電子發燒友網訊：世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日研制成功的，但很多人都不明白到底什么是3D晶體管。今天電子發燒友網小編就帶大家一起來研究研究這個問題。

　　3D晶體管，從技術上講，應該是三個門晶體管。傳統的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。

　　門包圍著硅鰭。硅鰭的三個面都由門包圍控制，上面的頂部包圍一個門，側面各包圍一個門，共包圍三個門。在傳統的二維晶體管中只有頂部一個門包圍控制。英特爾對此作了十分簡單的解釋：“由于控制門的數量增加，晶體管處于‘開’狀態時，通過的電流會盡可能多；處于‘關’狀態時，電流會盡快轉為零，由此導致能耗降至最低。而且晶體管在開與關兩種狀態之間迅速切換能夠顯著的提高電路性能。

　　業界對于英特爾將采用的技術節點也有諸多猜測。英特爾的22nm制程將基于英特爾的第三代high-k/金屬柵方法，它使用銅互連、low-k、與32nm相同，英特爾采用193nm浸液式光刻技術。然而英特爾表明將延伸bulkCMOS的工藝制程，但是不會采用完全耗盡型（fully-depleted）──或稱為超薄硅絕緣體（SOI）技術。

　　實際上，3D晶體管就是tri-gate 和32nm的區別。3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗減少一半，這意味著它們更加適合用于小型掌上設備。3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術發展速度，它能讓摩爾定律延續數年。該技術能促進處理器性能大幅提升，并且可以更節能，新技術將用在未來22納米設備中，包括小的手機到大的云計算服務器都可以使用。


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