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低功耗與高性能、高集成度、低成本一起，一直是各大半導體廠商追逐的目標，特別是微控制器（MCU）這樣的智能芯片，每次發(fā)布的新器件，其功耗總是在逐步遞減。但是隨著物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備的“瘋狂入侵”，循序漸進式的功耗優(yōu)化已經(jīng)不再是超低功耗MCU的游戲規(guī)則，而是“突飛猛進”模式，與功耗相關的很多指標（如ULPBench得分）都不斷刷新記錄，而記錄的保持者往往只能“笑傲江湖”幾個月甚至幾天，就被競爭者KO。
總地來說，廠商們都是在內(nèi)核架構、多種工作模式和休眠模式、優(yōu)化的外圍設備（如ADC）及其時鐘需求、多樣的電源范圍這些方面進行重點研究，以降低功耗。
本文以意法半導體（ST）STM32L4、愛特梅爾（Atmel） SAML21J18A、德州儀器（TI） SimpleLink C26xx以及基于 Cortex-M4F的MSP432、恩智浦（NXP） LPC54102以及在中國名不見經(jīng)傳的Ambiq Micro Apollo系列為例，看看它們的低功耗究竟是怎樣煉成的！
1.意法半導體STM32L4系列（STM32L476）
低功耗性能：動態(tài)運行功耗低至100 μA/MHz;關閉時最低電流為30 nA，喚醒時間：為5 μs
ULPBench得分：123.5
內(nèi)核：80 MHz ARM Cortex-M4核+DSP+浮點運算單元 （FPU）
CoreMark/MHz：3.42
低功耗原因：ART加速器、Flash零等待執(zhí)行、動態(tài)電壓調(diào)節(jié)、FlexPowerControl智能架構，7種電源管理模式（運行、低功耗運行、睡眠、低功耗睡眠、停止1、停止2、待機、關閉）。還有ST的Batch Acquisition Mode（BAM），其允許在低功耗模式下與通信接口足夠的數(shù)據(jù)交換。FlexPowerControl是在低功耗模式時保持SRAM待機，為特定外設和I/O管理獨立電源。
工作模式功耗分解：
動態(tài)運行功耗： 低至100 μA/MHz;
超低功耗模式： 30 nA 有后備寄存器而不需要實時時鐘（5個喚醒引腳）;
超低功耗模式+RTC： 330 nA 有后備寄存器 （5個喚醒引腳）;
超低功耗模式+32 KB RAM： 360 nA;
超低功耗模式+32 KB RAM+RTC： 660 nA。
軟件：
意法半導體公司為開發(fā)者提供STM32 Cube MX功率模擬器，來估算所使用的意法MCU 在執(zhí)行代碼時的功率。
ULPBench測試環(huán)境：STM32 Nucleo
2.Atmel SAML21系列（SAML21J18A-UES）
低功耗性能：只消耗35 mA/MHz，睡眠模式下只有200 nA
ULPBench得分：185.8
內(nèi)核：ARM Cortex-M0+
低功耗原因：5種不同的電量范圍使用不同的資源，以提高能效;分別為CPU和外圍設備創(chuàng)建一個IRQ線索，以實現(xiàn)分層中斷。其他原因還包括以下幾點：
空閑、待機、備用、睡眠模式;
sleepwalking接口;
靜態(tài)和動態(tài)功率門控結構;
后備電池支持;
兩種性能水平;
Embedded buck/LDO穩(wěn)壓器支持實時動態(tài)的選擇;
低功耗接口。
ULPBench測試環(huán)境：SAML21 Xplained Rev2
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3.TI SimpleLink C26xx 無線MCU（CC2650F128RGZ）
低功耗性能：峰值電流為2.9 mA，睡眠電流少于0.15 μA
ULPBench得分：143.6
CoreMark/MHz：61 uA
內(nèi)核：Cortex-M3
特點：唯一一款集成超低功耗傳感器控制器的MCU，支持5種標準：Bluetooth、Sub-1 GHz、6LoWPAN、ZigBee和ZigBee RF4CE。
低功耗原因：功率優(yōu)化的射頻
工作模式功耗分解：
處理狀態(tài)：在48 MHz時峰值電流為2.9 mA;
通信狀態(tài)：接收的峰值電流為5.9 mA，發(fā)送時的峰值電流為6.1 mA;
睡眠狀態(tài)：傳感器控制器消耗電流為8.2 uA/MHz，支持實時時鐘（RTC）和完全存儲器保持的睡眠模式，電流為1 μA。
4.TI MSP432
低功耗性能：主動模式電流）為95 μA/MHz 、睡眠模式電流（支持RTC）為850 nA 、從待機模式喚醒的時間小于 10 μs
ULPBench得分：167.4
內(nèi)核：Cortex-M4F
Coremark：3.41/MHz
低功耗原因：
與LDO相較，集成DC/DC可節(jié)省40%的功耗;
繼承MSP430優(yōu)質低功耗DNA;
借助可選的RAM保持，每個RAM段的流耗可節(jié)省30 nA;
當使用14位 ADC，以1 MSPS的速度運行采樣傳感器時能耗最低 （375 μA）;
DriverLib in ROM最多比閃存節(jié)省 35% 的能耗。
軟件特點：EnergyTrace技術，實時電源測量和調(diào)試，生成應用能源曲線，包括電流和CPU狀態(tài)。
5.NXP LPC54102
低功耗性能：100 MHz Cortex-M0+內(nèi)核：55 μA/MHz，用于監(jiān)聽、數(shù)據(jù)采集以及管理;100 MHz Cortex-M4F內(nèi)核：100 μA/MHz，用于傳感器信息處理和數(shù)據(jù)通信。
內(nèi)核：ARM Cortex-M0+&Cortex-M4F雙核。
低功耗原因：不同傳感器數(shù)據(jù)管理方式不同，有兩個核（Cortex-M0+和Cortex-M4F）來處理不同數(shù)據(jù);在每個處理數(shù)據(jù)節(jié)點只調(diào)用最低數(shù)據(jù)處理能力;三種工作模式;高能效ADC。
工作模式功耗分解：
（1）監(jiān)聽模式，即掉電模式，且無CPU處理，但具有RAM保留功能，此時功耗僅為3 μA。
（2）讀取模式（I2C和ADC，12 MHz CPU時速率為10 S/s），這種模式用于監(jiān)聽、數(shù)據(jù)采集以及管理等非數(shù)據(jù)密集型應用。此時，LPC54100中只有Cortex M0+在運行，功耗為55 μA/MHz。
（3） 算法處理（80 MHz CPU時每秒一次），這種模式用于傳感器信息處理和數(shù)據(jù)通信等數(shù)據(jù)密集型應用。此時，LPC5412中的Cortex-M4F核工作，其功耗為100 μA/MHz。競爭產(chǎn)品在第2和第3種模式時，都是采用Cortex-M4F核工作，功耗為112 μA/MHz。
高能效ADC特點：在任何電壓下（1.62 V~3.6 V），都能實現(xiàn)最高性能，達到12位 4.8 MS/s。而其他競爭對手產(chǎn)品中內(nèi)置的ADC速率只有2.4 MS/s，而且必須是在高電壓下。
6.Ambiq Micro Apollo系列
Ambiq可能大家還不熟悉，其是由ARM、Cisco等投資的初創(chuàng)單片機公司。
低功耗性能：工作電流為30 mA/MHz，平均睡眠模式電流低至100 nA。
內(nèi)核：ARM Cortex-M4F
特點：在真實世界應用中，其功耗通常比性能相近的其他MCU產(chǎn)品降低5至10倍，Apollo MCU的獨特之處是能同時優(yōu)化工作和睡眠模式功率，在執(zhí)行來自閃存的指令時，其功耗低至行業(yè)領先的30 mA/MHz，并且具有低至100 nA的平均睡眠模式電流，而這種極低的功耗不會影響性能。片上資源包括一個10位的13通道1MS/s ADC和一個精度為±2oC的溫度傳感器。有12個中斷的喚醒中斷控制器。
低功耗原因：
Ambiq使用專利亞閾值功率優(yōu)化技術（Subthreshold Power Optimized Technology， SPOT）平臺來實現(xiàn)驚人的功耗降低。
SPOT 平臺采用在亞閾值電壓（低于0.5 V）下運作的晶體管，而不是使用一直在1.8 V下保持“開啟”的晶體管。該平臺使用“關閉”晶體管的泄漏電流來進行數(shù)字和模擬領域內(nèi)的計算，這項專利技術使用業(yè)界標準CMOS工藝來實施，克服了先前與亞閾值電壓切換相關的噪聲敏感性、溫度靈敏度和工藝漂移挑戰(zhàn)。
從上面幾個代表，相信你大概知道超低功耗MCU到底是怎樣煉成的，而超低功耗MCU白熱化競爭的好戲或許才剛剛開始，誰也不能確定一個最低界限，誰也不能保證自己是最后的低功耗終結者，受益者還是我們廣大工程師、最終產(chǎn)品使用者以及整個物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)。
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