單結晶體管的結構

晶閘管的觸發電路有很多，其中比較常見的有單結晶體管觸發電路。單結晶體管又稱雙基極二極管，有一個發射極和兩個基極[2]。它是在一塊高摻雜的N型硅基片一側的兩端各引出一個接觸電阻很小的極，分別稱為第一基極B1 和第二基極B2。而在硅片的另一側靠近B2處，摻入P型雜質，形成PN 結，引出電極，稱為發射極。因為N 型硅基片的雜質少，所以兩基極之間的電阻（體電阻）較高。值得注意的是RB1 的阻值會隨發射極電流Ie 的變化而改變，具有可變電阻的特性。發射極與兩個基極之間的PN 結用一個等效二極管D 表示。圖3 是它的結構、符號和等效電路。

圖3 單結晶體管示意圖

當發射極電流為零時，外加電壓UBB 在RB1 和RB2 之間按一定比例分壓，A 點和B1 之間的電壓為

其中濁成為單結晶體管的分壓系數（又稱分壓比），它與管子內部結構有關，通常在0.3~0.9之間。圖4是其伏安特性圖。

圖4 單結晶體管伏安特性圖