氮化鎵十大龍頭企業

　　今天我們一起學習一下關于氮化鎵龍頭企業到達有哪些呢？首先氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下，產生紫光（405nm）激光。

　　下面我們一起了解一下關于氮化鎵龍頭企業有哪些？

　　1.三安光電（600703）

　　化合物半導體代工，已完成部分GaN的產線布局，是氮化鎵的龍頭。三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發、生產與銷售，產品性能指標居國際先進水平。

　　2.聞泰科技（600745）

　　其安世入股的Transphorm獲得了車規級認證，車載GaN已經量產，全球最優質的氮化鎵供應商之一。公司主營通訊和半導體兩大業務板塊，目前已經形成從芯片設計、晶圓制造、半導體封裝測試到產業物聯網、通訊終端、筆記本電腦、IoT、汽車電子產品研發制造于一體的龐大產業布局。通訊業務板塊包括手機、平板、筆電、IoT、汽車電子等領域。

　　3.耐威科技（300456）

　　公司目前的第三代半導體業務主要是指GaN（氮化鎵）材料的生長與器件的設計，公司已成功研制8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續研發氮化鎵器件。北京耐威科技股份有限公司以傳感技術為核心，緊密圍繞物聯網、特種電子兩大產業鏈，一方面大力發展MEMS、導航、航空電子三大核心業務，一方面積極布局無人系統、第三代半導體材料和器件等潛力業務，致力于成為具備高競爭門檻的一流民營科技企業集團。公司主要產品及業務包括MEMS芯片的工藝開發及晶圓制造、導航系統及器件、航空電子系統等，應用領域包括通信、生物醫療、工業科學、消費電子、航空航天、智能交通等。公司業務遍及全球，客戶包括特種電子用戶以及全球DNA/RNA測序儀巨頭、新型超聲設備巨頭、網絡通信和應用巨頭以及工業和消費細分行業的領先企業。

　　4.南大光電（300346）

　　公司的高純磷烷、砷烷研發和產業化項目已經列入國家科技重大專項。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。MO源是MOCVD技術生長化合物半導體超薄型膜材料的支撐材料。化合物半導體主要用于制造高亮度發光管、高遷移率晶體管、半導體激光器、太陽能電池等器件，在紅外探測、超高速計算機等方面的應用也有著光明的前景。

　　5.海陸重工（002255）

　　旗下江蘇能華微電子科技發展有限公有專業研發、生產以氮化鎵（ GaN）為代表的復合半導體高性能晶圓，并用其做成功率器件。蘇州海陸重工股份有限公司位于江蘇省張家港市開發區，是國內一流的節能環保設備的專業設計制造企業，目前并已初步形成鍋爐產品、大型壓力容器、核電設備、低溫產品、環保工程共同發展的業務格局。

　　6.海特高新（002023）

　　海威華芯布局氮化鎵功率器件代工，技術達到國際先進水平

　　7.富滿電子（300671）

　　充電器主控芯片，與oppo合作研發過GaN的充電器

　　8.云南鍺業（002428）

　　子公司云南鑫耀半導體材料有限公司目前已建成砷化鎵單晶及晶體產業化生產線，目前GaAs單晶片產能為80萬片/年（折合4英寸），2019年上半年產量

　　9.有研新材（600206）

　　公司為國內靶材等半導體材料的龍頭企業之一，也是國內水平砷化鎵最大的供應商，旗下有研光電擁有如萬片/年的GaAs襯底產能。

　　10.乾照光電（300102）

　　是國內最大的能夠批量生產砷化鎵太陽能電池外延片的企業，研發并生產世界最尖端的高性能砷化鎵太陽能電池，填補了該領域的國內空白。

　　氮化鎵材料應用

　　新型電子器件

　　GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管（HFET）、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。調制摻雜的AlGaN/GaN結構具有高的電子遷移率（2000cm2/v·s）、高的飽和速度（1×107cm/s）、較低的介電常數，是制作微波器件的優先材料；GaN較寬的禁帶寬度（3.4eV） 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。

　　光電器件

　　GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批量生產階段，從而填補了市場上藍色LED多年的空白。以發光效率為標志的LED發展歷程見圖3。藍色發光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機等領域有著巨大的應用市場。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術已經實現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛投入巨資加入到開發藍光LED的競爭行列。

　　1993年，Nichia公司首先研制成發光亮度超過lcd的高亮度GaInN/AlGaN異質結藍光LED，使用摻Zn的GaInN作為有源層，外量子效率達到2.7%，峰值波長450nm，并實現產品的商品化。1995年，該公司又推出了光輸出功率為2.0mW，亮度為6cd商品化GaN綠光 LED產品，其峰值波長為525nm，半峰寬為40nm。最近，該公司利用其藍光LED和磷光技術，又推出了白光固體發光器件產品，其色溫為6500K，效率達7.5流明/W。除Nichia公司以外，HP、Cree等公司相繼推出了各自的高亮度藍光LED產品。高亮度LED的市場預計將從1998年的 3.86億美元躍升為2003年的10億美元。高亮度LED的應用主要包括汽車照明，交通信號和室外路標，平板金色顯示，高密度DVD存儲，藍綠光對潛通信等。

　　在成功開發Ⅲ族氮化物藍光LED之后，研究的重點開始轉向Ⅲ族氮化物藍光LED器件的開發。藍光LED在光控測和信息的高密度光存儲等領域具有廣闊的應用前景。目前Nichia公司在GaN藍光LED領域居世界領先地位，其GaN藍光LED室溫下2mW連續工作的壽命突破10000小時。HP公司以藍寶石為襯底，研制成功光脊波導折射率導引GaInN/AlGaN多量子阱藍光LED。CreeResearch公司首家報道了SiC上制作的CWRT藍光激光器，該激光器彩霞的是橫向器件結構。富士通繼Nichia，CreeResearch和索尼等公司之后，宣布研制成了InGaN藍光激光器，該激光器可在室溫下CW應用，其結構是在SiC襯底上生長的，并且采用了垂直傳導結構（P型和n型接觸分別制作在晶片的頂面和背面），這是首次報道的垂直器件結構的CW藍光激光器。

　　在探測器方面，已研制出GaN紫外探測器，波長為369nm，其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、導彈預警等方面有重要應用。

　　應用前景

　　對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd（520nmLED）;日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是到2005年研制密封在熒光管內、并能發出白色光的高能量紫外光LED，這種白色LED的功耗僅為白熾燈的1/8，是熒光燈的1/2， 其壽命是傳統熒光燈的50倍～100倍。這證明GaN材料的研制工作已取相當成功，并進入了實用化階段。InGaN系合金的生成，InGaN/AlGaN 雙質結LED，InGaN單量子阱LED，InGaN多量子阱LED等相繼開發成功。InGaNSQWLED6cd高亮度純綠茶色、2cd高亮度藍色 LED已制作出來，今后，與AlGaP、AlGaAs系紅色LED組合形成亮亮度全色顯示就可實現。這樣三原色混成的白色光光源也打開新的應用領域，以高可靠、長壽命LED為特征的時代就會到來。日光燈和電燈泡都將會被LED所替代。LED將成為主導產品，GaN晶體管也將隨材料生長和器件工藝的發展而迅猛發展，成為新一代高溫度頻大功率器件。
責任編輯：YYX