隨著新能源汽車（NEV）的崛起，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為這一領域的核心元件。目前我國新能源汽車快速發展已經使IGBT已成為我國最重要的應用領域，占據約30%的市場份額。以特斯拉Model
2023-10-21 11:30:00
567 
不同的研究。但是，其中大多數僅適用于與絕緣柵雙極晶體管（IGBT）一起使用的頻率，通常高達20 kHz。 英飛凌使用碳 化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）寬帶隙（WBG ）開關，將仿真和實驗方法相結合，研究了較高開關頻率對逆變器和電機效率（高達50
2023-10-18 14:11:03123 
新能源汽車（NEV）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊市場正在全球范圍內迅速增長。在北美（NA）地區，電動汽車和混合動力汽車的不斷采用推動了對IGBT模塊的需求。亞太地區（APAC），尤其是中國
2023-09-12 16:50:32655 
與傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術相比，碳化硅（SiC）技術具有更多優勢
2023-09-12 09:45:5794 絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:29612 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor)是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在
2023-08-24 11:01:32606 
隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發展，在結構和性能上有很大的改進，熱產生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT 芯片是產生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴重影響器件的工作性能。
2023-07-27 10:43:26392 
除了這些新材料外，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術在電力電子領域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次進入IGBT市場，推出了一系列新的600 V設備。本文將介紹IGBT、trench-gate設備和Nexperia的新產品系列。
2023-07-18 15:35:53223 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
最先進的電機驅動器使用基于 3 相絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的逆變器，該逆變器由直流母線電壓供電，通常在 400 V 直流至 800 V 直流范圍內。該高壓軌可以直接來自三相整流橋式濾波器組合或功率因數校正升壓整流器，后者從三相交流輸入產生高壓軌（見圖3）。
2023-06-13 17:20:03543 
碳化硅 （SiC） 是一種成熟的器件技術，在 900 V 至 1，200 V 以上的高壓、高開關頻率應用中，與硅 （Si） 技術（包括硅超結 （SJ） 和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） ）相比具有
2023-05-24 09:27:40266 
按照器件結構，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10:021520 
依賴于AC網絡，因此它們可以向無源負載供電并具有黑啟動能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無需進行晶閘管所需的換流操作，并可實現雙向電流流動。
2023-04-06 10:10:031207 
電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現驅動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現交流感應電機所需的正弦電流。
2023-03-31 09:40:45228 過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高的開關頻率，不僅可以通過降低電阻和開關損耗
2023-03-15 09:42:07479 
二極管PD 晶閘管SCR 功率晶體管GTR 功率場效應晶體管PowerMOSFET 絕緣柵雙極晶體管IGBT 功率放大環節概述 線性功率放大器 電力電子技術概述 電子電力技術是電力、電子和控制三者之間的交
2023-03-07 10:32:16
0 本文對IGBT芯片的電熱性能進行了廣泛的研究，用于IGBT芯片中的3D封裝結構。在過去的幾年里，半導體技術取得了長足的進步，特別是在電力電子領域，在研究和重工業應用中的應用。絕緣柵雙極晶體管
2023-02-19 17:35:20743 
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導體器件，常用作電子開關。憑借出色的開關特性、耐高溫性、輕量級和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成為電動汽車等大功率應用的首選技術。
2023-02-16 09:40:42272 按照器件結構，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-02-07 09:50:12434 本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學習絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應用。IGBT是一種功率開關晶體管，它結合了MOSFET和BJT的優點，用于電源和電機控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:26957 本文介紹了在電機驅動應用中為功率級選擇隔離式柵極驅動器時，您有多種選擇。柵極驅動器可簡單可復雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:21792 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結合了GTR和MOSFET的優點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發射極E。
2022-10-28 16:12:427822 
一.晶體管包括雙極結型晶體管(BJT)、場效應管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結型晶體管，其按PN結結構分為NPN型和PNP型;
2022-10-25 09:06:396381 過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比 IGBT 更高的開關頻率，不僅可以通過降低電阻和開關損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。
2022-10-11 10:50:262712 碳化硅(SiC）具有較寬的帶隙，已廣泛應用在高電壓電力電子器件中，如分立式的功率金屬-氧化物-半導體場效應晶體管 (Power MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管（IGBT)。
2022-09-19 10:19:551603 
電力電子行業在 80 年代初期向前邁出了一大步，當時絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 技術的引入使創新型電源轉換器的設計成為可能，從而以更低的成本實現更高的效率。IGBT 可以以低導通電阻（即低飽和
2022-08-09 08:02:09567 
的功率和熱循環進行了探討。 各種工業應用中通常會使用多達十幾種的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，設計IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應用提供最優的性價比和適當的可靠性。 商用電動車(EV)和混合動力電動車(HEV)的出現為IGBT模塊創造了一個新
2022-08-06 14:54:531763 電力電子設備，其內置器件包括金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和雙極CMOS-雙擴散MOS集成電路（BCD）
2022-08-01 16:23:05742 功率開關要么使用傳統的硅基技術制造，例如MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，要么使用更新的寬帶隙半導體制造，例如碳化硅和氮化鎵。在相關應用中，汽車是近年來發展勢頭強勁的領域，主要是由于正在向電動汽車過渡以及電動汽車的逐步采用。
2022-07-29 08:06:31395 
那樣依賴于AC網絡，因此它們可以向無源負載供電并具有黑啟動能力。
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無需進行晶閘管所需的換流操作，并可實現雙向電流流動。
表1對LCC和VSC進行了對比。...
2022-02-11 15:00:540 （ RCT）等，還是新型功率半導體器件如：門極關斷晶閘管（GTO）、門極換流晶閘管（GCT）、集成門極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（ IGBT），由于這些器件都屬于雙極注入器件，故其通態特性最后都歸結到PiN 功率二極管的通態特性上來。
2021-03-16 10:39:0030 ，包括雙極結晶體管（BJT）、MOSFET、二極管及晶閘管。但對多裸片絕緣柵雙極晶體管（IGBT）而言，這種方法被證實不足以勝任。
2021-03-15 15:18:371508 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保護以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成的損壞和故障，這些保護是確保如電機驅動以及
2021-03-15 15:11:162188 
先說個冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數群體的意思……好了，回到正題。 IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵
2021-02-03 17:37:1510629 高壓半導體開關（絕緣柵雙極晶體管[IGBT]和碳化硅[SiC]）正在驅動系統中的總線電壓（800 V或1,000 V）。隨著系統電壓的升高，對隔離技術的要求也不斷提高，以確保整體安全性和可靠性。
2020-09-21 15:39:461461 介紹了一種基于復雜可編程邏輯器件（CPLD）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）驅動信號封鎖 保護電路的設計，該電路以ALTERA公司MAXII系列CPLD芯片為核心，采用了EDA軟件QuartusII
2019-12-24 10:07:0023 對于微型模型來說，熱源及其所有熱路徑的特征在于它們的熱阻，熱阻由所使用的材料，質量和尺寸決定。 這顯示了熱量將如何從源流出，也是評估因自身耗散而導致熱事故的組件的第一步，例如高耗散IC，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT），甚至是電阻。
2019-08-20 14:16:352580 
排表面有做絕緣處理，主要用于降低電機控制器內銅排導體、絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）等元件間的雜散電感，避免電壓脈沖損壞IGBT。
2019-07-29 17:16:592637 作為新型電力半導體器件的主要代表， IGBT被廣泛用于工業、信息、新能源、醫學、交通、軍事和航空領域。隨著半導體材料和加工工藝的不斷進步， IGBT的電流密度、耐壓和頻率不斷得到提升。 目前，市場上
2019-05-07 08:00:005 安森美的電源產品包括絕緣柵雙極晶體管（IGBT），這是一種三端半導體器件，具有寬泛的雙極電流承載能力。其產品組合包括650V ~ 1200V用于牽引驅動應用的高功率IGBT器件。
2019-03-25 14:23:003040 在幾十年的時間里，制造商對基本設計進行了改進，設置導通電阻和擊穿電壓的新標準。然而，這些參數通常需要在MOSFET設計中相互折衷。增加擊穿電壓的技術往往會推高導通電阻。因此，諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等競爭器件已經取得了進展，其應用需要比MOSFET更高的擊穿電壓額定值。
2019-03-13 08:50:0037216 
整車控制器VCU通過驅動電機控制器DCU將信號發送至逆變器內的IPM，并使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在驅動電機U／V／W三相間進行切換，從而控制驅動電機工作。如果VCU接收到來自DCU的過熱、過電流、過電壓等異常信號，則其將切斷逆變器，停止對驅動電機供電。
2018-09-15 11:00:003100 目前，產業化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新結構設計制造技術，以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國際領先研發
2018-04-24 16:12:5110 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 安全工作，它集功率晶體管 GTR 和功率場效應管MOSFET 的優點于一身，自關斷、開關頻率高 （10-40 kHz） 的特點，是目前發展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、 UPS 及逆變焊機當中。
2018-01-26 14:35:4040555 
）等，還是新型功率半導體器件，如：門極關斷晶閘管（GTO）、門極換流晶閘管（GCT）、集成門極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（IGBT），都屬于雙極注入器件，所以它們的通態特性最后都可以歸結到PiN功率二極管的通態特性上。 在實際應用中，往往有多個器件的并
2017-10-31 10:19:4112 絕緣柵雙極晶體管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保護以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成的損壞和故障，這些保護是確保如電機驅動以及
2017-09-12 11:00:4018 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在需要高電壓和開關頻率的電流電路中獲得相當多的使用。一般來說，這些電路是在電機控制，不間斷電源和其他類似的逆變器應用。大部分的IGBT的流行源于其簡單的MOSFET
2017-07-04 10:51:0522 Littelfuse， Inc.（NASDAQ：LFUS）宣布其已達成最終協議，將向ON Semiconductor Corporation收購用于汽車點火應用的瞬態電壓抑制（“TVS”）二極管、開關晶閘管和絕緣柵雙極晶體管（“IGBT”）產品組合，總收購價為1.04億美元。
2016-08-26 12:29:491314 2016 年 5月10日- 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON），推出新系列絕緣柵雙極晶體管（IGBT），采用公司專有的超場截止溝槽技術
2016-05-10 17:57:401797 近日，德州儀器 （TI） 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111072 制造商已經為高壓直流 （HVDC） 應用開發出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）/ 二極管芯片組并對其性能進行了優化 。
2014-10-28 17:32:253681 
2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421903 東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅動光電耦合器，用于直接驅動中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061406 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗，旨在為焊接應用做出優化。
2014-08-19 16:31:532272 東芝公司旗下半導體&存儲產品公司今天宣布其門驅動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅動中等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。
2014-06-06 19:09:451000 全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421186 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開關應用作出了優化。
2014-03-10 09:50:221463 今天，不論是用在工業領域還是民用產品的開關應用，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）都可以提供有效的解決方案，以實現最終產品的高能效和高性能。在節能至上的市場上，電子設計人員首選可以實現高能效的器件，而且要
2013-11-20 17:28:141009 
2013年10月22日 – Amantys今日宣布推出一款針對高功率模塊的全新絕緣柵雙極晶體管（IGBT）柵極驅動器，其工作電壓為4500V，額定電流從400A至1200A，它專為支持包括ABB、Dynex、日立、英飛凌和三菱等制造商的模塊產品而設計。
2013-10-23 18:28:401720 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產品系列專為嚴苛環境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。
2013-08-19 16:08:18793 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業電機驅動及不間斷電源 （UPS） 應用進行了優化。
2013-06-14 15:22:001200 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日提升絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 選型工具的性能，以優化多種應用的設計過程，包括馬達驅動器、不間斷電源 （UPS）、太陽能逆變器及焊接等應用。
2013-03-12 15:27:58997 德州儀器 （TI） 宣布推出業界首款面向絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 與碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
2013-03-04 10:59:311123 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，這些經過優化的新器件尤為適合不間斷電源 （UPS）、太陽能、感應加熱、工業電機和焊接應用。
2013-02-19 10:58:47933 如今市場上先進功率元件的種類數不勝數，工程人員要為一項應用選擇到合適的功率元件，的確是一項艱巨的工作。就以太陽能逆變器應用來說，絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 能比其他
2013-01-09 09:56:222034 
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機驅動應用，包括冰箱和空調的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19941 比較場效應管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構成的逆變電路，針對IGBT構成的逆變電路中的重要環節分別提出改進方案來優化電路設計。最終既滿足對高壓大容量系統要求，又可以提高整個
2012-03-07 10:42:445937 
江蘇宏微科技有限公司自主研發的大功率超快速軟恢復外延型二極管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片，順利通過有關專家組鑒定
2012-03-06 08:59:16751 中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團隊緊張而期待。由他們設計的一款IGBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進行超高壓
2011-12-06 10:36:221661 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日擴充堅固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能
2011-11-16 08:54:11983 近日全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:541743 在實際應用電力電子技術過程中,絕緣柵雙極晶體管( IGBT ) 驅動保護電路的合理設計應根據具體器件的特性,選擇合適的參數,使之實現最優驅動和有效可靠的保護。文中針對具體工程,對
2011-08-17 15:54:46113 摘要:介紹了以AT89C51單片機為控制中樞,利用EXB841專用驅動及保護器件對功率模塊絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進行驅動與保護的變頻器設計方法。介紹了EXB841在應用中的一些原則性事項,闡
2010-09-13 08:21:12211 太陽能電池、電源管理器件、高亮度LED和RF功率晶體管的特性分析等高功率測試應用經常需要高電流，有時需要高達40A甚至更高的功率，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）將需要100A
2010-08-06 17:09:531182 
1.IGBT的基本結構
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國
2010-05-27 17:29:3811817 
分析IGBT的門極驅動鑒于絕緣柵雙極晶體管IGBT在逆變電焊機中的應用日益普、及，針對IGBT門極驅動特點，分析了它對于驅動波形，功率，布線，隔離等方面的要求，并介紹了一種
2010-03-14 19:08:3449 本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統中的應用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實際應用中應注意的問題。Abstract: This paper introduces the application of
2010-03-14 18:53:5728 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區之間多了一個P型層.根據國際電工委員會IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:223985 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結構雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154870 IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32639 絕緣柵雙極晶體管原理、特點及參數
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:595108 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001192 
隨著功率VMOS器件以及絕緣柵雙極晶體管(IGBT)器件的廣泛運用，更多場合使用VMOS器件或IGBT器件組成橋式電路，例如開關電源半橋變換器或全橋變換器、直流無刷電機的
2009-02-17 14:53:013171 IGBT在不間斷電源的應用
：本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統中的應用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實際應用中應注意的問題。
2007-12-22 11:18:5183
電子發燒友App
工商網監
評論