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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子技術(shù)應(yīng)用>電子常識(shí)>英特爾開發(fā)3D晶體管對(duì)ARM構(gòu)成的威脅

英特爾開發(fā)3D晶體管對(duì)ARM構(gòu)成的威脅

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英特爾的福瑟姆園區(qū)被用于固態(tài)硬盤(SSD)、圖形處理器、軟件甚至芯片的開發(fā),甚至芯片開發(fā)等多種研究開發(fā)英特爾計(jì)劃在2021年出售3d nand和ssd事業(yè)部門后,將適當(dāng)?shù)膶<肄D(zhuǎn)移到solidm或使其退出。
2023-08-18 11:27:43497

3D晶體管的轉(zhuǎn)變

在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里,新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益,這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好,因?yàn)殡娦盘?hào)在每個(gè)晶體管之間傳播的距離更短。
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2023-05-20 10:01:14328

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2023-04-19 14:31:23710

英特爾將在2014年推出14納米處理器芯片

Bridge的處理器。這種處理器使用3D(三閘)晶體管。  Pat Bliemer還證實(shí)稱,英特爾的Tick-Tock(工藝年-構(gòu)架年)戰(zhàn)略正在按計(jì)劃進(jìn)行。這意味著第一款采用14納米技術(shù)的處理器將在
2011-12-05 10:49:55

英特爾繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律,為在2030年打造出萬(wàn)億晶體管芯片鋪平道路

)上,英特爾發(fā)布了多項(xiàng)突破性研究成果,繼續(xù)探索技術(shù)創(chuàng)新,以在未來(lái)十年內(nèi)持續(xù)推進(jìn)摩爾定律,最終實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中集成一萬(wàn)億個(gè)晶體管英特爾的研究人員展示了以下研究成果:3D封裝技術(shù)的新進(jìn)展,可將密度再提升10倍;超越RibbonFET,用于2D晶體管微縮的新材料,包括僅三個(gè)
2022-12-06 15:50:21824

英特爾描繪了到2030年實(shí)現(xiàn)萬(wàn)億級(jí)晶體管芯片設(shè)計(jì)的路線圖

英特爾向今年的國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)提交了幾篇研究論文,強(qiáng)調(diào)了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計(jì)劃。這些新信息支持了首席執(zhí)行官Pat Gelsinger之前關(guān)于英特爾即將進(jìn)行的微
2022-12-05 10:16:07776

3D封裝技術(shù)如火如荼 3D DRAM正在路上

FinFET確切的說(shuō),是一個(gè)技術(shù)的代稱。世界上第一個(gè)3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功,當(dāng)時(shí)英特爾稱其為 “Tri-Gate”(三柵極晶體管)。
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續(xù)命摩爾定律!英特爾提出晶體管密度翻倍新工藝

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英特爾未來(lái)存儲(chǔ)該如何發(fā)展

一系列新品發(fā)布外,更重要的是從中讀出出售閃存業(yè)務(wù)后,英特爾存儲(chǔ)的未來(lái)發(fā)展方向。 此次活動(dòng)上,英特爾發(fā)布了六款全新的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品,三款基于3D XPoint的傲騰系列產(chǎn)品以和三款基于英特爾144層3D NAND的SSD。其中三款傲騰系列產(chǎn)品包括兩款新
2020-12-25 10:56:072484

英特爾發(fā)布670p SSD:全新主控

根據(jù)英特爾官方的消息,在今天的 2020 英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上,英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤 670p,采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家了解到,670p 是繼
2020-12-17 10:04:272736

英特爾發(fā)布固態(tài)盤 670p: 144 層 QLC 3D NAND,全新主控

12 月 16 日消息 根據(jù)英特爾官方的消息,在今天的 2020 英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上,英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤 670p,采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:222228

英特爾采用Super MIM優(yōu)化技術(shù)推出晶體管技術(shù)SuperFin

制程工藝是非常重要的基礎(chǔ)。在今年“架構(gòu)日”上,英特爾推出了創(chuàng)新的晶體管技術(shù)SuperFin。這項(xiàng)技術(shù)擁有行業(yè)顛覆意義,英特爾在底層晶體管設(shè)計(jì)上做了優(yōu)化,降低了電阻,提高了電流,同時(shí)在電容層級(jí)采用了Super MIM的大幅優(yōu)化技術(shù),電容量提高了5倍,同時(shí)降低了壓降。
2020-08-27 11:14:582173

繼電器輸出和晶體管輸出,二者之間有什么區(qū)別

中都會(huì)涉及到這一重要元件。 而晶體管主要是泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件。也是規(guī)范操作電腦,手機(jī),和所有其英特爾3D晶體管技術(shù)英特爾3D晶體管技術(shù)(16張) 他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。 兩者的區(qū)別還不僅僅是上
2020-06-17 11:40:3932546

英特爾與美光簽署3D XPoint存儲(chǔ)晶圓新的供應(yīng)協(xié)議

在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后,英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲(chǔ)器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出,鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商,其需要向美光支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:141872

英特爾正著力開發(fā)基于5G的VR內(nèi)容開發(fā)平臺(tái)

針對(duì) 2020 年?yáng)|京奧運(yùn)會(huì)、2022 年北京冬奧會(huì)和 2024 年巴黎奧運(yùn)會(huì),英特爾正著力開發(fā)基于 5G 的 VR、3D 和 360 度內(nèi)容開發(fā)平臺(tái)。
2019-10-23 17:38:33528

擠牙膏不影響創(chuàng)新 英特爾公布三種3D封裝新技術(shù)

英特爾近日在舊金山召開的SemiCon West上公布了他們?cè)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域最新的研究成果,一共公布了三種新的3D封裝工藝,為未來(lái)開啟了一個(gè)全新的維度。芯片封裝一直是芯片制造中的一個(gè)重頭戲,在傳統(tǒng)的2D
2019-07-11 16:58:103562

英特爾公布英特爾傲騰混合式固態(tài)盤信息 新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品即將上市

英特爾今日公布了英特爾?傲騰?混合式固態(tài)盤的詳細(xì)信息,這款創(chuàng)新的設(shè)備采用M.2規(guī)格,體積小巧,將英特爾傲騰技術(shù)的卓越響應(yīng)速度與英特爾?Quad Level Cell(QLC)3D NAND技術(shù)的強(qiáng)大存儲(chǔ)容量融為一體。
2019-04-12 17:25:583937

蘋果將放棄英特爾處理器 采用自己的ARM芯片

此前外界普遍預(yù)計(jì),蘋果最早將在2020年放棄英特爾處理器,轉(zhuǎn)而采用自己的ARM芯片。Axios報(bào)道今日稱,一些開發(fā)人員和英特爾預(yù)計(jì)最早明年蘋果就會(huì)采取這一行動(dòng)。據(jù)Axios報(bào)道,盡管蘋果公司尚未
2019-02-25 08:57:029148

隨著與英特爾合作關(guān)系的結(jié)束 美光的3D XPoint開發(fā)和商業(yè)化有望加速

的價(jià)值可能超過(guò)一萬(wàn)億美元。那么,在美光發(fā)布QuantX產(chǎn)品兩年多之后,以及英特爾最近因其在3D XPoint合資企業(yè)中的存在而觸發(fā)了看漲期權(quán)之后,3D XPoint現(xiàn)在究竟處于一個(gè)什么樣的階段呢?
2019-02-11 16:26:00926

深度講解分析英特爾3D封裝技術(shù)

一說(shuō)到二維(2D)或三維(3D),總是讓人想到人眼視覺(jué)效果,然而在半導(dǎo)體領(lǐng)域,3D技術(shù)帶來(lái)的革命更嘆為觀止,早些年的FinFET和3D NAND只是個(gè)開始。從2018年12月初英特爾公布新架構(gòu)路線,到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整臺(tái)電腦,這樣的速度,你不得不更上!
2019-01-29 11:09:004863

淺析英特爾Foveros邏輯芯片的3D堆疊

在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動(dòng)中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構(gòu),還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros。
2018-12-15 09:22:423269

英特爾邏輯芯片3D堆疊技術(shù)“Foveros” 將實(shí)現(xiàn)世界一流性能

英特爾近日向業(yè)界推出了首款3D邏輯芯片封裝技術(shù)“Foveros”,據(jù)悉這是在原來(lái)的3D封裝技術(shù)第一次利用3D堆疊的優(yōu)點(diǎn)在邏輯芯片上進(jìn)行邏輯芯片堆疊。也是繼多芯片互連橋接2D封裝技術(shù)之后的又一個(gè)顛覆技術(shù)。
2018-12-14 16:16:452192

英特爾為你解說(shuō)“Foveros”邏輯芯片3D堆疊技術(shù)

在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動(dòng)中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構(gòu),還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros。這一全新的3D封裝技術(shù)首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢(shì),可實(shí)現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 15:35:327653

麻省理工開發(fā)微加工技術(shù)可生產(chǎn)最小的3D晶體管

新的微加工技術(shù)可用于生產(chǎn)有史以來(lái)最小的3D晶體管,尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。
2018-12-12 09:40:482861

新型存儲(chǔ)技術(shù)3D XPoint目前處于發(fā)展初期 美光英特爾分道揚(yáng)鑣

近期,美光正式宣布,對(duì)IM Flash Technologies,LLC(簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認(rèn)購(gòu)期權(quán)。IM Flash是美光與英特爾的合資公司,主推市場(chǎng)上的新型存儲(chǔ)芯片技術(shù)3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491042

采用英特爾實(shí)感技術(shù)的3D掃描進(jìn)行全身掃描

查看使用英特爾?實(shí)感?技術(shù)提供高分辨率3D全身掃描的Cappasity Easy 3D Scan * Booth!
2018-11-09 06:12:002311

英特爾實(shí)感遠(yuǎn)程攝像機(jī):全身3D掃描儀的前身

來(lái)自Cappasity的英特爾?軟件創(chuàng)新者展示了全身3D掃描儀的早期原型,即英特爾?實(shí)感?遠(yuǎn)程攝像機(jī)。
2018-11-07 06:40:002715

NAND閃存面臨限制,英特爾3D XPoint戰(zhàn)略

英特爾頭痛的是,3D XPoint市場(chǎng)規(guī)模仍然很小,這讓他們無(wú)法將該產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。如果沒(méi)有高產(chǎn)量,其生產(chǎn)成本將會(huì)保持很高,可能高于DRAM。然而,英特爾必須以低于DRAM的價(jià)格出售3D XPoint,才會(huì)吸引消費(fèi)者。這意味著英特爾必須賠錢來(lái)建立市場(chǎng)。
2018-10-16 15:47:033881

英特爾3D XPoint:一種新的內(nèi)存類型,速度比閃存快千倍

英特爾在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周日開始出貨首批基于3D XPoint新技術(shù)的產(chǎn)品,希望借此重塑計(jì)算機(jī)內(nèi)存市場(chǎng),協(xié)助公司從科技行業(yè)的數(shù)據(jù)爆炸中獲得更多利潤(rùn)。
2018-09-16 10:50:153127

英特爾下一世代3D XPoint研發(fā)陣地轉(zhuǎn)移至墨西哥

英特爾周一宣布,下一世代3D XPoint存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)計(jì)劃,將轉(zhuǎn)移陣地至新墨西哥州廠。據(jù)新墨西哥州長(zhǎng)Susana Martinez表示,英特爾變更布局將為當(dāng)?shù)貛?lái)逾100個(gè)新工作機(jī)會(huì)。(usnews.com)
2018-09-12 11:33:263407

英特爾采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤發(fā)布,以便擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)

近日,英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤,加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:54746

ARM強(qiáng)化合作,英特爾晶圓代工騰飛的節(jié)奏?

英特爾制造日,英特爾發(fā)布了10nm晶圓。通過(guò)采用超微縮技術(shù)(hyper scaling),英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距,從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。超微縮技術(shù)
2018-03-12 11:48:00593

英特爾將于紫光合作,在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片

上周,隨著英特爾和美光宣布未來(lái)雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí),有外媒報(bào)道,英特爾將于紫光合作,在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來(lái)幾年,英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:554386

英特爾和美光合作關(guān)系終結(jié) 將攜手清華紫光將共同開發(fā)3D NAND

近日傳聞美光科技和英特爾的合作關(guān)系即將終止,主要是因?yàn)?b style="color: red">3D NAND技術(shù)還不適合目前的市場(chǎng),后續(xù)有傳說(shuō)英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片,具體情況如何還需要進(jìn)一步的考證。
2018-01-16 14:30:431228

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據(jù)外媒報(bào)道,英特爾和鎂光宣布,它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。
2018-01-11 09:16:023961

英特爾與紫光集團(tuán)合體進(jìn)攻3D NAND市場(chǎng),恐讓市場(chǎng)供需失衡

集微網(wǎng)消息,1月9日,英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚(yáng)鑣。今日臺(tái)灣DIGITIMES報(bào)道指出,業(yè)界透露英特爾3D NAND布局押寶大陸市場(chǎng),不僅
2018-01-10 19:43:16445

英特爾3D XPoint內(nèi)存封裝逆向介紹

TechInsights的研究人員針對(duì)采用XPoint技術(shù)的英特爾Optane內(nèi)存之制程、單元結(jié)構(gòu)與材料持續(xù)進(jìn)行深入分析與研究。 英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D
2017-09-18 19:39:004

英特爾也要開發(fā)量子計(jì)算機(jī)了,所用材料為硅晶體管

據(jù)消息,英特爾正計(jì)劃利用現(xiàn)有的硬件材料去開發(fā)量子計(jì)算機(jī)。通過(guò)量子機(jī)制,量子計(jì)算機(jī)能帶來(lái)更強(qiáng)大的計(jì)算性能。 荷蘭代夫特理工大學(xué)與英特爾合作開發(fā)的量子計(jì)算設(shè)備 競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手IBM、微軟和谷歌都在開發(fā)量子計(jì)算機(jī),但這些量子計(jì)算機(jī)與當(dāng)前的計(jì)算機(jī)有很大不同。英特爾則計(jì)劃利用當(dāng)前的硅晶體管材料來(lái)實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算機(jī)。
2016-12-23 02:39:111440

英特爾開放芯片工廠 竟要生產(chǎn)ARM芯片

今天在舊金山召開的英特爾全球開發(fā)者論壇(IDF),英特爾發(fā)布了諸多布局新技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品,包括融合現(xiàn)實(shí)MR眼罩、物聯(lián)網(wǎng)芯片焦耳(Joule)。但有一個(gè)非產(chǎn)品的消息同樣引起了媒體關(guān)注。英特爾已經(jīng)與ARM達(dá)成了新的授權(quán)協(xié)議,英特爾工廠未來(lái)將可以生產(chǎn)ARM芯片。
2016-08-17 10:15:22863

英特爾積極拓展3D技術(shù)和VR應(yīng)用市場(chǎng)

據(jù)The Register網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),英特爾(Intel)收購(gòu)以色列3D影像技術(shù)新創(chuàng)公司Replay Technologies,希望借此將該公司芯片觸角延伸到其他周邊科技和應(yīng)用,并針對(duì)虛擬實(shí)境(VR)等關(guān)鍵新興技術(shù),透過(guò)端對(duì)端的供應(yīng)方式,增加營(yíng)收與客戶控。
2016-04-27 16:46:44724

深度好文:看懂3D晶體管的奧秘

目前3D晶體管成為代工產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù),但很多人關(guān)于這個(gè)技術(shù)的細(xì)節(jié)不是很了解,我們?cè)谶@里介紹一下。
2015-12-28 14:34:1211367

3D懸浮等技術(shù)亮相英特爾未來(lái)技術(shù)展

汽車,英特爾公司期望透過(guò)該公司的新晶片進(jìn)展,為未來(lái)打造更安全且身歷其境的體驗(yàn)。 透過(guò)以下圖集,看看英特爾展示今日與明日的創(chuàng)新技術(shù)。 RealSense 3D懸浮屏幕 RealSense 3D監(jiān)測(cè) 英特爾在平板電腦與筆記型電腦中嵌入了 3D 感測(cè)元件、專用處理器以及多個(gè)攝影鏡頭,
2014-07-01 09:50:514058

英特爾再繪新版圖,3D NAND指日可待

IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司,日前,該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451411

美高森美選擇英特爾代工服務(wù)開發(fā)數(shù)字集成電路

的onshore代工技術(shù)和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術(shù),開發(fā)先進(jìn)的高性能數(shù)字集成電路(IC)和系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)解決方案。
2013-05-09 11:15:58772

IBM展示領(lǐng)先芯片技術(shù),3D晶體管碳納米來(lái)襲

IBM在Common Platform技術(shù)論壇上展示了藍(lán)色巨人對(duì)未來(lái)晶圓的發(fā)展預(yù)測(cè),Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的聯(lián)盟,旨在研究3D晶體管
2013-02-20 23:04:307669

英特爾將在SoC移動(dòng)芯片上應(yīng)用“3D晶體管” 業(yè)界質(zhì)疑

近日消息,英特爾計(jì)劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動(dòng)芯片上,以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升,但對(duì)于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造,參與舊金山國(guó)際電子產(chǎn)品大會(huì)的專家們
2012-12-11 09:05:451014

Intel 3D晶體管來(lái)勢(shì)洶洶 ARM毫不畏懼

本文中心議題: 英特爾(Intel)于日前宣布芯片設(shè)計(jì)創(chuàng)新,外界認(rèn)為,主要是為擺脫英國(guó)芯片大廠ARM威脅ARM對(duì)英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑戰(zhàn)。但是ARM卻表明立場(chǎng):面對(duì)
2012-08-15 13:56:421250

ARM并不看好Intel的3D晶體管制程技術(shù)

英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn),它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器,代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別,它不只可
2012-08-15 11:23:241179

技術(shù)牛人對(duì)intel的22nm 3D工藝的解讀

英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn),它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器,代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別,它不只可
2012-08-15 11:23:244748

22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)詳解

本文核心議題: 通過(guò)本文介紹,我們將對(duì)Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造,沒(méi)想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277091

3D晶體管的優(yōu)點(diǎn)

Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個(gè)3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進(jìn)入大家的視線了,本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點(diǎn)。
2012-08-08 11:49:461736

什么是3d晶體管

什么是3D晶體管3D晶體管,從技術(shù)上講,應(yīng)該是三個(gè)門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭(fin)所取代,硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:012992

高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管

本文通過(guò)高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造,沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝,并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:1870

3D晶體管 續(xù)寫摩爾定律的輝煌

為了在硅芯片上擠入更多的元件,英特爾已開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3-D晶體管的處理器。這一舉動(dòng)不僅延長(zhǎng)了摩爾定律(根據(jù)該定律,每塊芯片上的晶體管數(shù)量每?jī)赡昃蜁?huì)翻一番)的壽命
2012-07-09 11:11:341040

知名半導(dǎo)體廠商3D工藝眾生相:掀半導(dǎo)體業(yè)模式風(fēng)暴

2012年4月23日,英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計(jì),最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功,并于4月29日開始全球銷售。
2012-05-13 09:35:434558

英特爾22nm 3D晶體管工藝,Achronix公布全新Speedster22i系列FPGA細(xì)節(jié)

  Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié),它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051138

英特爾Ivy Bridge處理器力壓AMD圖形芯片

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊:英特爾今天推出了首款運(yùn)用22納米3D三維晶體管技術(shù)制造的處理器Ivy Bridge,這款內(nèi)核主要搭載在超薄高亮筆記本上面。分析人士認(rèn)為,這款芯片會(huì)縮短其與圖形處理性能
2012-04-24 17:11:521207

Netronome將采用英特爾22納米技術(shù)生產(chǎn)世界最高性能流處理器

將特別采用英特爾3-D三維晶體管尖端制造工藝
2012-04-16 08:52:00631

英特爾:將為Tabula代工第二代FPGA芯片

可編程邏輯廠商Tabula 2月21日確認(rèn),英特爾將使用最新技術(shù)3-D三柵極晶體管技術(shù)為其代工22-nm3PLD產(chǎn)品。
2012-02-21 15:07:15875

英特爾 3D晶體管

晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石,而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明,甚至可以說(shuō)是重新發(fā)明了晶體管。半個(gè)多世紀(jì)以來(lái),晶體管一直都在使用2-D 平面結(jié)構(gòu),現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52146

惠普公布超低能耗服務(wù)器開發(fā)計(jì)劃 或威脅英特爾

北京時(shí)間11月2日凌晨消息,惠普周二公布了一項(xiàng)計(jì)劃,將與ARM和AMD等公司合作開發(fā)超低能耗服務(wù)器,此舉可能對(duì)英特爾的市場(chǎng)主導(dǎo)地位形成威脅
2011-11-02 09:24:09331

22納米3D晶體管技術(shù)

Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破,沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu),一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401274

英特爾3d三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲年度科技創(chuàng)新獎(jiǎng)

近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”,英特爾3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:04867

3D晶體管、Ultrabook技術(shù)探討

在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(huì)(IDF)中,英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié),并進(jìn)一步說(shuō)明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計(jì)概念。
2011-09-16 09:23:43811

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