由于EPROM操作的不便，后來出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦除可編程ROM）。EEPROM的擦除不需要借助于其它設備，它是以電子信號來修改其內容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。

　　EEPROM在寫入數據時，仍要利用一定的編程電壓，此時，只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內容，所以，它屬于雙電壓芯片。借助于EEPROM芯片的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級時，把跳線開關打至“on”的位置，即給芯片加上相應的編程電壓，就可以方便地升級；平時使用時，則把跳線開關打至“off”的位置，防止CIH類的病毒對BIOS芯片的非法修改。所以，至今仍有不少主板采用EEPROM作為BIOS芯片并作為自己主板的一大特色。

　　EEPROM相關專業術語：

　　1.electrically erasable programmable read only memory（EEPROM）電氣可拭除可編程只讀存儲器

　　2.memory， electrically erasable programmable read only（EEPROM）電氣拭除式可編程只讀存儲器

　　STM32 FLASH模擬EEPROM

　　一、 根據所選IC確定每頁的大小

　　ST系列芯片中，FLASH的大小大于或者等于256k，則每頁大小為2k（最多2k大小）；FLASH的大小于256k大小，則每頁大小為1k.

　　二、 在模擬EEPROM中寫數據

　　（1）在模擬EEPROM中寫數據，有以下幾個參數必須具備：寫入數據的虛擬地址，寫入的數據，寫入的數據的數量（注：寫入的數據必須每次寫入半字）。

　　（2）在寫入數據之前必須判斷，要求寫入的數據的虛擬地址是否非法（寫入的虛擬地址值小于該芯片的FLASH的起始地址或者大于該芯片的FLASH的最大地址值均是視為非法地址）。 （3）解鎖FLASH》》》》寫入關鍵字1，關鍵字2（注：寫入關鍵字就是寫入解鎖序列，寫入的順序不能亂）。

　　（4）根據要求寫入的數據的虛擬地址計算出實際的偏移地址（相對于FLASH的起始地址），扇區地址，在扇區中的偏移（注意：在扇區內的偏移以2個字節為基本單位），扇區剩余空間大小。

　　（5）判斷要求寫入的數據的個數是否不大于該扇區剩余空間的大小，如成立將要求寫入的數據的個數賦值給表示空間大小的變量。

　　（6）進入循環，進行實際的寫入數據操作》》》》》》讀取該扇區整個扇區的數據--?檢驗在該扇區中從扇區內的實際偏移開始，一直到扇區剩余空間大小（此時的剩余空間大小值等于要求寫入數據的數量），檢驗這整個區域內是否需要擦除，如果檢煙道數據不等于0xFFFF，就需要擦除該扇區的整個扇區----?該扇區擦除前復制到數組中的有效的數據重新寫入到該扇區----?寫入要求寫入的數據到要求寫入的虛擬地址中--?判斷是否寫入結束，如果該扇區不能夠則扇區一到一個扇區，寫入新扇區的數據數量等于總數量減去寫入到上一個扇區的數據數量。每次寫操作完都必須做如次判定，直至要求寫入的數據完全寫入為止。寫入結束后跳出循環。

　　（7）上鎖FLASH。

　　注意：在寫入和從模擬的EEPROM讀出數據都必須是半字讀寫，所以地址必須每次加2.