電子設(shè)備和集成電路中，特別適用于需要緊湊空間和較低功耗的應(yīng)用。 SOT23封裝應(yīng)用在哪些芯片上呢？ 比如：小功率晶體管、二極管、穩(wěn)壓器、LED驅(qū)動(dòng)器、溫度傳感器、MCU等等。 SOT23最大的優(yōu)勢(shì)就是價(jià)格低，尺寸小，帶來(lái)的好處就是成本降低，占用的pcb面積小，能更好的
2023-08-11 11:48:13
2096 通過(guò)在與晶體管相同的SOT23 （250 mW Ptot）或SOT323 （235 mW Ptot）封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻，RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。
2021-01-12 09:08:38597 看見(jiàn)個(gè)SOT23封裝的元件，絲印為2R不知道是不是三極管，用萬(wàn)用表測(cè)量好像是PNP的三極管，能用2L（5401）代替嗎，求大神指導(dǎo)。
2017-03-07 11:21:00
SOT23 - Thermal Resistance and Derating Information - Zetex Semiconductors
2022-11-04 17:22:44
描述SOT23雙面通孔適配器適配器 SMD SOT-23 晶體管到通孔 PCB 布局兩側(cè) DGS / DSG
2022-07-26 07:41:36
SC4810B是中廣芯源自主開(kāi)發(fā)高壓40V工藝的的600mA降壓型同步整流芯片，是國(guó)內(nèi)首家采用SOT23-6小型封裝大電流同步降壓芯片，。內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻200豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2015-09-18 12:02:41
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián)，則雙極晶體管（BJT）可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高，BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
2PNP 150V 0.2A SOT26 晶體管類(lèi)型2 PNP（雙）配對(duì)電流 - 集電極（Ic）（最大值）200mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）150V不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值
2020-02-25 11:39:26
的種類(lèi)電壓電流雙極晶體管集電極發(fā)射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數(shù)字晶體管輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流
2019-04-15 06:20:06
什么是電阻測(cè)量法？晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些？
2021-09-27 08:33:35
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
之一。關(guān)鍵要點(diǎn):?本章中選取功率晶體管中的雙極、MOSFET、IGBT進(jìn)行了介紹。?介紹雙極晶體管、MOSFET、IGBT的基本特征。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞Si晶體管雙極晶體管MOSFETIGBT
2018-11-28 14:29:28
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱(chēng)為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
您好，為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路，我們將基板與發(fā)射器連接，還是允許空氣？謝謝 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
的NPN和PNP晶體管系列，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產(chǎn)品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-03-27 06:20:04
MAPRST0912-50硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MAPRST0912-50報(bào)價(jià)MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨詢(xún)熱線(xiàn)MAPRST0912-50現(xiàn)貨,王先生
2018-08-09 09:57:23
MRF1004MB硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF1004MB報(bào)價(jià)MRF1004MB代理MRF1004MB咨詢(xún)熱線(xiàn)MRF1004MB現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司
2018-08-09 10:01:09
/ADI放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器陀螺儀產(chǎn)品型號(hào)：MRF327產(chǎn)品名稱(chēng)：硅雙極晶體管MRF327產(chǎn)品特性保證性能@ 400兆赫，28伏直流電：輸出功率＝80瓦以上225至400兆赫頻段，最小增益＝7.3分貝@ 400
2018-08-08 11:22:49
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報(bào)價(jià)MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF422主要用于高功率線(xiàn)性放大器的設(shè)計(jì)，從2到30 MHz優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過(guò)的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
類(lèi)型。
雙極結(jié)型晶體管(BJT)
雙極結(jié)型晶體管是由基極、集電極和發(fā)射極 3 個(gè)區(qū)域組成的晶體管。雙極結(jié)型晶體管（與 FET 晶體管不同）是電流控制器件。進(jìn)入晶體管基極區(qū)的小電流會(huì)導(dǎo)致從發(fā)射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
制成的二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類(lèi)：雙極晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
本帖最后由 xingfudaxia 于 2013-8-8 09:59 編輯
最近用的altium13的庫(kù)，miscellaneous devices封裝庫(kù)中，突然發(fā)現(xiàn)三極管出現(xiàn)了SOT23
2013-08-08 09:58:33
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
DC2073B-G，用于LTC6905-80 SOT23硅振蕩器的演示板。該選項(xiàng)用于評(píng)估電阻設(shè)置振蕩器IC和固定頻率Ics
2020-04-07 14:38:01
。對(duì)于NPN，它是灌電流。 達(dá)林頓晶體管開(kāi)關(guān) 這涉及使用多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，因?yàn)橛袝r(shí)單個(gè)雙極晶體管的直流增益太低而無(wú)法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中，一個(gè)小輸入雙極結(jié)型晶體管（BJT）晶體管參與打開(kāi)和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
電路之一是具有發(fā)射極偏置電路的自偏置功能，其中一個(gè)或多個(gè)偏置電阻器用于為三個(gè)晶體管電流（I B）設(shè)置初始DC值 ， （I C）和（I E）。雙極晶體管偏置的兩種最常見(jiàn)形式是：Beta依賴(lài)和Beta獨(dú)立
2020-11-12 09:18:21
、電壓用示波器確認(rèn)晶體管上的電壓、電流。需要全部滿(mǎn)足規(guī)格書(shū)上記載的額定值，特別應(yīng)該確認(rèn)下列項(xiàng)目。特別應(yīng)該確認(rèn)的項(xiàng)目晶體管的種類(lèi)電壓電流雙極晶體管集電極發(fā)射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數(shù)字晶體管
2019-05-05 09:27:01
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
最佳的SOT23電壓基準(zhǔn)業(yè)界唯一的保證在-40度到+125度之間具有+-0.04%初始精度和10ppm/度溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。[/hide]
2009-11-20 09:50:52
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
大家好，你們有求SOT23封裝圖嗎？請(qǐng)給我一個(gè)，謝謝啊！
2011-08-05 10:57:34
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
`求助：絲印50W5n的sot23封裝是什么管子？如圖`
2018-01-17 09:47:30
最近有一批SOT23-1.7的晶體管要做老化試驗(yàn)，在網(wǎng)上找了半天沒(méi)找到SOT23-1.7老化座的詳細(xì)尺寸圖，沒(méi)法在Cadence里面建立該老化座的封裝。請(qǐng)各位幫幫忙啊，哪位手上有尺寸圖的，發(fā)個(gè)給小弟啊，謝謝！當(dāng)然，直接有封裝文件的就更好了，{:12:}
2014-08-19 18:00:32
求購(gòu)雙極晶體管BD249C，NPN，30個(gè)，要求現(xiàn)貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
沒(méi)寄生二極管的SOT23封裝的PMOS有沒(méi)有推薦的？
2014-06-23 09:29:47
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管基礎(chǔ)IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線(xiàn)，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
大部分電子商城都將封裝SOT23、SOT-23和SOT-23-3來(lái)分開(kāi)，導(dǎo)致我對(duì)這個(gè)分類(lèi)很不清楚。我個(gè)人的理解是SOT-23-3是SOT-23的其中一種，然后SOT23與SOT-23是同一樣的別稱(chēng)
2019-09-03 21:43:21
SOT23-6封裝，絲印1Ft,A7t,13t，還有SOT23封裝絲印M6Q都是什么器件？貼片三極管么？有沒(méi)有知道的？
2018-09-07 09:35:29
采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路
2019-09-10 10:43:51
廠(chǎng)商名稱(chēng)：ON安森美元件分類(lèi)：三極管中文描述：晶體管，NPN，最大直流集電極電流600（連續(xù)）mA，SOT-23封裝，100 MHz，3引腳英文描述：Trans GP BJT NPN 40V
2022-08-01 13:59:36
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:396003 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001282 
絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:595421 
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有
2009-11-05 11:40:14604
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021352 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465920 本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡(jiǎn)稱(chēng)，在電力半導(dǎo)體中，也稱(chēng)作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1422941 
本文首先介紹了sot23封裝的概念，其次介紹了SOT23封裝的引腳順序，最后介紹了SOT23封裝尺寸圖。
2018-05-28 17:27:23139230 本文首先介紹了SOT23概念，其次闡述了sot23-3與sot23兩者之間的區(qū)別，最后介紹了SOT23-5封裝尺寸圖與貼片SOT-23三極管對(duì)應(yīng)型號(hào)。
2018-05-29 09:57:32176114 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是BC817和BC816及BC825與BC840 SOT23中的45V NPN小信號(hào)晶體管三極管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2019-07-01 08:00:00
3 SOT-23塑料封裝晶體管UMW S8550
2021-05-20 16:10:552 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT23雙面通孔適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-22 09:54:301 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11A
2023-02-17 18:41:420 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 80 V、1 A NPN 功率雙極晶體管-BCX56T_SER
2023-02-20 19:40:370 80 V、1 A PNP 功率雙極晶體管-BCX53T_SER
2023-02-20 19:41:140 SOT23封裝是一種小型表面貼裝封裝，常用于集成電路（IC）和半導(dǎo)體器件。SOT23代表"Small Outline Transistor 23"，SOT23封裝具有緊湊的尺寸、良好的散熱性能和適應(yīng)性，因此在許多電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。
2023-08-16 11:29:311313
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