AMD今年推出了Radeon VII顯卡，盡管Vega架構(gòu)及不支持光追讓這款顯卡備受爭(zhēng)議，但這款顯卡在制程工藝上創(chuàng)造了記錄——因?yàn)樗装l(fā)了消費(fèi)級(jí)7nm GPU，AMD今年年中還會(huì)有更多的7nm顯卡
2019-03-01 09:48:46
974 為Ampere的Turing GPU架構(gòu)的繼任者將是圖形行業(yè)的一項(xiàng)重大交易，它將在總體性能和效率上實(shí)現(xiàn)比預(yù)期更大的性能飛躍。該報(bào)告再次指出Ampere采用了7nm工藝節(jié)點(diǎn)。 NVIDIA首席
2020-01-06 01:56:004825 隨著今年邁入 NVIDIA 兩年一度的 GPU 升級(jí)周期，若沒有太多意外， NVIDIA 應(yīng)該會(huì)在今年公布全新的 GPU 架構(gòu)，也就是先前傳出代號(hào) Ampere 的 GPU 架構(gòu)，而現(xiàn)在最有可能公布
2020-01-14 10:56:585293 芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！
2023-12-07 11:45:311603 
3nm工藝，外媒的報(bào)道顯示，臺(tái)積電是計(jì)劃每平方毫米集成2.5億個(gè)晶體管。 作為參考，采用臺(tái)積電7nmEUV工藝的麒麟9905G尺寸113.31mm2，晶體管密度103億，平均下來(lái)是0.9億/mm2，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個(gè)密度形象化比喻一下，就是將奔騰4處理器縮小到
2020-04-20 11:27:494113 很多晶體管組成的。芯片制程是指在芯片中，晶體管的柵極寬度。因?yàn)樵谡麄€(gè)芯片中，晶體管的柵極是整個(gè)電路中最窄的線條。如果柵極寬度為10nm，則稱其為10nm制程。納米數(shù)越小，比如從10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
GPU和CPU產(chǎn)品依舊在使用五年前的14nm工藝或者其改進(jìn)版本。新的10nm、7nm工藝雖然已經(jīng)上市，但是綜合頻率、功耗、晶體管密度等因素來(lái)看，其表現(xiàn)依舊不能令人滿意。進(jìn)入2020年，也就是21世紀(jì)20
2020-07-07 11:38:14
：7nm智能座艙芯片行業(yè)生產(chǎn)模式
圖 55：7nm智能座艙芯片行業(yè)銷售模式分析
▲資料來(lái)源：辰宇信息咨詢整理，更多資料請(qǐng)參考辰宇信息咨詢發(fā)布的《2024-2030全球及中國(guó)7nm智能座艙芯片行業(yè)研究及十四五規(guī)劃分析報(bào)告》
2024-03-16 14:52:46
描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達(dá)到安培單位，通常如果沒有晶體管這個(gè)電路只能達(dá)到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
其實(shí)早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗(yàn)演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實(shí)，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達(dá)到10億。
2020-04-07 09:01:21
。 8050晶體管及其等效的8550晶體管設(shè)計(jì)用于低功耗推挽放大器應(yīng)用中的互補(bǔ)晶體管對(duì)。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發(fā)射極電流為1.5安培，最大集電極-發(fā)射極電壓為25伏。 基本晶體管
2023-02-16 18:22:30
7nm新工藝的加持：RX 5500 XT可輕輕松松突破2GHz
2021-06-26 07:05:34
這邊是NVIDIA HR Allen, 我們目前在上海招聘GPU高性能計(jì)算架構(gòu)師(功能驗(yàn)證)的崗位，有意向的朋友歡迎發(fā)送簡(jiǎn)歷到 allelin@nvidia
2017-09-01 17:22:28
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
時(shí)，先將hFE/ICEO選擇開關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測(cè)晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測(cè)試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。2．放大能力的檢測(cè) 晶體管的放大能力可以用萬(wàn)用表
2012-04-26 17:06:32
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時(shí)，β和hFE也會(huì)有所變化；若工作電流變得過(guò)小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
是自來(lái)水的閥門，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來(lái)水的構(gòu)造來(lái)舉例說(shuō)明晶體管的作用。把晶體管的3個(gè)引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來(lái)水的閥門、水龍頭和配管。通過(guò)微小之力（即基極的輸入信號(hào)）來(lái)控制
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
國(guó)內(nèi)的通富微電成為AMD 7nm芯片的封測(cè)廠商之一
2020-12-30 07:48:47
技(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼: SNPS)近日宣布，在設(shè)計(jì)人員的推動(dòng)下，F(xiàn)usion Design Platform?已實(shí)現(xiàn)重大7nm工藝里程碑，第一年流片數(shù)突破100，不僅
2020-10-22 09:40:08
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。“英特爾遵循摩爾定律，持續(xù)向前推進(jìn)制程工藝，每一代都會(huì)帶來(lái)更強(qiáng)的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本，”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷售集團(tuán)總裁Stacy
2017-09-22 11:08:53
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對(duì)的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常封裝在一個(gè)器件中。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是整個(gè)電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
場(chǎng)效應(yīng)管的演變 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的未來(lái)發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因?yàn)樗鼪]有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
450 萬(wàn)個(gè)門、包含數(shù)十億個(gè)晶體管的時(shí)鐘電路上；跟蹤需要 4.5 小時(shí)，仿真總共需要 12 小時(shí)，在 250 個(gè) CPU 上運(yùn)行。總結(jié)設(shè)計(jì) 7nm 和更小工藝節(jié)點(diǎn)的 SoC 是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)，需要專業(yè)的時(shí)鐘分析知識(shí)以確保首次通過(guò)硅片成功。原作者：EETOP編譯整理
2022-11-04 11:08:00
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
來(lái)源：wikichip） 盡管EUV光刻機(jī)相當(dāng)之貴，接近1.2億美元一臺(tái)，但半導(dǎo)體廠商還是愿意去投入，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">7nm以及以上的工藝的確需要EUV光刻機(jī)，幾時(shí)同樣的7nm工藝，使用EUV光刻技術(shù)之后晶體管
2020-07-07 14:22:55
nm晶圓廠進(jìn)入生產(chǎn)狀態(tài)。臺(tái)積電的5nm制程分為N5及N5P兩個(gè)版本。N5相較于當(dāng)前的7nm制程N(yùn)7版本在性能方面提升了15%、功耗降低了30%，晶體管密度提升了80%。N5P版本性能較N5提升7
2020-03-09 10:13:54
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
。對(duì)于NPN，它是灌電流。 達(dá)林頓晶體管開關(guān) 這涉及使用多個(gè)開關(guān)晶體管，因?yàn)橛袝r(shí)單個(gè)雙極晶體管的直流增益太低而無(wú)法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中，一個(gè)小輸入雙極結(jié)型晶體管（BJT）晶體管參與打開和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫(kù)
2021-06-25 06:39:25
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
反對(duì)。TSMC以前曾有些模棱兩可，推進(jìn)了16 nm finFET半節(jié)點(diǎn)計(jì)劃。而影響最大的是，NVIDIA CEO Jen-Hsun Huang公開質(zhì)疑整個(gè)20 nm節(jié)點(diǎn)的經(jīng)濟(jì)可行性，他認(rèn)為，每個(gè)晶體管
2014-09-01 17:26:49
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
目前的GS464V升級(jí)到LA664，因此單核性能有較大提升，達(dá)到市場(chǎng)上主流設(shè)計(jì)。至于未來(lái)的工藝，龍芯表示目前公司針對(duì)7nm的工藝制程對(duì)不同廠家的工藝平臺(tái)做評(píng)估，不過(guò)他們沒有透露什么時(shí)候跟進(jìn)7nm工藝
2023-03-13 09:52:27
北京時(shí)間3月22日晚間消息，Nvidia今日發(fā)布了首款基于下一代 Kepler圖形架構(gòu)的GPU（圖形處理器）NVIDIA GeForce GTX 680（以下簡(jiǎn)稱“GTX 680”）。
2012-03-23 08:29:03793 為什么說(shuō)7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長(zhǎng)度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗，并削減CPU的硅片成本。不過(guò)這種做法也會(huì)使電子移動(dòng)的距離縮短，容易導(dǎo)致晶體管內(nèi)部電子自發(fā)通過(guò)
2016-10-10 16:49:395833 其基于7nm工藝(圖中的芯片面積很小)、集成新架構(gòu)GPU核心(Ampere?)，同時(shí)深度學(xué)習(xí)浮點(diǎn)運(yùn)算性能繼續(xù)爆發(fā)。
2018-04-12 13:19:002486 ，第46屆Cowen技術(shù)大會(huì)上，AMD技術(shù)總監(jiān)Mark Papermaster再一次向外公布朝向7nm工藝技術(shù)的發(fā)展，他表示7nm技術(shù)將會(huì)在晶體管密度和功耗上提升巨大，他還透露稱目前研發(fā)的7nm產(chǎn)品有三款，之后的產(chǎn)品都會(huì)應(yīng)用7nm，下半年將會(huì)正式采樣。 本文引用地址: AMD現(xiàn)階段的12nm工藝
2018-07-06 10:33:00826 在日前舉行的Computex 2018發(fā)布會(huì)上，AMD有些出人意料地進(jìn)行了高規(guī)格的產(chǎn)品發(fā)布，公開的產(chǎn)品包括下一代使用7nm工藝的VEGA GPU，以及使用7nm的Zen 2處理器。目前，7nm
2018-06-29 16:17:243902 AMD Zen架構(gòu)取得了空前成功，今年還優(yōu)化為Zen+增強(qiáng)版，并有同樣優(yōu)化的12nm工藝輔助，而現(xiàn)在我們終于迎來(lái)了全新的第二代Zen 2架構(gòu)，以及全新的7nm工藝加持。 AMD原計(jì)劃采用
2018-11-29 15:35:02186 AMD日前發(fā)布了全球首款采用7nm工藝核心的游戲卡Radeon VII，定位直指RTX 2080，將在2月7日解禁發(fā)售。該顯卡制程工藝領(lǐng)先一代，晶體管密度提升100%，相同功耗下性能提升25%；同樣頻率下功耗降低50%。
2019-02-11 11:53:232862 通過(guò)使用三星7nm EUV工藝代替臺(tái)積電的7nm工藝，Nvidia可能能夠獲得更多供應(yīng)。
2019-06-10 09:06:126225 隨著AMD發(fā)布7nm Navi架構(gòu)的RX 5700系列顯卡，NVIDIA今年也要面臨Intel一樣的競(jìng)爭(zhēng)壓力了，那就是AMD在游戲卡、數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)上有搶市場(chǎng)的資本了。
2019-06-13 15:44:15852 7nm工藝計(jì)劃2021年推出，相比10nm工藝晶體管密度翻倍，每瓦性能提升20%，設(shè)計(jì)復(fù)雜度降低了4倍。
2019-07-19 10:49:362832 從16nm Pascal到12nm Turing，NVIDIA最近兩代的GPU一直停留在16/12nm節(jié)點(diǎn)上，對(duì)最新的7nm工藝似乎沒啥興趣，反正友商從14nm到7nm工藝的顯卡都打不過(guò)NVIDIA顯卡，老黃確實(shí)不著急。
2019-11-09 10:06:502490 在SC 19超算大會(huì)上，Intel正式宣布了他們?yōu)楦咝阅苡?jì)算打造的Xe架構(gòu)GPU——Ponte Vecchio（維琪奧橋），同時(shí)它也會(huì)首發(fā)Intel的7nm工藝，2021年會(huì)用于Intel花了50億美元給美國(guó)國(guó)防部建造的Aurora極光超算上。
2019-11-21 09:48:423017 盡管AMD已經(jīng)推出了7nm工藝、RDNA架構(gòu)的新一代Navi家族顯卡，但是NVIDIA在高端GPU市場(chǎng)上的地位依然無(wú)可動(dòng)搖，12nm工藝的圖靈Turing顯卡在性能及能效上還是占據(jù)上風(fēng)。
2019-12-10 10:44:131863 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入 7nm，下一步還要進(jìn)入 5nm、3nm 節(jié)點(diǎn)，制造難度越來(lái)越大，其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要，未來(lái)的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 15:40:497155 隨著AMD的全新7nm制程工藝的RDNA架構(gòu)推出，代表著AMD在未來(lái)的GPU市場(chǎng)上將有一番大作為，在過(guò)去的幾代中，AMD的GPU已經(jīng)利用了很久的基于GCN架構(gòu)的計(jì)算單元。
2019-12-10 17:06:402957 2020年的NVIDIA GTC大會(huì)將在3月22到26日舉行，屆時(shí)NVIDIA發(fā)布新一代Ampere安培架構(gòu)的GPU應(yīng)該沒跑了，要知道GTC大會(huì)上已經(jīng)有兩三年沒發(fā)布真正的新一代GPU了，等的黃花菜都涼了。
2020-01-04 10:13:242955 本次CES展會(huì)上，NVIDIA除了推出360Hz超高刷新率的電競(jìng)顯示器之外就非常低調(diào)了，并沒有什么重磅新品發(fā)布或者技術(shù)展示，7nm安培GPU估計(jì)要留給自家的GTC大會(huì)了。
2020-01-08 09:37:272241 根據(jù)消息，英偉達(dá)將在2020年3月的GTC大會(huì)期間宣布其安培顯卡，目前所有證據(jù)都表明安培顯卡將采用7nm工藝生產(chǎn)。
2020-01-13 15:01:252432 NVIDIA的下一代GPU“安培”（Ampere）大概是近年來(lái)保密性最好的了，迄今為止實(shí)錘爆料都不多，就連發(fā)布時(shí)間都不確定，3月份GTC大會(huì)上即便正式宣布，也可能只是面向數(shù)據(jù)中心的GA100大核心。
2020-02-28 17:20:052761 
在工藝制程方面，臺(tái)積電的進(jìn)度明顯要快于英特爾。其實(shí)在2017年的時(shí)候，英特爾就指出臺(tái)積電7nm并非真實(shí)的7nm。而且英特爾呼吁行業(yè)應(yīng)該統(tǒng)一命名標(biāo)準(zhǔn)，防止命名混亂。英特爾更希望以晶體管密度作為衡量標(biāo)準(zhǔn)。
2020-03-01 08:13:003014 Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因?yàn)镮ntel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:095687 
3月底的GTC大會(huì)上已經(jīng)改成只發(fā)新聞稿了，最大的懸念就是會(huì)不會(huì)有7nm安培（Ampere）GPU了。
2020-03-12 11:44:071776 
根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670 如果沒有疫情危機(jī)肆虐，再過(guò)幾天我們可能就要看到NVIDIA正式宣布下一代GPU“安培”（ampere）了，結(jié)果GTC大會(huì)從線下大會(huì)改成線上發(fā)布，再到發(fā)新聞，最后又叫停新聞發(fā)布了。
2020-03-19 10:42:331530 隨著GTC 2020大會(huì)事實(shí)上的取消，NVIDIA今年3月份發(fā)布下一代安培“Ampere”顯卡的可能性基本沒了。在這個(gè)問(wèn)題上，NVIDIA倒也不著急，高級(jí)副總Jeff Fisher表示他們的GPU架構(gòu)領(lǐng)先對(duì)手2年多。
2020-03-26 08:55:42746 隨著GTC 2020大會(huì)事實(shí)上的取消，NVIDIA今年3月份發(fā)布下一代安培“Ampere”顯卡的可能性基本沒了。在這個(gè)問(wèn)題上，NVIDIA倒也不著急，高級(jí)副總Jeff Fisher表示他們的GPU架構(gòu)領(lǐng)先對(duì)手2年多。
2020-03-26 14:58:132406 隨著GTC 2020大會(huì)事實(shí)上的取消，NVIDIA今年3月份發(fā)布下一代安培“Ampere”顯卡的可能性基本沒了。在這個(gè)問(wèn)題上，NVIDIA倒也不著急，高級(jí)副總Jeff Fisher表示他們的GPU架構(gòu)領(lǐng)先對(duì)手2年多。
2020-03-26 15:54:592001 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，圖形處理器廠商英偉達(dá)周四推出了他們首款基于安培架構(gòu)的GPU英偉達(dá)A100，采用7nm工藝制造，集成超過(guò)540億個(gè)晶體管。
2020-05-15 10:33:421698 突如其來(lái)的新冠肺炎大流行打亂了眾多公司的產(chǎn)品發(fā)布計(jì)劃，比如本該在今年3月英偉達(dá)（NVIDIA）GTC 2020上發(fā)布的安培（Ampere）架構(gòu)曝光多次卻一直未發(fā)布。今天，英偉達(dá)CEO黃仁勛發(fā)布了英偉
2020-05-15 14:48:007763 在5月14日的GTC演講中，NVIDIA CEO黃仁勛正式宣布了新一代GPU——Ampere安培，它使用了7nm工藝，號(hào)稱性能是上代Voltra的20倍。日前NVIDIA CFO Colette Kress表示這是他們?nèi)陙?lái)的杰作，是NVDIA有史以來(lái)最強(qiáng)大的GPU。
2020-06-05 11:42:193058 去年AMD推出了7nm Zen2架構(gòu)的銳龍、霄龍?zhí)幚砥鳎@是首款7nm工藝的x86處理器。不過(guò)嚴(yán)格來(lái)說(shuō)它是7nm+14nm混合，現(xiàn)在AMD要加速甩掉14nm工藝了，IO核心也有望使用臺(tái)積電7nm工藝。
2020-09-24 10:12:581765 與Nvidia P100 GPU（610m㎡，907億個(gè)晶體管，強(qiáng)度為148.2 MTr/m㎡）相當(dāng)。 從上表可以看到，5nm晶圓單片的代工銷售價(jià)約是16988美元，對(duì)比7nm，漲幅超80%。而對(duì)于使用16nm
2020-10-10 17:57:073618 
NVIDIA Ampere安培家族首次使用了兩種制造工藝，面向數(shù)據(jù)中心、深度學(xué)習(xí)的A100是臺(tái)積電7nm，面向游戲的RTX 30系列則是三星8nm。
2020-11-06 09:35:591217 了。 NVIDIA今年3月份發(fā)布了安培架構(gòu)的A100加速卡（名字中沒有Tesla了），升級(jí)了7nm工藝和Ampere安培架構(gòu)，集成542億晶體管，826mm2核心面積，使用了40GB HBM2顯存，帶寬1.6TB
2020-11-17 10:15:412041 3月份發(fā)布了安培架構(gòu)的A100加速卡（名字中沒有Tesla了），升級(jí)了7nm工藝和Ampere安培架構(gòu)，集成542億晶體管，826mm2核心面積，使用了40GB HBM2顯存，帶寬1.6TB
2020-11-17 15:38:581740 圖靈（Turing）和安培（Ampere）之后，很早就有爆料NVIDIA的下一代GPU將以“Hopper（赫柏）”知名，Hopper被譽(yù)為編譯之母，是偉大的女性程序員。
2020-12-22 10:33:481461 NVIDIA發(fā)布新一代產(chǎn)品—NVIDIA H100，H100是一款超大的芯片，采用TSMC 4N工藝，具有800億個(gè)晶體管，也是首款采用HBM3標(biāo)準(zhǔn)的GPU。
2022-03-23 17:21:422476 
5月24日，在全球科技盛會(huì)“Computex 2022”期間，NVIDIA正式推出A100 80GB PCIe液冷式GPU。作為NVIDIA的重要合作伙伴，紫光股份旗下新華三集團(tuán)H3C
2022-05-25 10:34:581344 全球首顆2nm芯片已經(jīng)被IBM研制出來(lái)了，在這一顆指甲蓋大小面積的芯片上可以容納500億顆晶體管，芯片制程工藝的進(jìn)步必將讓半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展越來(lái)越快。接下來(lái)我們?cè)敿?xì)了解下這款2nm芯片的特性、功耗等，跟7nm芯片做個(gè)對(duì)比，看下2nm芯片與7nm芯片之間有何差距。
2022-06-22 09:52:434352 有多大呢？是2nm嗎？ 其實(shí)芯片前面的數(shù)字代表的是這款芯片所采用的制程工藝，2nm即為2nm制程工藝，而制程工藝又特指芯片內(nèi)部晶體管的柵極最小長(zhǎng)度，柵極是晶體管內(nèi)用于控制電流的結(jié)構(gòu)，因此2nm即代表著芯片內(nèi)部晶體管最小柵極長(zhǎng)度為2nm，并不是代表整
2022-07-04 09:15:363936 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621550 半導(dǎo)體芯情了解到，A100是英偉達(dá)最新推出的一款高性能計(jì)算芯片，采用了全新的Ampere架構(gòu)，Ampere架構(gòu)是NVIDIA于 GTC 2020發(fā)布的GPU架構(gòu)，NVIDIA Ampere 由540億晶體管組成，是7nm芯片。
2023-11-14 16:30:16561 
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