1.EEPROM介紹

　　Electrically Erasable Programmable Read Only Memory電氣可拭除可編程只讀存儲器

　　發展過程：ROM – 》 PROM –》 EPROM –》 EEPROM

　　2.EEPROM和FLASH的區別

　　2.1 使用上的區別

　　FLASH用于存放程序，在程序運行過程中不能更改。我們編寫的程序是燒錄到FLASH中的；

　　RAM用作程序運行時的數據存儲器；

　　EEPROM用于存放數據，是用來保存掉電后用戶不希望丟的數據，開機時用到的參數。運行過程中可以改變。

　　FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數據，當然前提是該單片機的FLASH工藝是可以自寫的（運行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊擦除。EEPROM不能用來存程序，通常單片機的指令尋址不能到這個區域。EEPROM的擦寫次數應有百萬次，而且可以按字節擦寫。EEPROM在一個PAGE內是可以任意寫的，FLSAH則必須先擦除成BLANK，然后再寫入，而一般沒有單字節擦除的功能，至少一個扇區擦除。

　　2.2 結構上的區別

　　EEPROM和FLASH都是非易失性存儲器。

　　FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規EEPROM的操作方法不同。

　　FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。

　　3.EEPROM的使用方法

　　AVRGCC里面自帶有EEPROM讀寫函數。

　　使用時需包含頭文件#include ，部分讀寫函數如下：

　　#define eeprom_is_ready（） bit_is_clear（EECR， EEWE）//檢測EEPROM是否準備好。OK返回1（返回EEWE位）

　　#define eeprom_busy_wait（） do {} while （！eeprom_is_ready（））//等待EEPROM操作完成

　　extern uint8_t eeprom_read_byte （const uint8_t *addr）;//讀取指定地址的一個字節8bit的EEPROM數據

　　extern uint16_t eeprom_read_word （const uint16_t *addr）;//讀取指定地址的一個字16bit的EEPROM數據

　　extern void eeprom_read_block （void *buf， const void *addr， size_t n）;//讀取由指定地址開始的指定長度的EEPROM數據

　　extern void eeprom_write_byte （uint8_t *addr， uint8_t val）;//向指定地址寫入一個字節8bit的EEPROM數據

　　extern void eeprom_write_word （uint16_t *addr， uint16_t val）;//向指定地址寫入一個字16bit的EEPROM數據

　　通過串口向單片機發送配置命令，單片機收到指令后，利用函數write_EEPROM_config（）將相應的配置信息存放于EEPROM中。系統初始化時，利用函數read_EEPROM_config（）從EEPROM中取出相應的數據，用于系統的初始化。
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