在工程應用中可靠性技術貫穿于VLSI需求分析、產品設計、制造工藝、試驗檢測以及應用全過程的各個階段和方面，軍事電子和航天技術的發展對VLSI提出了越來越高的可靠性要求，推動了VLSI可靠性技術的不斷發展。由于技術的發展和需求的推動，VLSI可靠性保證已從過去主要通過可靠性試驗和篩選來控制最終產品的可靠性，逐步轉向加強工藝過程控制、加強可靠性設計與功能設計的協同，在考慮工藝能力和功能設計的同時，針對主要失效機理提出對策措施，并對VLSI在全壽命周期中以及特定環境條件下的可靠性指標及其成本進行綜合權衡，據此在電路設計、結構設計和版圖布局、材料選擇、工藝流程和參數選擇、工藝過程控制、設計驗證與過程評價、產品的可靠性試驗評價與篩選等環節引入適當的可靠性技術，使產品的可靠性水平得到保證和提高。VLSI可靠性技術包含了可靠性設計與模擬、可靠性試驗與評價、工藝過程質量控制、失效機理與模型研究以及失效分析技術等五個主要的技術方向，隨著可靠性物理研究的不斷深入，VLSI可靠性技術呈現出模型化、定量化、綜合化的發展趨勢。

　　由于VLSI集成度一直遵循“摩爾定律”以每18個月翻一番的速度急劇增加，目前一個芯片上集成的電路元件數早已超過一個億，這種發展趨勢正在使VLSI在電子設備中扮演的角色從器件芯片轉變為系統芯片(SOC);與此同時，深亞微米的VLSI工藝特征尺寸已達到0.18 μm以下，在特征尺寸不斷縮小、集成度和芯片面積以及實際功耗不斷增加的情況下，物理極限的逼近使影響VLSI可靠性的各種失效機理效應敏感度增強，設計和工藝中需要考慮和權衡的因素大大增加，剩余可靠性容限趨于消失，從而使VLSI可靠性的保證和提高面臨巨大的挑戰。因此，國際上針對深亞微米/超深亞微米VLSI主要失效機理的可靠性研究一直在不斷深入，新的失效分析技術和設備不斷出現，世界上著名的集成電路制造廠商都建立了自己的VLSI質量與可靠性保證系統，并且把針對VLSI主要失效機理的晶片級和封裝級可靠性評價測試結構的開發和應用納入其質量保證計劃，可靠性模擬在可靠性設計與評估中的應用也日益增多。在進一步完善晶片級可靠性(WLR)、統計過程控制(SPC)和面向可靠性的實驗設計方法(DOE)等可靠性技術的同時，國際上在90年代提出了內建可靠性(BIR)的新概念，把相關的各種可靠性技術有目標地、定量地綜合運用于VLSI的研發和生產過程，從技術和管理上構建VLSI質量與可靠性的保證體系，以滿足用戶對降低VLSI失效率、提高其可靠性水平的越來越高的要求。

　　VlSI發展思路

　　在我國，VLSI可靠性技術經過近兩個五年計劃的研究和實踐，發展與應用已經上了一個新臺階。在VLSI工藝可靠性評價與保證技術方面，建立了面向國內重點集成電路研究的生產線的晶片級可靠性技術WLR，包括工藝質量評價PCM技術、可靠性評價REM技術和工藝質量控制SPC技術，為集成電路制造階段工藝質量控制和可靠性保證提供了必要的方法和手段，為考核工藝線質量和可靠性能力水平提供了定量依據;在VLSI可靠性設計、模擬與分析技術方面，針對當前VLSI設計階段的可靠性問題開展了針對主要失效機理的可靠性設計技術研究，自行開發了集成電路可靠性綜合模擬器ISRIC，建立并逐步完善了以電子束測試、光發射故障診斷、電子微探針分析和IDDQ測試為核心的綜合失效定位技術，并實施和驗證了這些技術的有效性，達到了工程實用化的要求。這些技術與90年代尤其是近幾年國外普遍采用的可靠性評價方法和技術相一致，具有技術先進和實用性強的特點，在國內幾條典型的集成電路生產線和多個電路產品中應用，對穩定工藝和提高工藝成品率，實現批次性工藝可靠性評價和工藝可靠性一致性監測，保證集成電路工藝平臺及電路產品的可靠性發揮了重要的作用。我國VLSI可靠性技術的發展具有以下特點：

　　(1)通過失效模式和失效機理分析，揭示導致失效和影響可靠性的內在根本原因，有針對性地進行可靠性設計—失效分析—信息反饋—設計改進，形成循環，以這樣的技術途徑促進VLSI固有可靠性水平提高。

　　(2)緊跟國際上先進的VLSI可靠性技術發展趨勢，如WLR技術、可靠性模擬技術、先進的失效分析技術等，并進行了深入研究和工程應用。

　　(3)由于我國VLSI可靠性技術應用的工藝平臺與國外有差距，因此目前我們研究和解決的重點是微米/亞微米器件的可靠性問題，而國際上可靠性研究的對象則是超深亞微米器件的可靠性問題。?

　　(4)我國VLSI可靠性技術面向工程應用，實用性強。以PCM、REM和SPC為核心的工藝可靠性評價與保證技術已經被采用，并取得成效。

　　未來十年將是國內VLSI產業和技術大發展的十年，將建成多個微電子產業基地，形成以0.25 μm以下VLSI加工技術為核心的設計、制造、測試、封裝企業群，并帶動全國范圍的微電子技術的蓬勃發展。VLSI可靠性技術的發展必需抓住時機，依托這一發展趨勢，突出重點，以應用促發展。

　　(1)在“十五”期間進一步加強對VLSI可靠性應用研究的投入，開展以ASIC、特別是SOC、CPU和DSP等為代表產品的VLSI可靠性設計與驗證技術、晶片級(WLR)的可靠性評價與保證技術，Foundry標準工藝線的可靠性參數建庫技術，超深亞微米器件失效物理研究，新材料、新器件結構的失效機理研究，無損檢測和評價篩選新方法研究，以及新的失效分析技術研究，有效控制各種失效模式，實現可靠性增長。

　　(2)依托電子元器件可靠性物理及其應用技術國家重點實驗室在微電子器件可靠性研究方面的技術和設備條件，通過進一步的能力擴展建設，形成VLSI可靠性評價、試驗、篩選、老化、失效分析等系列化的可靠性技術支撐體系，為半導體工業界提供相關技術服務。

　　(3)制定和實施可靠性相關標準。補充和完善現有國家標準、國軍標、企業標準中相關的可靠性內容，建立和完善各類可靠性設計、評價、試驗、工藝控制和模擬等行業標準、規范與實施細則，使VLSI設計和工藝過程中可靠性實施有定量的考核標準與依據，保證工藝成品率和產品的可靠性。?

　　(4)全面推廣應用成熟的可靠性技術是VLSI可靠性保證計劃實施的關鍵。特別是標準工藝線的工序能力考核和SPC控制技術、標準工藝的可靠性評價技術、可靠性設計與仿真評價技術等應在全行業內推廣應用。