眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42
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如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35267 
功率MOSFET數據表參數
2023-08-24 09:13:06262 
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06259 
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關動作應用中的重要參數。 清楚地理解雪崩強度的定義，失效的現象及評估的方法是功率MOSFET電路設計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:45708 
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-03-15 09:22:28406 功率 MOSFET 上電氣過載的故障特征-AN11243
2023-02-23 19:03:17
0 功率MOSFET手冊-中文版201808-The_Power_MOSFET_漢...
2023-02-20 19:30:518 使用功率 MOSFET Zth 曲線-AN11156
2023-02-17 18:49:230 功率MOSFET是一種功率型半導體元件，它可以控制大電流的流動，從而控制電路的功能。
2023-02-16 18:22:33731 MOSFET的RDS是正溫度系數；VGS低于5.5V時，溫度越高電流越大，功率MOSFET的的RDS是負溫度系數。
2023-02-16 14:07:08791 
本文論述了功率MOSFET管導通電阻的正溫度系數和負溫度系數的雙重特性以及相對應的VGS的轉折電壓，功率MOSFET管在開通和關斷時要跨越這兩個區域的工作過程。
2023-02-16 11:22:59432 
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管
2023-02-15 15:47:36304 某些電源架構要求電源排序器（或系統管理器）控制下游功率MOSFET，以允許功率流入分支電路。如果輸入電源電壓至少比電源輸出電壓高5V，則可以在電源輸出端放置一個功率MOSFET，并增加一些電平轉換電路。
2023-02-09 12:07:58372 
專精于高頻領域，預計2022年功率MOSFET全球市場規模可達85億美元 功率MOSFET是電力控制中必不可缺的專精于高頻領域的功率器件。功率MOSFET是市場占比最高的功率器件，由于自身電壓驅動
2022-11-30 10:38:39759 功率 MOSFET 是最常見的功率半導體，主要原因是因為其柵極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度，使其成為電機驅動時最常用的功率半導體。本文將為您簡介功率 MOSFET 的技術特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的產品特性。
2022-09-27 15:17:561204 
功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導體中的一種。與其它功率半導體相比較，功率MOSFET具備電源開關速度快、低壓效率高的優勢
2022-08-16 14:30:56628 功率MOSFET帶負載功率能力的評估
2022-07-26 17:43:441587 
在進行功率MOSFET電路設計時需要注意的重要參數是電流、電壓、功耗和熱。功耗和熱通常相互關聯。
2022-07-26 17:18:301900 
功率MOSFET特性參數的理解
2022-07-13 16:10:3921 盡管分立式功率MOSFET的幾何結構，電壓和電流電平與超大規模集成電路（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。
2022-02-08 15:59:067 功率MOSFET的驅動電路設計論文
2021-11-22 15:57:3778 電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:586917 
功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0242 功率MOSFET應用研究及主電路設計。
2021-03-22 17:23:1631 自2018年開始，功率MOSFET的平均售價持續上升，其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產品成長幅度最顯著，已位居價格中的首位。
2019-07-05 14:52:444898 
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一
2018-10-11 08:33:005546 關于irlml6346trpbf的HEXFET功率MOSFET數據手冊資料下載！
2017-09-20 14:51:3210 關于IRF7503PbF的HEXFET功率MOSFET數據手冊資料下載
2017-09-20 14:38:427 功率MOSFET驅動和保護電路，以及其的相關應用。
2016-04-26 16:01:467 功率MOSFET在電子負載中的應用，電子負載的制作時功率模塊的應用。
2016-02-22 15:08:5041 結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效
2013-09-26 14:54:2392 分析了對功率MOSFET器件的設計要求；設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實
2012-03-14 14:23:48220 本內容提供了功率MOSFET與高壓集成電路的知識概括。眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有理想開關的特性。其主要缺點是開
2011-07-22 11:28:47234 RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一狀況。和硅雙極型晶
2011-05-28 16:18:2467 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優點，因而非常適合用作開關電源的整流組件
2011-01-13 10:57:001509 
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V；低導通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ；工作頻率范圍從直流到達數
2010-06-07 08:22:4840 基于功率MOSFET設計考量
用作功率開關的MOSFET
隨著數十年來器件設計的不斷優化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅
2010-04-24 11:44:421188 
功率MOSFET驅動電路分析:針對功率MOSFET的特點，介紹由多個—概管組成的組臺式驅動電路．在逆變焊接電源上做了實驗．驗證了該方法的合理性。關鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:5469 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181395 NexFETTM：新一代功率 MOSFET
對于理想開關的需求
功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調變 (PWM) 應用中的電氣開關，例如穩壓器及/或控制電源應用之中負載電流的開關
2010-02-06 09:16:011367 
小信號應用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多
2009-12-31 09:59:441332 功率Mosfet參數介紹
第一部分 最大額定參數最大額定參數，所有數值取得條件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39:538507 功率MOSFET的工作原理，規格和特性均與變極式功率電晶體有所不同。
2009-11-20 11:02:2950 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡
2009-11-19 14:53:2434 功率MOSFET管
自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:121798 理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:593279 功率MOSFET的基本知識:功率MOSFET主要用于計算機外設(軟、硬驅動器、打印機、繪圖機)、電源(AC／DC變換器、DC／DC變換器)、汽車電子、音響電路及儀器、儀表等領域。本文將介紹
2009-09-23 23:09:4630 功率MOSFET
2009-09-23 19:35:0636 功率MOSFET及其
2009-07-27 09:38:50877 
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的
2009-07-06 13:49:385322 
功率MOSFET并聯均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:073284 
功率MOSFET的種類
按導電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道 增強型—
2009-04-14 22:08:473752 
功率MOSFET的隔離式柵極驅動電路
2009-04-02 23:36:182084 
功率MOSFET的結構和工作原理功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P
2008-08-12 08:43:32100 功率MOSFET的基本知識
2006-04-16 23:34:421861 
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