20 08:49:06
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
承受高達(dá)60V電源尖峰脈沖、±1kV浪涌脈沖，以及高達(dá)12kV ESD沖擊，工作在-40°C至+125°C寬溫工作范圍。本文中，我們討論如何有效利用MAX14912/MAX14913輸出驅(qū)動器的不同特性
2019-07-23 06:48:24
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
SI82XX-KIT，Si8235評估板，2輸入，4 A，5 kV雙ISO驅(qū)動器。該板包括用于普通表面貼裝的焊盤和通孔封裝的FET / IGBT功率晶體管。該板還包括用于額外原型設(shè)計的補(bǔ)丁區(qū)域，可用于滿足設(shè)計人員可能需要評估的任何負(fù)載配置
2020-06-17 14:37:29
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
描述該適用于汽車輔助電路的電源參考設(shè)計可以通過 40V 至 1kV 的寬輸入范圍和高達(dá) 1.2kV 的瞬態(tài)電壓生成 15V、4A 輸出。該設(shè)計非常適合 800V 電池驅(qū)動的混合動力電動汽車 (HEV
2018-10-15 14:56:46
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
輸出不能和IGBT柵極直接相連時，應(yīng)使用雙絞線連接(2轉(zhuǎn)/cm); e.柵極保護(hù)，箝位元件要盡量靠近柵射極。 1.7隔離問題 由于功率IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場合，所以驅(qū)動電路必須與整個
2016-11-28 23:45:03
輸出不能和IGBT柵極直接相連時，應(yīng)使用雙絞線連接(2轉(zhuǎn)/cm); e.柵極保護(hù)，箝位元件要盡量靠近柵射極。 1.7隔離問題 由于功率IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場合，所以驅(qū)動電路必須與整個
2016-10-15 22:47:06
。PEBB并不是一種特定的半導(dǎo)體器件，它是依照最優(yōu)的電路結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計的不同器件和技術(shù)的集成。除了包括功率半導(dǎo)體器件外，還包括門極驅(qū)動電路、電平轉(zhuǎn)換、傳感器、保護(hù)電路、電源和無源器件。PEBB有
2017-05-25 14:10:51
通過表面貼裝將控制電路、門極驅(qū)動、電流和溫度傳感器以及保護(hù)電路集成在一個薄絕緣層上。IPEM實(shí)現(xiàn)了電力電子技術(shù)的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統(tǒng)噪聲和寄生振蕩，提高了系統(tǒng)效率及可靠性
2017-11-07 11:11:09
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
NCV57001FDWR2G是一款具有簡化的軟的?轉(zhuǎn)動?關(guān)閉時間適合驅(qū)動大型IGBT或電源模塊。是一個高性能的傳感器?電流型單通道IGBT驅(qū)動器內(nèi)部電流隔離，設(shè)計用于高系統(tǒng)效率和高功率應(yīng)用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識”
2022-10-25 17:20:12
IGBT模塊作為汽車電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開關(guān)元件。IGBT同時具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
，UCC21520-Q1。 實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度和。 魯棒性在各種電力應(yīng)用中。UCC21520QDWRQ1Texas Instruments18+17080 門驅(qū)動器 Automotive 4A/6A
2018-08-01 09:29:40
主要特點(diǎn)?單通道隔離IGBT驅(qū)動程序?600 V/1200 V IGBTs?鐵路到鐵路輸出的典型峰值電流高達(dá)6?積極米勒夾產(chǎn)品亮點(diǎn)?電隔離無芯變壓器驅(qū)動器·輸入電壓工作范圍寬?適合在高環(huán)境溫度下操
2018-08-02 09:39:35
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
和SCALE-2芯片集的IGBT門極驅(qū)動: CONCEPT高壓IGBT門極驅(qū)動- 3,3kV 和4,5kV- 6,5kV: 如何為你的IGBT模塊選擇合適的CONCEPT IGBT 門極驅(qū)動-選擇合適的門極電阻
2018-12-14 09:45:02
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動設(shè)計？在設(shè)計驅(qū)動電路時，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅(qū)動器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍(lán)圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
功率MCU，分立器件和功率器件的領(lǐng)先公司。為了追求卓越和高品質(zhì)的產(chǎn)品，羅姆已經(jīng)垂直整合了其碳化硅供應(yīng)鏈。SiC MOSFET，SBD，模塊和柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合已在Bodo的Power雜志（2015年4
2019-10-25 10:01:08
鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發(fā))。 2、請問：如何避免米勒效應(yīng)?謝謝! IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到 15 V類型的門極驅(qū)動器(單電源
2018-11-05 15:38:56
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計使用推挽
2015-03-23 14:35:34
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計使用推挽
2015-04-27 17:31:57
此參考設(shè)計是一個用于 IGBT/SiC 隔離式柵極驅(qū)動器的 4.2W、單通道、汽車 12V 電池輸入反激式偏置電源。該電源可接受 4.5V 至 65V 直流的寬輸入范圍。輸出可在負(fù)載高達(dá) 180mA
2010-04-12 16:23:12
22 日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111336 帶逆阻型IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門極驅(qū)動器應(yīng)用
2017-02-28 23:14:222 1月31日，三菱電機(jī)株式會社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導(dǎo)體模塊，該模塊采用單芯片構(gòu)造和新封裝，實(shí)現(xiàn)了世界最高功率密度的額定輸出功率。
2018-02-03 11:52:448596 對于更緊湊的純SiC/GaN應(yīng)用，新型隔離式柵極驅(qū)動器ADuM4121是解決方案。該驅(qū)動器同樣基于ADI公司的iCoupler數(shù)字隔離技術(shù)，其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns)，支持最高開關(guān)
2018-05-24 17:24:387790 
耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模塊。該系統(tǒng)由一個中央絕緣主控制(IMC)和一到四個模塊適配型門極驅(qū)動器(MAG)組成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:324824 Power Integrations最新的SCALE-iFlex?門極驅(qū)動器系統(tǒng)可輕松實(shí)現(xiàn)業(yè)界最新的耐受電壓介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET雙通道功率模塊的并聯(lián)。
2019-08-01 16:06:132439 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅(qū)動器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動器IC之后，新器件擴(kuò)展了公司的汽車級驅(qū)動器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:002754 等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。
2020-03-05 14:27:583783 “ 適合4500V模塊的靈活、強(qiáng)大且可靠的IGBT門極驅(qū)動器中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日推出1SP0351
2020-03-08 10:27:072135 Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊
2022-05-10 19:30:484040 就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天，Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會，PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC(碳化硅
2022-05-17 11:56:293551 眾所周知，在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻驅(qū)動器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動機(jī)的前端，以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)或高壓(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:33824 理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
SiC驅(qū)動器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動器模塊可以用于電動車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)
2023-12-14 11:37:10288 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器，新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
Microchip近日宣布推出一款創(chuàng)新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅(qū)動器，該驅(qū)動器采用了Augmented Switching?專利技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其mSiC解決方案系列，為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
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