國外主要集成電路生產廠家的集成電路命名方法 |
器件型號舉例說明?
AM | 29L509 | P | C | B |
AMD首標 | 器件編號 | 封裝形式 | 溫度范圍 | 分類 |
? | "L":低功耗; | D:銅焊雙列直插 | C:商用溫度, | 沒有標志的 |
? | "S":肖特基; | (多層陶瓷); | (0-70)℃或 | 為標準加工 |
? | "LS":低功耗肖特基; | L:無引線芯片載體: | (0-75)℃; | 產品,標有 |
? | 21:MOS存儲器; | P:塑料雙列直插; | M:軍用溫度, | "B"的為已 |
? | 25:中規范(MSI); | E:扁平封裝(陶瓷扁平); | (-55-125)℃; | 老化產品。 |
? | 26:計算機接口; | X:管芯; | H:商用, | ? |
27:雙極存儲器或EPROM ; | A:塑料球柵陣列; | (0-110)℃; | ? | |
28:MOS存儲器理; | B:塑料芯片載體 | I:工業用, | ? | |
29:雙極微處理器; | C、D:密封雙列; | (-40~85 )℃; | ? | |
54/74:同25; | E:薄的小引線封裝; | N:工業用, | ? | |
60、61、66:模擬,雙極; | G:陶瓷針柵陳列; | (-25~85)℃; | ? | |
79:電信; | Z、Y、U、K、H:塑料 | K:特殊軍用, | ? | |
80:MOS微處理器; | 四面引線扁平; | (-30~125)℃; | ? | |
81、82:MOS和雙極處圍電路; | J:塑料芯片載體(PLCC); | L:限制軍用, | ? | |
90:MOS; | L:陶瓷芯片載體(LCC); | (-55-85)℃< | ? | |
91:MOS RAM: | V、M:薄的四面 | 125℃。 | ? | |
92:MOS; | 引線扁平; | ? | ||
93:雙極邏輯存儲器 | P、R:塑料雙列; | ? | ||
94:MOS; | S:塑料小引線封裝; | ? | ||
95:MOS外圍電路; | W:晶片; | ? | ||
1004:ECL存儲器; | 也用別的廠家的符號: | ? | ||
104:ECL存儲器; | P:塑料雙列; | ? | ||
PAL:可編程邏輯陳列; | NS、N:塑料雙列; | ? | ||
98:EEPROM; | JS、J:密封雙列; | ? | ||
99:CMOS存儲器。 | W:扁平; | ? | ||
R:陶瓷芯片載體; | ? | |||
A:陶瓷針柵陳列; | ? | |||
NG:塑料四面引線扁平; | ? | |||
Q、QS:陶瓷雙列。 | ? |
644 | A | S | H | /883B | |
ANA首標 | 器件 | 附加說明 | 溫度范圍 | 封裝形式 | 篩選水平 |
AD:模擬器件 | 編號 | A:第二代產品; | I、J、K、L、M: | D:陶瓷或金屬氣 | MIL-STD- |
HA:混合 | ? | DI:介質隔離產 | (0-70)℃; | 密雙列封裝 | 883B級。 |
A/D; | ? | 品; | A、B、C: | (多層陶瓷); | ? |
HD:混合 | ? | Z:工作在+12V | (-25-85)℃; | E:芯片載體; | ? |
D/A。 | ? | 的產品。(E:ECL) | S、T、U: | F:陶瓷扁平; | ? |
? | ? | ? | (-55-125)℃。 | G:PGA封裝 | ? |
? | ? | ? | ? | (針柵陣列); | ? |
? | ? | ? | ? | H:金屬圓殼氣 | ? |
? | ? | ? | ? | 密封裝; | ? |
? | ? | ? | ? | M:金屬殼雙列 | ? |
? | ? | ? | 密封計算機部件; | ? | |
? | ? | ? | ? | N:塑料雙列直插; | ? |
? | ? | ? | ? | Q:陶瓷浸漬雙列 | ? |
? | ? | ? | ? | (黑陶瓷); | ? |
? | ? | ? | ? | CHIPS:單片的芯片。 | ? |
同時采用其它廠家編號出廠產品。 |
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