1 概述
隨著數(shù)碼時(shí)代的來(lái)臨,除了PC外,越來(lái)越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭:移動(dòng)電話、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等,這些產(chǎn)品越來(lái)越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
Flash memory是從EPROM和EEPROM發(fā)展而來(lái)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)集成電路,其主要特點(diǎn)是工作速度快、單元面積小、集成度高、可靠性好、可重復(fù)擦寫10萬(wàn)次以上,數(shù)據(jù)可靠保持超過(guò)10年。國(guó)外從80年代開始發(fā)展,到2002年,F(xiàn)lash memory的年銷售額超過(guò)一百億美元,并增長(zhǎng)迅速,預(yù)計(jì)到2006年,年銷售額可達(dá)126億美元/年。到目前,用于Flash memory生產(chǎn)的技術(shù)水平已達(dá)0.13μm,單片存儲(chǔ)量達(dá)幾千兆。
除大容量存儲(chǔ)器應(yīng)用外,F(xiàn)lash Memory也大量地替代EPROM、EEPROM嵌入到ASIC、CPU、DSP電路中,如TI公司的TMS320F240系列、TMS280系
列分別含有8K—128K Words的Flash Memory,又如Microchip公司,也推出了內(nèi)嵌Flash Memory的16F系列MCU產(chǎn)品。
Flash Memory電路芯片設(shè)計(jì)的核心是存儲(chǔ)單元(Cell)設(shè)計(jì)(包括結(jié)構(gòu)、讀寫擦方式),外圍電路都是圍繞其設(shè)計(jì)。因此,我們首先要研究并確定電路中采用的Flash Memory Cell。Flash Memory從結(jié)構(gòu)上大體上可以分為AND、NAND、NOR和DINOR等幾種,現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的Flash Memory技術(shù)是NOR和NAND結(jié)構(gòu)。
本文分析了NOR和NAND結(jié)構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用特點(diǎn),給出了一種適合嵌人的改進(jìn)型SSI存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu),并對(duì)其的工作原理、性能、組成的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元陣列、及可靠性設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)的分析。
2 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)
2.1 NOR存儲(chǔ)單元
快閃存儲(chǔ)器的擦寫技術(shù)來(lái)源于溝道熱電子發(fā)射(Channel Hot-Electron Injection)與隧道效應(yīng)(Fowlerordheim)。
NOR結(jié)構(gòu)的Flash memory主要用于存儲(chǔ)指令代碼及小容量數(shù)據(jù)的產(chǎn)品中,目前的單片最高容量為512M,NOR Flash memory產(chǎn)品的主要領(lǐng)導(dǎo)者為Intel公司、AMD公司、Fujitsu公司、ST Microelectronics和公司。
NOR結(jié)構(gòu)的Flash memory采用NOR SGC(Stacked Gate Cell)存儲(chǔ)單元,是從EPROM結(jié)構(gòu)直接發(fā)展而來(lái),非常成熟的結(jié)構(gòu),采用了簡(jiǎn)單的堆疊柵構(gòu)造。圖1是其結(jié)構(gòu)原理圖。浮柵的充電(寫)是通過(guò)傳統(tǒng)的溝道熱電子發(fā)射(CHEI)在漏端附近完成的;浮柵的放電(擦除)在源端通過(guò)隧道氧化層的隧道效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
該結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是單元面積小,同EPROM的面積相當(dāng),編程(寫)時(shí)間短,在10μs左右,源漏結(jié)可以分開優(yōu)化,漏結(jié)優(yōu)化溝道熱電子發(fā)射,源結(jié)優(yōu)化隧道效應(yīng),采用了自對(duì)準(zhǔn)工藝。
隨著制造技術(shù)的進(jìn)步,存儲(chǔ)單元的特征尺寸越來(lái)越小,工作電壓降低,帶來(lái)的負(fù)面影響是熱電子發(fā)射效率降低,編程時(shí)較難工作于4V漏源電壓下。為提高熱電子發(fā)射效率,需要對(duì)源結(jié)、漏結(jié)、溝道摻雜分布進(jìn)行優(yōu)化1,整體工藝較復(fù)雜,編程電流也較大,大約400μA/bit(0.5μm)技術(shù)。工藝流程以0.25μm-0.35μm產(chǎn)品為例,采用DPDM制造的快閃存儲(chǔ)器需要23塊Mask版,進(jìn)行27次光刻。
2.2 隧道效應(yīng)存儲(chǔ)單元
隧道效應(yīng)存儲(chǔ)單元是目前快速發(fā)展的快閃存儲(chǔ)器生產(chǎn)技術(shù),在快閃存儲(chǔ)器中一般組成NAND存儲(chǔ)陣列,單元面積小,其工藝較簡(jiǎn)單,容量大,成本低,適用于低價(jià)格、高容量、速度要求不高的Flash memory客戶用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ);在MP3、PAD、數(shù)碼相機(jī)、2.5G及3G無(wú)線系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。NAND快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝已達(dá)到0.13μm,單片電路的存儲(chǔ)容量超過(guò)1Gb。
圖2是隧道效應(yīng)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)原理圖,其編程、擦除通過(guò)隧道氧化層的隧道效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn),類似EEPROM,其優(yōu)點(diǎn)是在編程時(shí)可以工作在2.5V的源漏電壓下,功耗低,非常適合非接觸式IC卡,同時(shí)NAND陣列的單元面積是NORSGC單元面積的二分之一,適合于大容量集成。
隧道效應(yīng)存儲(chǔ)單元擦寫工作電壓高,一般要求達(dá)到16V-20V,對(duì)器件、電路的設(shè)計(jì)要求高,編程(寫)時(shí)間較長(zhǎng),在50μs-100μs,不適合字節(jié)編程,適用于大容量頁(yè)編程,像EEPROM一樣,編程時(shí),加在隧道氧化層上電場(chǎng)強(qiáng)度高,存在SILC(stress induced leakage currents)效應(yīng),對(duì)工藝要求高。
2.3 源側(cè)熱電子發(fā)射(SSI)存儲(chǔ)單元
在九十年代初,報(bào)道了SSI(Source-Sidehotelectron Injection)存儲(chǔ)單元,結(jié)合了NORSGC單元的快速編程與隧道效應(yīng)存儲(chǔ)單元編程功耗低的特點(diǎn),其原理為split-gate concept2,圖3是其編程原理。
SSI存儲(chǔ)單元浮柵的充電(寫)是通過(guò)溝道熱電子發(fā)射,在源端附近完成的;浮柵的放電(擦除)在漏端通過(guò)隧道氧化層的隧道效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在編程(寫)過(guò)程中由于部分溝道由CG柵(1.5V)控制,改進(jìn)了NOR SGC單元的編程(寫)電流大、優(yōu)化了溝道熱電子發(fā)射效率,編程時(shí)的源漏電壓可低至3.3V。其存在的問題是必須在數(shù)據(jù)線譯碼中使用大量高壓開關(guān),電路設(shè)計(jì)復(fù)雜,溝道熱電子發(fā)射沒有完全優(yōu)化、讀出電流小、工藝也比較復(fù)雜。
圖4是我們采用的、也是本文主要討論的改進(jìn)型SSI結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu),在存儲(chǔ)單元中增加了編程?hào)艁?lái)提高CHEI效率(效率的提高見圖5)。其優(yōu)點(diǎn)有工藝簡(jiǎn)單,只要在數(shù)字CMOS邏輯電路的基礎(chǔ)上增加三次光刻(高壓NWELL、高壓MOS管選擇氧化、Fowler-Nordheim N+埋層注人)就能完成整個(gè)電路工藝制造,易于嵌入到普通ASIC電路中;Flash Cell源漏電壓在3.3V就能完成編程工作,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì);編程速度快,0.5μm Flash Cell源漏電壓在5V的情況下,編程時(shí)間優(yōu)于500ns,在3.3V下小于10μs,非常適合嵌人式電路設(shè)計(jì)。
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2016-06-21 11:34:45
ICMAX還原最初始的嵌入式存儲(chǔ)芯片EMMC的構(gòu)造
。Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器,在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等,在 PC 系統(tǒng)中,則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。另外,絕大部分的 U 盤、SDCard 等移動(dòng)
2019-07-17 10:31:49
LabView嵌入式開發(fā)模塊有什么要點(diǎn)?
無(wú)論使用什么設(shè)計(jì)語(yǔ)言,不良的編程技術(shù)都會(huì)給一個(gè)應(yīng)用的性能帶來(lái)負(fù)面影響,對(duì)一個(gè)嵌入式應(yīng)用尤其如此。盡管對(duì)于絕大部分應(yīng)用來(lái)說(shuō),高效率的編程技術(shù)是重要的,但對(duì)于嵌入式應(yīng)用所工作的資源極度缺乏的環(huán)境,則要求對(duì)性能和存儲(chǔ)器管理給予特別的關(guān)注。
2020-04-07 08:31:59
MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器,其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器,45nm
2023-04-07 16:41:05
NXP LPC2000內(nèi)部Flash用作EEPROM使用詳解
NXP LPC2000 內(nèi)部Flash用作EEPROM使用詳解隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)與處理器設(shè)計(jì)技術(shù)的不斷提高,嵌入式處理器的速度愈來(lái)愈快;而非易失性存儲(chǔ)器的讀取速度卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上CPU的發(fā)展。傳統(tǒng)
2009-11-03 10:30:48
RTOS的存儲(chǔ)器選擇
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存器),各種各樣的閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀存儲(chǔ)器)。
2019-06-28 08:29:29
uClinux平臺(tái)下的Flash存儲(chǔ)技術(shù)
的程序代碼和數(shù)據(jù)都可以存儲(chǔ)在Flash中,甚至放在CPU起始地址中的uClinux啟動(dòng)內(nèi)核都可以寫入Flash中。從一定意義上講,嵌入式系統(tǒng)只用Flash就可以完成所需的存儲(chǔ)功能。Flash存儲(chǔ)器
2011-04-23 09:22:47
【轉(zhuǎn)】為物聯(lián)網(wǎng)程序存儲(chǔ)器應(yīng)用選擇和使用正確的閃存技術(shù)
:Molex)總結(jié)雖然閃存 microSDHC 卡過(guò)去常用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),但目前正在尋求改進(jìn),以支持嵌入式操作系統(tǒng)在芯片內(nèi)執(zhí)行程序存儲(chǔ)器的獨(dú)特需求。此演進(jìn)過(guò)程的一部分包括開發(fā)可支持持續(xù)讀取請(qǐng)求的更快閃存。此外
2019-07-30 11:19:18
一種在SoC嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試期間壓縮診斷信息方法介紹
1、汽車SoC嵌入式存儲(chǔ)器的優(yōu)化診斷汽車片上系統(tǒng)(SoC)中的嵌入式存儲(chǔ)器通常占據(jù)了很大的芯片面積。因此,它們的缺陷會(huì)嚴(yán)重影響任何自動(dòng)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的生產(chǎn)產(chǎn)量。伴隨著技術(shù)提升階段和批量生產(chǎn)期間的統(tǒng)計(jì)過(guò)程
2022-09-07 15:08:41
與嵌入式相關(guān)的資料
3. 外存儲(chǔ)器接口技術(shù)ARM處理器與外部存儲(chǔ)器(Flash和SDRAM)的接口技術(shù)是嵌入式最小系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。根據(jù)需要選擇合理的接口方式,可以有效的提升嵌入式系統(tǒng)的整體性能。3.1常用外存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
2017-02-09 20:38:49
東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊,這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品,包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī),樣品將于2008年9月出廠,從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
你對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器還不清楚?看這里
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。 免費(fèi)試聽C語(yǔ)言、電子、PCB、STM32、Linux、FPGA
2018-07-14 10:36:26
你對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器還不清楚?看這里
無(wú)法再用。因?yàn)閚or flash可以進(jìn)行字節(jié)尋址,所以程序可以在nor flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核
2018-09-09 10:02:29
使用STM32F10x片內(nèi)的Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)軟件模擬EEPROM的方法
本文檔適用于STM32F1系列微控制器。介紹了外部EEPROM和嵌入式Flash存儲(chǔ)器之間的不同,描述了使用STM32F10x片內(nèi)的Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)軟件模擬EEPROM的方法。
2022-12-01 06:16:17
關(guān)于外存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)單介紹
。 2、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存,可以讀寫,容量大,但是不方便攜帶。 3、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤(優(yōu)盤)、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤(SSD)。 4、閃存盤(優(yōu)盤) 采用Flash存儲(chǔ)器(閃存
2019-06-05 23:54:02
幾種嵌入式軟件代碼壓縮技術(shù)的比較分析
對(duì)于嵌入式軟件而言,代碼尺寸是越小越好。壓縮代碼以適應(yīng)受到成本或空間限制的存儲(chǔ)子系統(tǒng)已經(jīng)成為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的一項(xiàng)重要事務(wù)。ARM、MIPS、IBM以及ARC都提供了降低存儲(chǔ)器占用的技術(shù),本文將對(duì)這幾種架構(gòu)中代碼壓縮技術(shù)的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行比較分析。
2019-05-16 10:44:31
基于ARM高速閃存MCU應(yīng)對(duì)廣泛嵌入式需求
控收款機(jī)硬件框圖 嵌入式微控制器選用飛利浦LPC2214,充分合理地利用了其片內(nèi)實(shí)時(shí)時(shí)鐘、外部存儲(chǔ)器接口、UART等其它外設(shè)接口。片上閃存作為用戶程序的存儲(chǔ)空間,其高速零等待特性保證系統(tǒng)的實(shí)時(shí)運(yùn)行。其
2008-06-17 11:56:19
基于FPGA的嵌入式塊SRAM該怎么設(shè)計(jì)?
對(duì)于邏輯芯片的嵌入存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō),嵌入式SRAM是最常用的一種,其典型的應(yīng)用包括片上緩沖器、高速緩沖存儲(chǔ)器、寄存器堆等。除非用到某些特殊的結(jié)構(gòu),標(biāo)準(zhǔn)的六管單元(6T)SRAM對(duì)于邏輯工藝有著很好的兼容性。對(duì)于小于2Mb存儲(chǔ)器的應(yīng)用,嵌入式SRAM可能有更好的成本效率并通常首先考慮。
2019-08-28 08:18:27
基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用
、人機(jī)輸入接口等外圍接口,再加上應(yīng)用軟件,有些還加上了嵌入式操作系統(tǒng),從而構(gòu)成完整的系統(tǒng)。隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步,SoC已經(jīng)在很多應(yīng)用中取代了傳統(tǒng)的以單片機(jī)為中心的架構(gòu),將很多外設(shè)和存儲(chǔ)器集成在一個(gè)芯片中,使系統(tǒng)的功耗和體積越來(lái)越小,而功能卻越來(lái)越強(qiáng)。
2019-06-28 06:18:21
外部存儲(chǔ)器的相關(guān)資料下載
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中,外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash,都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址,頁(yè)(Page),塊(Block)。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
2021-04-27 06:20:01
如何實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)?
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣,才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢?
2019-08-02 06:49:22
完成嵌入式學(xué)習(xí)前,這些概念要搞清~
年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備,然而近年來(lái)Flash全面代替ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤
2018-04-14 10:32:25
總結(jié)嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中常見的存儲(chǔ)器及其特點(diǎn)
總結(jié)嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中常見的存儲(chǔ)器及其特點(diǎn)
2021-12-17 06:11:47
有嵌入式EEPROM的FPGA系列嗎?
有嵌入式EEPROM的FPGA系列嗎?或者某些嵌入式存儲(chǔ)器具有與EEPROM類似的端口和時(shí)序信息?以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文Are there any FPGA families
2019-01-08 10:12:11
求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
淺析嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
系統(tǒng)硬件的核心,決定整個(gè)系統(tǒng)功能和應(yīng)用領(lǐng)域。外圍電路根據(jù)微處理器不同而略有不同,主要由電源管理模型,時(shí)鐘模塊,閃存FLASH隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM,以及只讀存儲(chǔ)器ROM組成。這些設(shè)備是一個(gè)微處理器正常工作所
2021-10-27 06:10:33
相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式
系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在設(shè)計(jì)基于閃存的可靠的嵌入式和存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)仍然面對(duì)重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn),目前存儲(chǔ)器技術(shù)要求尺寸越來(lái)越小,但耑要較大系統(tǒng)級(jí)變化來(lái)維持系統(tǒng)級(jí)討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲(chǔ)器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
紅外脈寬存儲(chǔ)及FLASH的讀寫
《STM32中文參考手冊(cè)》小節(jié)《2.3.3 嵌入式閃存》。主存儲(chǔ)器用來(lái)存放代碼和數(shù)據(jù)常數(shù),對(duì)于大容量產(chǎn)品,劃分為256頁(yè),每頁(yè)2K字節(jié);中小容量產(chǎn)品每頁(yè)則是1K。信息塊的啟動(dòng)程序代碼用來(lái)存儲(chǔ)ST自...
2022-01-26 07:52:03
編程CYW20706無(wú)法找到芯片存儲(chǔ)器中的信息
我想使用CYW20706 SoC作為嵌入式藍(lán)牙應(yīng)用程序,并且無(wú)法找到如何將我編譯的程序閃存到芯片存儲(chǔ)器中的信息。我需要一個(gè)額外的編程設(shè)備,像Atmel AtMeGa,還是USB到UART發(fā)送器,程序
2018-11-22 14:59:32
視頻教程-《嵌入式技術(shù)ARM裸機(jī)開發(fā)》之存儲(chǔ)器-嵌入式 精選資料分享
《嵌入式技術(shù)ARM裸機(jī)開發(fā)》之存儲(chǔ)器 2008年畢業(yè)于沈陽(yáng)航空航天大學(xué)電子信...
2021-07-20 07:38:42
請(qǐng)問怎么設(shè)計(jì)一種面向嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP?
怎么設(shè)計(jì)一種面向嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP?如何解決設(shè)計(jì)和制造過(guò)程各個(gè)階段的良品率問題?嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)技術(shù)的未來(lái)趨勢(shì)是什么?STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功能是什么?
2021-04-15 06:05:51
采用PLD和嵌入式存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)W-CDMA調(diào)制解調(diào)器的設(shè)計(jì)
基于PLD和嵌入式存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)W-CDMA調(diào)制解調(diào)器的設(shè)計(jì)
2020-12-28 06:04:37
非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)
數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲(chǔ)器,用以存儲(chǔ)單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲(chǔ)信息。盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲(chǔ)嵌入式設(shè)備中使用的信息,但是它們的體系結(jié)構(gòu)
2023-04-07 16:42:42
嵌入式存儲(chǔ)器發(fā)展現(xiàn)狀
文章中簡(jiǎn)要介紹了嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展歷程,詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲(chǔ)器的技術(shù)關(guān)鍵詞:IP SOC 存儲(chǔ)器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732
Flash閃存有哪些類型,Flash閃存分類
Flash閃存有哪些類型
Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器,這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說(shuō)的。即存儲(chǔ)器斷電后,內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607
嵌入式芯片的存儲(chǔ)器映射
很多嵌入式芯片都集成了多種存儲(chǔ)器(RAM、ROM、Flash、),這些存儲(chǔ)器的介質(zhì)、工藝、容量、價(jià)格、讀寫速度和讀寫方式都各不相同,嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)需根據(jù)應(yīng)用需求巧妙地規(guī)劃和利用
2011-11-24 11:43:45101
ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)_Flash存儲(chǔ)器
ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)例精講--ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)05Flash存儲(chǔ)器
2016-07-08 11:08:190
flash存儲(chǔ)器的類型
FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295
嵌入式存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方案匯總
在嵌入式系統(tǒng)中,存儲(chǔ)資源是非常寶貴的。一些芯片,尤其是超大規(guī)模集成電路和低端微處理器可能僅有很少的板載內(nèi)存。RAM直接建于芯片內(nèi)部,因此無(wú)法擴(kuò)展。嵌入式快閃存儲(chǔ)器是從EPROM和EEPROM發(fā)展而來(lái)
2017-10-16 17:20:500
Flash 擦寫壽命的軟件流程設(shè)計(jì)
電可擦除和編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)是在絕大多數(shù)嵌入式應(yīng)用中都會(huì)使用到的用于保存非易失性數(shù)據(jù)的關(guān)鍵器件,用于在程序運(yùn)行期間保存數(shù)據(jù)。Flash 閃存(Flash Memory,簡(jiǎn)稱為“Flash”)是一種非易失性( Non-Volatile )存儲(chǔ)器,廣泛應(yīng)用于各種嵌入式處理器中,用于存儲(chǔ)程序代碼。
2018-03-16 13:55:006064
東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)
據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234
嵌入式存儲(chǔ)器如何來(lái)設(shè)計(jì)
獲取嵌入式存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的另一種方法是利用存儲(chǔ)器編譯器,它能夠快捷和廉價(jià)地設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器物理模塊。
2019-10-18 11:52:16857
FPGA中嵌入式塊存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)
FPGA中嵌入式塊存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)(嵌入式開發(fā)平臺(tái))-該文檔為FPGA中嵌入式塊存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)總結(jié)文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 10:14:406
嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)淺談:硬件的選型(二) -------外部存儲(chǔ)器
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中,外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash,都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址,頁(yè)(Page),塊(Block)。可以得出存儲(chǔ)器
2021-11-26 19:51:0510
淺談閃速存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)單元連接方式
閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱閃存(Flash),是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場(chǎng)效應(yīng)管(見圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076
如何選擇嵌入式產(chǎn)品中的存儲(chǔ)器類型
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性內(nèi)存,其作為數(shù)據(jù)、系統(tǒng)存儲(chǔ)的關(guān)鍵介質(zhì),在嵌入式系統(tǒng)中扮演著重要角色。常見的Flash有NAND Flash 、Nor Flash、eMMC等,本文將簡(jiǎn)單介紹不同Flash的區(qū)別及應(yīng)用場(chǎng)景。
2022-04-28 11:23:17452
什么才是嵌入式Flash的邊界?
什么才是嵌入式Flash的邊界? 嵌入式Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器,常用于嵌入式電子設(shè)備中,如智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、車載娛樂系統(tǒng)等。它與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤和閃存存儲(chǔ)器不同,具有高速、低功耗
2023-10-29 17:29:44250
評(píng)論
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