3. 實際的嵌入式應用

　　根據軟件需要，建議采用字節（8bit）做為操作的最小粒度，適用性會更廣泛。

　　3.1 Flash 存儲器擦寫壽命的提升

　　對于MSP430G 系列的Flash 存儲器，可以保證至少10000 次的編程和擦除壽命。如圖六所示。

　　圖六 MSP430G 系列單片機Flash 編程和擦除壽命

　　采用劃分小頁結合至少分配2 個大頁的操作方式，則可以大大增加Flash 模擬EEPROM 的擦寫壽命。例如，對于MSP430G 系列單片機，如果將每個小頁的尺寸劃分為16 字節，采用2 個大頁（每頁512 字節）作為模擬EEPROM 使用，則可以提供64 個操作子頁（（512/16）x2=64），可以保證至少640000 次的擦寫壽命。

　　3.2 掉電時的異常處理

　　如果正在進行Flash 數據存儲時發生掉電，數據可能會保存不成功，存在異常。為了增強健壯性，在軟件處理上，需要考慮設備異常掉電等可能會導致Flash 擦寫失敗的情況。

　　在軟件處理中，當成功保存Flash 數據后，再寫入該子頁的狀態標志。單片機上電后，用戶程序將查找最后一次寫入的子頁，再將該子頁的數據內容并恢復到內存中的數據結構中。

　　4. 系統可靠性設計

　　4.1 時鐘源的選擇

　　由于驅動Flash 的時鐘源（ACLK、MCLK、SMCLK）和時鐘頻率可以設定，為了保證在將數據寫入模擬EEPROM時的可靠性，建議在將Flash 的時鐘頻率降低后，再對其進行操作。例如將Flash 的時鐘頻率降低到1MHz 后，進行寫入操作。需要注意，在降低了時鐘頻率后，若此時鐘源也是定時器（Timer）的時鐘源，則可能會影響到定時器的定時準確性，需要軟件上做好處理。

　　4.2 代碼在RAM中運行

　　由于向Flash 寫入數據操作是通過執行Flash 中程序代碼，對Flash 進行擦除和編程操作。由于對Flash 的編程需要mcu 內部執行一個升壓操作，所以如果有足夠的內存空間，建議將編程、擦除等關鍵代碼拷貝到RAM中運行，可以使用關鍵字__ramfunc 指定，如下圖七所示。

　　圖七 使用關鍵字__ramfunc 將程序指定到Ram 中運行

　　5. 總結

　　本文從軟件方面，以及安全性方面探討了使用MSP430G 系列單片機在使用Flash 模擬EEPROM方面的應用，提供了兩種不同的方式供選擇。兩種方式都可以大幅度提高模擬EEPROM的編寫、擦除壽命，并且滿足高可靠性的應用設計，用戶可以結合具體的應用進行選擇。