A, Ampere的縮寫, 安培

　　a-Si, amorphous silicon的縮寫, 含氫的, 非結晶性硅。

　　Absorption, 吸收。

　　Absorption of the photons:光吸收;當能量大于禁帶寬度的光子入射時，太陽電池內的電子能量從價帶遷到導帶，產生電子——空穴對的作用，稱為光吸收。

　　Absorptionscoefficient, 吸收系數, 吸收強度。

　　AC, 交流電。

　　Ah, 安培小時。

　　Acceptor, 接收者, 在半導體中可以接收一個電子。

　　alternating current, 交流電，簡稱“交流. 一般指大小和方向隨時間作周期性變化的電壓或電流. 它的最基本的形式是正弦電流. 我國交流電供電的標準頻率規定為50赫茲。交流電隨時間變化的形式可以是多種多樣的。不同變化形式的交流電其應用范圍和產生的效果也是不同的。以正弦交流 電應用最為廣泛，且其他非正弦交流電一般都可以經過數學處理后，化成為正弦交流電的迭加。

　　AM, air mass的縮寫, 空氣質量。

　　直射陽光光束透過大氣層所通過的路程，以直射太陽光束從天頂到達海平面所通過的路程的倍數來表示。

　　當大氣壓力P=1.013巴，天空無云時，海平面處的大氣質量為1。

　　amorphous silicon solar cell:非晶硅太陽電池(a—si太陽電池)

　　用非晶硅材料及其合金制造的太陽電池稱為非晶硅太陽電池，亦稱無定形硅太陽電池，簡稱a—si太陽電池。

　　Angle of inclination, 傾斜角，即電池板和水平方向的夾角，0-90度之間。

　　Anode, 陽極, 正極。

　　B

　　Back Surface Field, 縮寫BSF, 在晶體太陽能電池板背部附加的電子層, 來提高電流值。

　　Bandbreak, 在半導體中, 價帶和導帶之間的空隙,對于半導體的吸收特性有重要意義。

　　Becquerel, Alexandre-Edmond, 法國物理學家, 在1839年發現了電池板效應。

　　BSF, back surface field的縮寫。

　　Bypas-Diode, 與太陽能電池并聯的二極管, 當一個太陽能電池被擋住, 其他太陽能電池產生的電流可以從它處通過。

　　C

　　Cadmium-Tellurid, 縮寫CdTe; 位于II/VI位的半導體, 帶空隙值為1,45eV, 有很好的吸收性, 應用于超薄太陽能電池板, 或者是連接半導體。

　　Cathode, 陰極，或負極，是在電池板電解液里的帶負電的電極，是電池板電解液里帶電粒子和導線里導電電子的過渡點。

　　C-Si, crystalline-silicon的縮寫。

　　Cell temperature:電池溫度 。系指太陽電池中P-n結的溫度。

　　charge control, 充電控制器，在電池板設備和電池之間聯接。它控制并監控充電的過程。其他的功能如MPP(最大功率點跟蹤)和保護電池不過多放電而損壞。

　　CIGS, Copper Indium Gallium Diselenide 的縮寫。

　　CIS, Copper-Indium-Diselenide的縮寫。

　　Concentrator solarcell, 濃縮電池板，借助反光鏡或是透鏡使陽光匯聚在電池板上，缺點是要不停地控制它的焦點一直在電池板上，因為太陽在不停地動。

　　Concentration? ratio:聚光率;聚光器接收到的陽光光通量與太陽電池接收到的光通量之比叫聚光率。

　　Conductibility, 當金屬或半導體加上電磁場后，將會有一個和電磁場成比例增加的電流存在，該電流可以用電流密度來描述，即單位面積的電流強度。該電流強度越大，則說明該物質的導電能力越強，單位是S/cm2。西門子每平方厘米

　　Conduction band, 導帶，通過許多原子的交換效應，在半導體內部會出現導帶和價帶，之間通過帶溝隔開，電子可以運動到空穴里，空穴可以運行到價帶里，例如在電磁場的作用下或通過傳播，空穴電子對等。

　　Connection semiconductor, 連接半導體，指由兩個或多個化學元素組成的半導體，如鎵砷，鎘碲，銅銦等。

　　Copper-Indium, 銅銦化合物，因為在薄層電池板里它具有很高的吸收能力，銅的電子價帶具有1.0電子伏特，所以該化合物組成的電池板可以達到15.4%的效率。

　　Copper-Indium-Galium, 銅銦化合物化合物，因為在薄層電池板里它具有很高的吸收能力，在摻雜鎵的銅的電子價帶具有1.0到2.7電子伏特，所以該化合物組成的電池板可以達到17.7%的效率。

　　Corn border, 多晶硅每個晶體之間的邊界，阻礙電荷的移動，因此單晶硅的效率總的來說比多晶硅高。

　　Crystal silicon, 晶體硅

　　Current, 電流，電流是指電荷的定向移動。電流的大小稱為電流強度(簡稱電流，符號為I)，是指單位時間內通過導線某一截面的電荷量，每秒通過一庫侖的電量稱為一「安培」(A)。安培是國際單位制中所有電性的基本單位。 除了A，常用的單位有毫安(mA)及微安(μA) 。

　　Czochralsky-Procedure, 制造單晶體硅的方法, 從硅中熔煉出來。

　　D

　　DC, 直流電的縮寫。

　　Degradation, 太陽能電池板的效率會隨著光照時間增加而降低。

　　Diffusion, 電荷擴散, 產生一個濃度層。

　　Diode, 二極管, 電流只能朝一個方向流動。 太陽能電池其實理論上就是一個大面積, 被照射的二極管, I/U曲線特性。

　　Donator, 捐贈者, 在半導體中可給出一個電子。 對于硅, 原則上磷可作為捐贈者。

　　Duennschichtsolarzelle, 一種不用晶片, 而是才用超薄技術生產出來的超薄太陽能電池板, 其材料為a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs。

　　Duennschichttechnik, 生產超薄太陽能電池板的技術, 直接從便宜的基層材料制作, 比如玻璃, 金屬層, 塑料層。 優點是省材料, 能源, 可制作大面積的太陽能電池板。 使用金屬為a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs。

　　E