由于PN結中的載流子已經耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，從圖1中可見，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。
（2）特性曲線
1）轉移特性
圖2（a）給出了N溝道結型場效應管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉移特性曲線，它和電子管的動態特性曲線非常相似，當柵極電壓VGS=0時的漏源電流。用IDSS表示。VGS變負時，ID逐漸減小。ID接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用VP表示，在0≥VGS≥VP的區段內，ID與VGS的關系可近似表示為：
ID=IDSS（1-|VGS/VP|）
其跨導gm為：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微歐）|
式中：△ID------漏極電流增量（微安）
------△VGS-----柵源電壓增量（伏）

2）漏極特性（輸出特性）
圖2(b)給出了場效應管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線 很相似。
①可變電阻區（圖中I區）在I區里VDS比較小，溝通電阻隨柵壓VGS而改變，故稱為可變電阻區。當柵壓一定時，溝通電阻為定值，ID隨VDS近似線性增大，當VGS＜VP時，漏源極間電阻很大（關斷）。IP=0；當VGS=0時，漏源極間電阻很小（導通），ID=IDSS。這一特性使場效應管具有開關作用。
②恒流區（區中II區）當漏極電壓VDS繼續增大到VDS＞|VP|時，漏極電流，IP達到了飽和值后基本保持不變，這一區稱為恒流區或飽和區，在這里，對于不同的VGS漏極特性曲線近似平行線，即ID與VGS成線性關系，故又稱線性放大區。
③擊穿區（圖中Ⅲ區）如果VDS繼續增加，以至超過了PN結所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流ID突然增大，若不加限制措施，管子就會燒壞。
2、絕緣柵場效應管
它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
（1）結構原理
它的結構、電極及符號見圖3所示，以一塊P型薄硅片作為襯底，在它上面擴散兩個高雜質的N型區，作為源極S和漏極D。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個電極G（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場面效應管。

1、夾斷電壓VP
當VDS為某一固定數值，使IDS等于某一微小電流時，柵極上所加的偏壓VGS就是夾斷電壓VP。
2、飽和漏電流IDSS
在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于VP時的漏極電流稱為IDSS。
3、擊穿電壓BVDS
表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開始上升進入擊穿區時對應的VDS。
4、直流輸入電阻RGS
在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過柵極的電流來表示，結型場效應管的RGS可達1000000000歐而絕緣柵場效應管的RGS可超過10000000000000歐。
5、低頻跨導gm
漏極電流的微變量與引起這個變化的柵源電壓微數變量之比，稱為跨導，即
gm= △ID/△VGS
它是衡量場效應管柵源電壓對漏極電流控制能力的一個參數，也是衡量放大作用的重要參數，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時，漏極相應變化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）來表示