0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5432資料下載內容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內部方框圖MAX5432極限參數MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5433資料下載內容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應用范圍MAX5433內部方框圖MAX5433極限參數MAX5433典型應用電路
2021-04-02 07:32:20
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
存儲實時時鐘/日歷的 31 字節的靜態 RAM，可通過簡單的串行接口與微處理器通訊，將當前的是時鐘存于RAM。DS1302芯片對于少于 31 天的月份月末會自動調整,并會自動對閏年進行校正。由于有一個...
2022-01-17 07:37:39
DS1302電子時鐘DS1302如上圖所示，它是由美國DALLAS公司推出的具有涓細電流充電能力的低功耗實時時鐘芯片， DS1302是一種高性能、低功耗的實時時鐘芯片，附加31字節靜態RAM，采用
2022-01-17 06:44:35
RES 復位2 I/O 數據線3 SCLK串行時鐘時鐘/RAM 的讀/寫數據以一個字節或多達31 個字節的字符組方式通信DS1302 工作時功耗很低保持數據和時鐘信息時功率小于1mW.
2009-12-12 16:36:36
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和8k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
特征?集成NV SRAM、實時時鐘（RTC）、晶體、電源故障控制電路和鋰能源?時鐘寄存器與靜態RAM訪問相同；這些寄存器位于16個頂級RAM位置?世紀字節寄存器（即符合Y2K）?完全不易揮發，在斷電
2020-09-16 17:17:42
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
電路,周期中斷/方波選擇電路,14字節時鐘和控制單元,114字節用戶非易失RAM,十進制/二進制累加器,總線接口電路,電源開關寫保護單元和內部鋰電池等部分組成。DS12887引腳分配如圖1：Vcc
2008-10-08 11:18:25
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
等待區（ZW）使用，96K劃給用戶使用作為RAM使用256K的非零等待區里可以通過軟件配置將其中的128K劃出來給用戶作為RAM使用，那么此時用戶就有96+128K RAM可以使用，這224KB
2020-11-20 21:25:08
AT87F51是一個低功耗，高性能CMOS 8位微控制器，帶有4K字節的快速閃存可編程只讀存儲器。該設備是采用Atmel的高密度非易失性內存技術和行業標準MCS - 51（TM）的指令集和引腳兼容
2013-09-03 11:39:03
）， 器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲技術生產，兼容標準MCS-51指令系統，片內置通用8位中央處理器和Flash存儲單元，功能強大AT89C2051單片機可為您提供許多高性價比的應用場合。
2020-07-20 17:23:01
特征?符合ACPI的每月一日警報?千年蟲世紀比特?直接時鐘/日歷替換IBM?AT兼容計算機和其他應用程序?2個索引陰影寄存器?2.7–5.5V操作?240字節的一般非易失性存儲器?專用
2020-09-16 17:18:59
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
Dallas Semiconductor推出DS3501 7位非易失數字電位器(digipot)，器件具有高達15.5V的輸出電壓。該器件是第一款內置溫度傳感器、ADC以及查找表(LUT)的高度
2018-11-19 17:09:27
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優點的基礎上，加入了多項創新的特性，使得高云半導體在非易失性FPGA領域逐步建立了領先優勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出帶有非易失存儲器(EEPROM)的±0.5℃精度數字溫度傳感器和溫度調節器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時能夠運行用戶設定的配置和溫度調節門限，而其他類似的器件
2018-10-29 10:51:29
Maxim推出帶有非易失存儲器(EEPROM)的±0.5°C精度數字溫度傳感器和溫度調節器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時能夠運行用戶設定的配置和溫度調節門限。 DS
2018-10-30 15:56:34
低功耗，具有56字節非失性RAM的全BCD碼時鐘日歷實時時鐘芯片，地址和數據通過兩線雙向的串行總線的傳輸，芯片可以提供秒，分，小時等信息，每一個月的天數能自動調整。并且有閏年補償功能。AM/PM 標志
2014-10-24 11:13:08
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
閏年補償等多種功能。工作電壓為2.0V～5.5V。采用三線接口與CPU進行同步通信，并可采用突發方式一次傳送多個字節的時鐘信號或RAM數據。DS1302內部有一個31×8的用于臨時性存放數據的RAM寄...
2021-12-08 08:15:37
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
（RTC）是低功耗、全二-十進制碼（BCD碼）、帶56字節非易失SRAM的時鐘/日歷芯片。地址與數據通過2線雙向總線串行傳送。時鐘/日歷可以提供秒、分、時、日、星期、月、年信息。對于少于31天的月份
2013-07-30 17:35:35
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
如何使用多余的代碼內存來釋放一些Ram。什么是只讀存儲器？微控制器存儲器被分為對應于電氣特性（例如，易失性與非易失性）和結構因素的類別，例如8051在內部數據存儲器和“外部”數據存儲器之間的區別（外部...
2021-12-20 06:42:35
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預編程設備的引導加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
配置AM/PM來決定采用24小時格式還是12小時格式。（2）內部含有31個字節靜態數據存儲RAM。（3）串行I/O通信方式，使得管腳少，簡單SPI僅3線接口。（4）工作電壓范圍教寬：2.0～5.5V。（5）工作電流小，功耗低：工作電壓為2.0V時，小于300nA。（6）時鐘或RAM數據的讀
2021-12-10 08:01:29
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計數器模式中使用Time1。下面的函數在代碼中定期調用。每次調用上述函數后，Timer1應該重置為零。有時它不是這樣發生的，但有時它像預期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
`涓流充電,帶31個字節RAM,時鐘芯片GM1302,兼容DS1302，數據手冊和參考源代碼`
2018-12-10 14:03:03
RAM。我做到了，但最后剩下兩個9K Block RAM，我在設計中找不到它們。我怎么知道設計中那些2 9K Block RAM在哪里？以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi,I wanted
2019-06-06 07:23:18
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)數字電位器，具有高達15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過I2C兼容接口對其進行程序設計，接口工作速度可高達400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過
2021-05-17 07:50:20
) and128k x 8 nonvolatile static RAM. User access to all registers within the DS1746 is accomplished with abyte-wide interface a
2008-08-10 10:39:53
16 具有 CPU 監控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，5V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數據資料中的圖1所示的單字節寬度的接口對DS1744內部的所有寄存器進行
2023-07-21 17:11:57
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS1643, DS1643P 非易失時鐘RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:45
1037 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數據資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:42974 
DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復位，電池監控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081395 
DS1647為512k x 8非易失性靜態RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091236 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節寬的格式訪問靜態RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:09955 
DS1346/DS1347的SPI?兼容的實時時鐘(RTC)含有一個實時時鐘/日歷和31 × 8位靜態隨機存取存儲器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘
2011-12-19 11:15:391685 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:50905 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181184 
DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態RAM
2012-03-19 16:28:12822 
, and Lithium Energy Source Clock Registers are Accessed Identically to the Static RAM. These Registers are Resident in the Eight Top RAM Locations Centu
2012-03-19 17:01:1615 DS1308串行實時時鐘(RTC)是一種低功耗，全二進制編碼的十進制(BCD)時鐘/日歷，加上56字節NV RAM
2012-06-08 14:03:382456 
DS1302 是DALLAS 公司推出的涓流充電時鐘芯片，內含有一個實
時時鐘/日歷和 31 字節靜態 RAM ，通過簡單的串行接口與單片機進
行通信。實時時鐘/日歷電路提供秒、分、時、日、周、月、年的信
息，每月的天數和閏年的天數可自動調整。
2015-11-24 17:02:108 存儲實時時鐘/日歷的 31 字節的靜態 RAM，可通過簡單的串行接口與微處理器通訊，將當前的是時鐘存于RAM。DS1302芯片對于少于 31 天的月份月末會自動調整,并會自動對閏年進行校正。由于有一個...
2022-01-17 13:03:5927 DS1302時鐘芯片的使用帶你寫一個小時鐘DS1302地址字節控制字節邏輯有效位必須是邏輯1，若為0，則數據就寫不進去1302中。位6如果是0，則表示存取日歷時鐘數據位6如果是0，則表示存取RAM
2022-01-18 09:01:003 DS1302電子時鐘DS1302如上圖所示，它是由美國DALLAS公司推出的具有涓細電流充電能力的低功耗實時時鐘芯片， DS1302是一種高性能、低功耗的實時時鐘芯片，附加31字節靜態RAM，采用
2022-01-18 09:02:016 電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1557WP-120+相關產品參數、數據手冊，更有DS1557WP-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1557WP-120+真值表，DS1557WP-120+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:54:32
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1557P-70相關產品參數、數據手冊，更有DS1557P-70的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1557P-70真值表，DS1557P-70管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 22:11:03
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2022-11-18 22:11:31
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2022-11-21 22:05:15
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2022-11-21 22:07:57
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2022-11-24 20:14:33
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2022-11-24 20:19:26
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2022-11-24 20:20:12
ISL1557 數據表
2023-06-26 19:47:480
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