摘要：IR1166/7A-B則是一款能從電源變壓器二次側檢測信號作智能式同步整流的控制IC，它不僅不需要從初級側傳輸信號，而且能適應多種電路拓樸，還可應用于定頻PWM及變頻PWM等方面。文中詳細介紹了IR1166/7A-B的主要特點、引腳功能、內部結構及典型應用。

　　關鍵詞：IR1166/7;開關電源;整流

　　至今為止，多數同步整流控制IC需要從初級側取同步信號。IR公司購買專利技術新開發的IR1166/7A-B則是一款能從電源變壓器二次側檢測信號作智能式同步整流的控制IC，它不僅不需要從初級側傳輸信號，而且能適應多種電路拓樸，適應定頻PWM及變頻PWM。

　　1 主要特點

　　IR1167系在開關電源二次側專用于驅動同步整流MOSFET的控制IC，且能適應DCM、CCM以及多種電路拓樸?？梢怨ぷ髟诙l及變頻兩種模式，也能用于不對稱半橋電路的同步整流，其主要特色有：

　　◇適應反激變換器的DCM、CRM及CCM三種模式工作，還適用于LLC式半橋。

　　◇具有最高500kHz工作頻率。

　　◇可提供總計7A(IR1166為4A)的輸出驅動及關斷峰值電流(2A源出5A漏入)的能力。

　　◇其柵驅動輸出電壓在10.7～14.5V。

　　◇可提供50ns關斷比例延遲。

　　◇VCC電壓從11.3～20V。

　　◇可直接檢測MOSFET的源漏電壓。

　　◇符合低于1W的Standby能量之星的要求。

　　2 引腳功能

　　IR1166/7A-B共有8(PIN)個端子，其主要引腳功能如下：

　　1PIN VCC IC供電端，內部有欠壓鎖定及過壓關斷保護。在VCC電壓低于11.3V時關斷，高于20V時關閉，為防止噪聲干擾，必須在緊靠IC處加一個足夠大的旁路電容。

　　2PIN OVT偏置電壓調整，OVT端用于調節關斷閾值VTH1的偏移量。此端可選擇接到GND，或接到VCC，或令其浮動，共三種輸入偏置調整。此特色可以應對不同水平的MOSFET的RDSON。

　　3PIN MOT最小導通時間，MOT調節端控制最小導通時間的總量，一旦VTH2穿過第一時間，即給出柵驅動信號，令整流MOSFET導通，因為虛假信號及振蕩也會觸發輸入比較器，所以MOT用于消隱比較器保持MOSFET導通，且維持一個最小時間。MOT調節范圍在200ns到3μs之間，與地之間接一支電阻即可實現調節。

　　4PIN EN使能端，此端可使IC進入休息模式，將電壓拉到2.5V以下。在休息模式，IC消耗電流總量很小，當然開關功能也被禁止，無法做柵驅動。

　　5PIN VD漏極電壓檢測端，用于檢測同步整流MOSFET的漏極電壓，由于此端電壓會比較高，必須小心處理，用合適的方法將其接到漏極，此外在此端不可作濾波或作限流，這會影響IC的性能。

　　6PIN VS源極電壓檢測端，用于檢測同步整流MOSFET的源極電壓，此端必須直接接于電源的GMD及IC的(7)PIN，要用Kelvin接法，盡可能靠近MOSFET的源極端子。

　　7PIN GND IC的公共端，內部元件及柵驅動的參考端。

　　8PIN VGATE柵驅動輸出端，此端為IC驅動同步整流MOSFET的驅動輸出端，源出能力為2A，漏入能力為5A峰值電流。雖然此端可直接接于功率MOSFET柵極，但建議加一支小電阻串入在柵回路中，特別在驅動幾個同步整流MOSFET并聯時，小心地保持柵驅動環路有最小的路徑，從而實現最佳開關性能。

　　3 內部功能

　　IR1167的內部等效電路如圖1。其基本應用電路如圖2所示。

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　　3.1 UVLO/Sleep模式

　　IC保持在UVLO條件之下，直到VCC端電壓超過VCC開啟閾值電壓Vcc on。在IC處于UVLO狀態時，柵驅動電路處于非激活狀態。IC的靜態工作電流Iccstart流過，UVLO模式在VCCUVLO時，即為此種狀態，休息模式可以用將EN端電壓拉低到2.5V以下。在此時，IC也只有極低的靜態工作電流。

　　3.2 正常模式

　　一旦VCC超過UVLO電壓，IC即進入正常工作模式，此時，柵驅動可以開始工作，Icc最大的工作電流從VCC電壓源取得。

　　IR1167智能同步整流IC可以仿效整流二極管的工作，合適地驅動同步整流用的功率MOSFET。整流電流的方向檢測由輸入比較器采用MOSF-ET的RDSON作為并聯電阻，且據此給出柵驅動輸出，內部消隱邏輯用于防止抑制瞬態干擾，保證CCM或DCM或CRM的工作模式(見圖3)。在反激式變換電路中，有上述三種電流狀態。

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　　3.3 導通階段

　　當SR的MOSFET剛開始導通時，電流先經過其體二極管，產生一個負電壓VDS，體二極管壓降隨電流而增大，IC檢測此電壓，在其超過VT-H2時驅動MOSFET導通，作同步整流，在這一點IR1167驅動MOSFET導通，使VDS降下來，加入一段最小導通時間MOT(minimum on time)，消隱干擾，保持MOSFET導通，因而MOT還限制了初級側的最大占空比。