霍爾式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的工作原理

　　無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)（non一eontaetswiteh）靠改變電路阻抗值的變化，階躍地改變負(fù)荷電流，而完成電路通斷的一種開(kāi)關(guān)電器（見(jiàn)低壓電器）。無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的主要特點(diǎn)是沒(méi)有可運(yùn)動(dòng)的觸頭部件，導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)不出現(xiàn)電弧或火花。無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)分為磁放大器式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，電子管、離子管式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，半導(dǎo)體無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

　　磁放大器式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)是利用磁性材料做成的。其磁放大器鐵芯上繞有交流繞組和直流繞組，改變直流繞組的直流磁化電流的大小即可改變鐵芯的磁導(dǎo)率，以使交流繞組的電抗值變化。電路中交流繞組的電抗值最大時(shí)，電路的箱出電流最小;而鐵芯飽和后，交流繞組的電抗值最小，則翰出電流最大。此兩種工作狀態(tài)對(duì)應(yīng)于電路的關(guān)斷和導(dǎo)通。由于帶鐵芯的交流繞組電抗值不可能無(wú)窮大，所以電路在高阻狀態(tài)下尚有一定的輸出電流。此種無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)體積與重量較大，電流轉(zhuǎn)換的速度慢，已較少采用。

　　無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路圖

　　電路圖一：

　　圖所示電路是無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路，由四只2ACM型磁敏二極管組成橋式檢測(cè)電路。平時(shí)無(wú)磁場(chǎng)時(shí)，磁敏二極管組成的電橋無(wú)信號(hào)輸出;當(dāng)磁鐵運(yùn)行到距磁敏二極管一定位置時(shí)，在磁鐵磁場(chǎng)作用下，磁敏電橋輸出信號(hào)，該信號(hào)加在VT1的基極上，使其導(dǎo)通。由于R1上的壓降增高，使晶閘管VT2導(dǎo)通，繼電器K工作，其常開(kāi)觸點(diǎn)K一l和K一2閉合，指示燈點(diǎn)亮，控制電路接通。

　　電路圖二：

　　如圖下圖所示，C1、VD、C2、R2、C3和穩(wěn)壓管VS等組成半波整流濾波及穩(wěn)壓電路，R4、RP、C4組成RC時(shí)間電路，與非門D、晶體管VT和雙向晶閘管V等組成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)按鈕開(kāi)關(guān)SB斷開(kāi)時(shí)，電源經(jīng)R4、RP給C4充電，a點(diǎn)呈高電位。與非門D輸出低電位，晶體管VT截止。此時(shí)，晶閘管關(guān)斷，負(fù)載不得電。

　　當(dāng)按下按鈕SB時(shí)，電容C4迅速經(jīng)R3放電，a點(diǎn)呈低電位，與排門D翻轉(zhuǎn)，輸出高電位，晶體管VT導(dǎo)通，同時(shí)觸發(fā)雙向晶閘管V導(dǎo)通，負(fù)載得電工作。松開(kāi)按鈕SB，延時(shí)開(kāi)始。電源重新經(jīng)R4、RP給C4充電，a點(diǎn)電位逐步上升，當(dāng)達(dá)到與非門D的開(kāi)門電平時(shí)，D翻轉(zhuǎn)，VT截止，V關(guān)斷，負(fù)載斷電，延時(shí)結(jié)束。

　　調(diào)節(jié)RP電阻值，可讓延時(shí)時(shí)間在5s~50min范圍變化。V應(yīng)根據(jù)電源電壓和負(fù)載容量選擇。D可選用C036兩輸入端四與非門，其中之一即可，VS的穩(wěn)壓值在6~9V之間。

　　該電路可實(shí)現(xiàn)交流負(fù)載在通電一定時(shí)間后自行關(guān)斷，適用于暗室曝光等設(shè)備。

　　電路圖三：