簡稱：Cache

　　標(biāo)準(zhǔn)：Cache Memory

　　中文：高速緩存

　　高速緩存是隨機存取內(nèi)存(RAM)的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當(dāng)中央處理器(CPU)處理數(shù)據(jù)時，它會先到高速緩存中尋找，如果數(shù)據(jù)因先前已經(jīng)讀取而暫存其中，就不需從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)。由于CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續(xù)存取內(nèi)存的話，必須等待數(shù)個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應(yīng)CPU的讀取速度。如Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數(shù)據(jù)高速緩存，通稱為L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)芯片。

　　簡稱：DDR

　　標(biāo)準(zhǔn)：Double Date Rate

　　中文：雙倍數(shù)據(jù)傳輸率

　　DDR系統(tǒng)時脈為100或133MHz，但是數(shù)據(jù)傳輸速率為系統(tǒng)時脈的兩倍，即200或266MHz，系統(tǒng)使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存(SDRAM)好。

　　簡稱：DIMM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Dual in Line Memory Module

　　中文：雙直列內(nèi)存條

　　DIMM是一個采用多塊隨機存儲器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一種封裝技術(shù)。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(tǒng)(BIOS)儲存各種參數(shù)，讓芯片組(Chipset)達到最佳狀態(tài)。

　　簡稱：DRAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Dynamic Random Access Memory

　　中文：動態(tài)隨機存儲器

　　一般計算機系統(tǒng)使用的隨機存取內(nèi)存(RAM)可分動態(tài)與靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數(shù)據(jù)保存，SRAM的數(shù)據(jù)則不需要刷新過程，在上電期間，數(shù)據(jù)不會丟失。

　　簡稱：ECC

　　標(biāo)準(zhǔn)：Error Checking and Correction）

　　在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改正。

　　簡稱：EDO DRAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

　　中文：EDO動態(tài)隨機存儲器

　　EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)讀取效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆字節(jié)(MB)增加到了200MB。

　　簡稱：EEPROM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

　　中文：電子抹除式只讀存儲器

　　非揮發(fā)性存儲器。電源撤除后，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同時輸出相應(yīng)命令，就可以擦除內(nèi)部數(shù)據(jù)。典型應(yīng)用于如電視機、空調(diào)中，存儲用戶設(shè)置的參數(shù)。

　　這種存儲器支持再線修改數(shù)據(jù)，每次寫數(shù)據(jù)之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數(shù)據(jù)的大約時間在2-10ms之間。支持單字節(jié)單元擦除功能。

　　簡稱：EPROM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Erasable Programmable Read-Only Memory

　　中文：紫外擦除只讀存器

　　非揮發(fā)性存儲器。不需要電力來維持其內(nèi)容，非常適合用作硬件當(dāng)中的基本輸出入系統(tǒng)(BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復(fù)使用。

　　這種存儲器不支持再線修改數(shù)據(jù)。

　　簡稱：Flash

　　標(biāo)準(zhǔn)：Memory

　　中文：閃爍存儲器

　　非揮發(fā)性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發(fā)性存儲器中容量最大的存儲器。支持再線修改數(shù)據(jù)，寫數(shù)據(jù)的速度比EEPROM提高1個數(shù)量級。

　　Flash應(yīng)用于大容量的數(shù)據(jù)和程序存儲，如電子字典庫、固態(tài)硬盤、PDA上的操作系統(tǒng)等。

　　簡稱：FeRAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Ferroelectric random access memory

　　中文：鐵電存儲器

　　相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM（static random access memory)和動態(tài)存儲器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)。 RAM 類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。

　　非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器（ROM）技術(shù)。 正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術(shù)包括有EPROM (幾乎已經(jīng)廢止）、EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。

　　鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。

　　簡稱：MRAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Magnetoresistive Random Access Memory

　　中文：磁性隨機存儲器

　　磁性隨機存儲器是正在開發(fā)階段的，基于半導(dǎo)體(1T)和磁通道(magnetic tunnel junction-MTJ)技術(shù)的固態(tài)存儲介質(zhì)，屬于非揮發(fā)性芯片。主要開發(fā)廠商有IBM、Infineon(英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數(shù)高于現(xiàn)有的Flash存儲器，可達1015，讀寫時間可達70nS。

　　簡稱：RAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Random Access Memory

　　中文：隨機存儲器

　　隨機存取內(nèi)存，是內(nèi)存(Memory)的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區(qū)域，指令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內(nèi)存，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或鼠標(biāo)之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助內(nèi)存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。

　　簡稱：RDRAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Rambus DRAM

　　中文：Rambus動態(tài)隨機存儲器

　　這是一種主要用于影像加速的內(nèi)存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業(yè)時不會間斷，比起動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當(dāng)然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現(xiàn)有內(nèi)存，不過因為總線 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態(tài)隨機存取內(nèi)存 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM則可達600MHz，內(nèi)存也只有8或9位 (bit ) 長，若將RDRAM并排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將內(nèi)存增為32或64位。

　　簡稱：ROM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Read Only Memory

　　中文：只讀存儲器

　　只讀存儲器，這種內(nèi)存 (Memory ) 的內(nèi)容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數(shù)據(jù)，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發(fā)性芯片上，也就是說，即使在關(guān)機之后記憶的內(nèi)容仍可以被保存，所以這種內(nèi)存多用來儲存特定功能的程序或系統(tǒng)程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認(rèn)其儲存數(shù)據(jù)的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時回路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

　　簡稱：SDRAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Synchronous Dynamic RAM

　　中文：同步動態(tài)隨機存儲器

　　SDRAM的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態(tài)記憶模塊 (EDO DRAM ) 的速度還快，采用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規(guī)格，100MHz的規(guī)格就是大家所熟知的PC100內(nèi)存 (Memory ) 。

　　簡稱：SIMM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Single In-Line Memory Module

　　中文：單直列內(nèi)存模塊

　　內(nèi)存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應(yīng)用在主機板(Mother Board)上，當(dāng)時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line)，一次資料存取 (Access)為32個字節(jié)，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32字節(jié)的工作量，但是外部的數(shù)據(jù)總線(Data Bus)為64字節(jié)(bite)，因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執(zhí)行龐大的資料(Data)處理工作。

　　簡稱：SRAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Static Random Access Memory

　　中文：靜態(tài)隨機存儲器

　　SRAM制造方法與動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM )不同，每個位使用6個晶體管(transistor)組成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但制造成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。

　　簡稱：VCM SDRAM

　　標(biāo)準(zhǔn)：Virtual Channel Memory SDRAM

　　中文：虛擬信道存儲器

　　1999年由于SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及芯片組 (Chipset)業(yè)者，大力推廣所謂的VCM模塊技術(shù)，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規(guī)格推向工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。VCM內(nèi)存規(guī)格是以SDRAM為基礎(chǔ)觀念所開發(fā)出的新產(chǎn)品，并加強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料后，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內(nèi)部區(qū)分為16條虛擬信道Virtual Channel），每一個信道都負(fù)責(zé)一個單獨的memory master，因此可以減少內(nèi)存(Memory)接口的負(fù)擔(dān)，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內(nèi)存模塊廠商的宇瞻科技與日本NEC技術(shù)合作，在***推出以PC133 (PC133) VCM內(nèi)存模塊為設(shè)計的筆記型計算機，由于VCM技術(shù)可以減少內(nèi)存接口的負(fù)擔(dān)，以及本身低耗電的特性，相當(dāng)適合筆記型計算機的運用，品質(zhì)與一般個人計算機相較之下毫不遜色。