我最近在整理單片機的復位問題，很多文獻都過分的集中于外部復位，特意把內(nèi)部復位的東西整理一下，我參考了很多的飛思卡爾的文檔。我一直覺得飛思卡爾的文件系統(tǒng)和它的品質(zhì)都是優(yōu)秀的，雖然目前ST的單片機很有競爭力。

① 上電復位：是由外部總線產(chǎn)生的一種異步復位，單片機電壓監(jiān)測電路檢測到電源電壓VDD上升時，會產(chǎn)生一個上電復位脈沖，由內(nèi)部計時器進行延時后等待電源電壓上升到可以工作的電壓后，整個單片機系統(tǒng)就完成了上電復位。注意上電復位電路并不會檢測延時過后的系統(tǒng)電壓，如果此時的電壓低于單片機的最小工作電壓，整個上電復位就失效了。

圖所示是整個上電復位的過程，其步驟如下：

1）電源電壓VDD大于一定范圍時候，通常是1V以上的時候，單片機內(nèi)部的CMOS的邏輯電路開始運作，這個電壓我們也稱為VOS。在這個電壓下，不管使用的何種外部振蕩器，振蕩電路將開始起作用產(chǎn)生信號。

2）隨著振蕩器的運行，所有的內(nèi)部邏輯必須進行初始化以保證處在正確的邏輯狀態(tài)下。

3）此時上電復位電路內(nèi)部的計數(shù)器將開始工作，一般而都會維持一定的復位周期延遲，飛思卡爾的HC08系列的復位時鐘延遲tPOR等于4096個機器周期，并且復位邏輯將維持內(nèi)部復位信號。

4） 當持續(xù)時間大于tPOR，上電復位電路的復位邏輯將反轉(zhuǎn)并關(guān)閉上電復位電路。沒有其他復位源的時候，單片機將退出復位狀態(tài)并開始執(zhí)行的代碼。

因此如果依靠單片機內(nèi)部的上電復位完成整個過程，復位與電源電壓的上升率有很大的關(guān)系，需要確認電壓的上升速率應大于最小上升速率，如果不注意這點將造成單片機的無法啟動，計算方法如下：

VRUN = VOS +MVDD_SLEW×4096/FOSC

其中VRUN是單片機的最小工作電壓，F(xiàn)OSC-是內(nèi)部總線頻率，MVDD_SLEW是電源電壓上升率。

② 欠壓復位：單片機內(nèi)部電壓監(jiān)控電路形成的異步復位，當電源電壓VDD電壓小于一定觸發(fā)閾值時，發(fā)出復位信號并保持到電源電壓大于欠壓復位功能恢復電壓。欠壓復位是用來確保單片機的電源并不在有效工作電壓范圍之內(nèi)時內(nèi)部產(chǎn)生復位過程，使得單片機保持在正確的狀態(tài)中，欠壓復位有三個重要的參數(shù)：

1） VTR是欠壓復位功能恢復電壓，大于該電壓值的時單片機的欠壓復位狀態(tài)就結(jié)束了;

2）VTF是欠壓復位功能觸發(fā)電壓，小于該電壓值的時單片機將保持欠壓復位狀態(tài);

3） VHYS是欠壓復位的回差電壓，VHYS=VTR - VTF;這個電壓的主要目的是防止電源有噪聲干擾的時候頻繁的反彈，一般在0.1～0.2V之間。

如圖所示，欠壓復位是在電源電壓達到VTR以后，內(nèi)部的計數(shù)器才工作，因此在上電復位完成以后，欠壓復位繼續(xù)工作直至欠壓復位完成既定的延遲后，整個單片機才會退出復位狀態(tài);因此內(nèi)部引入欠壓復位電路對于解決電源電壓上升率過快和過慢的情況都有很大的幫助。需要注意的是低電壓的復位電平閾值是和供電電壓相關(guān)的，并且按照比例設(shè)定的無法更改，因此如果系統(tǒng)上不合適則需要考慮外部的復位方法。
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