1. 針對ICBO的影響，可設法使基極電流IB隨溫度的升高而自動減小。

2. 針對VBE的影響，可設法使發射結的外加電壓隨溫度的增加而自動減小。

二、射極偏置電路穩定工作點的原理：

射極偏置電路如圖1所示，其直流通路如圖2所示。

電路參數選擇使電路滿足I1>>IB條件，??

可得?? VB ?? Rb2VCC/（Rb1+ Rb2）。

當溫度上升? IC（IE）增加? IERe增加? VBE減小（因VBE=VB–IERe，而VB一定）? IB自動減小? 結果牽制了IC的增加，IC 基本恒定。設計此種電路時，一般可選取：

I1=（5~10）IB （硅管）

I1=（10~20）IB （鍺管）

VB=（3~5）V? （硅管）?

VB=（1~3）V?? （鍺管）

一、射極偏置電路靜態分析

分析電路的靜態工作點要以直流通路作為分析依據。將圖1射極偏置電路中的耦合電容Cb1、Cb2開路，畫出其直流通路如圖2所示。