節(jié)能燈功率管失效機理分析
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1引言
節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源，在全世界得到了廣泛的
2009-07-29 12:20:19
824 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。1、電阻器的主要
2017-10-11 06:11:0012633 IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 IGBT失效場合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機感應(yīng)電動勢、負(fù)載突變都會引起過電壓和過電流；來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
2022-10-21 09:00:504096 所以掌握各類電子元器件的實效機理與特性是硬件工程師比不可少的知識。下面分類細(xì)敘一下各類電子元器件的失效模式與機理。
2023-02-01 10:32:471255 眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件，失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個無法預(yù)知的因素，可能就是導(dǎo)致IGBT發(fā)生意外故障的關(guān)鍵。
2023-12-27 09:39:34676 
和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。 IGBT失效機理：IGBT由于上述原因發(fā)生短路，將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流——在關(guān)斷時電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在，將導(dǎo)致IGBT集電極
2020-09-29 17:08:58
IGBT封裝新人報道，本人做IGBT封裝的，以后和大家多交流了~
2010-04-25 14:24:48
IGBT傳統(tǒng)防失效機理是什么IGBT失效防護電路
2021-03-29 07:17:06
IGBT有哪些封裝形式？
2019-08-26 16:22:43
IGBT的失效機理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
一文讀懂DS18B20溫度傳感器及編程對于新手而言,DS18B20基本概念僅做了解,最重要的是利用單片機對DS18B20進行編程,讀取溫度信息,并把讀取到的溫度信息利用數(shù)碼管,LCD1602或者上位
2021-07-06 07:10:47
一文讀懂中斷方式和輪詢操作有什么區(qū)別嗎？
2021-12-10 06:00:50
一文讀懂什么是NEC協(xié)議？
2021-10-15 09:22:14
一文讀懂傳感器傳感器在原理與結(jié)構(gòu)上千差萬別，如何根據(jù)具體的測量目的、測量對象以及測量環(huán)境合理地選用傳感器，是在進行某個量的測量時首先要解決的問題。當(dāng)傳感器確定之后，與之相配套的測量方法和測量設(shè)備也就
2022-01-13 07:08:26
一文讀懂如何去優(yōu)化AC耦合電容？
2021-06-08 07:04:12
一文讀懂接口模塊的組合應(yīng)用有哪些？
2021-05-17 07:15:49
分析委托方發(fā)現(xiàn)失效元器件，會對失效樣品進行初步電測判斷，再次會使用良品替換確認(rèn)故障。如有可能要與發(fā)現(xiàn)失效的人員進行交流，詳細(xì)了解原始數(shù)據(jù)，這是開展失效分析工作關(guān)鍵一步。確認(rèn)其失效機理，失效機理是指失效
2020-08-07 15:34:07
`v失效：產(chǎn)品失去規(guī)定的功能。v失效分析：為確定和分析失效器件的失效模式，失效機理，失效原因和失效性質(zhì)而對產(chǎn)品所做的分析和檢查。v失效模式：失效的表現(xiàn)形式。v失效機理：導(dǎo)致器件失效的物理，化學(xué)變化
2011-11-29 17:13:46
失效模式及機理進行研究和討論，并簡略介紹其他失效模式。 1 芯片碎裂引起的失效 由于IC卡使用薄/超薄芯片，芯片碎裂是導(dǎo)致其失效的主要原因，約占失效總數(shù)的一半以上，主要表現(xiàn)為IC卡數(shù)據(jù)寫入錯、亂碼、全
2018-11-05 15:57:30
結(jié)論：在封裝膠生產(chǎn) 過程中嚴(yán)格去除氯離子等具有侵蝕性的離子,避免 對電極的腐蝕至關(guān)重要[4] SEM+EDS是研究失效機理的失效分析手段，杭州柘大飛秒檢測技術(shù)有限公司的科研人員通常在同一臺儀器上進行電鏡
2017-12-07 09:17:32
MOSFET的失效機理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過MOSFET規(guī)格書中的絕對最大
2022-07-26 18:06:41
`請問SMT焊點的主要失效機理有哪些？`
2019-12-24 14:51:21
卻是一個封裝級別失效分析實驗室在技術(shù)領(lǐng)域的分水嶺。最后再說一說失效分析實驗室的日常管理，通常包括以下幾個內(nèi)容：分析任務(wù)分配，設(shè)備日常保養(yǎng)，標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程，分析人員培訓(xùn)，分析耗材采購等。個人認(rèn)為，一個好
2016-07-18 22:29:06
失效模式和機理.2.可靠性試驗及封裝認(rèn)證:產(chǎn)品可靠性浴盆曲線, 篩選試驗，可靠性試驗，可靠性認(rèn)證, 常見可靠性試驗、目的、誘導(dǎo)的典型失效模式及機理等, 典型集成電路塑料封裝器件的封裝認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)簡介, 器件
2009-02-19 09:54:39
隨著市場對芯片集成度要求的提高，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝更加嚴(yán)格。為了滿足發(fā)展的需要，BGA封裝開始被應(yīng)用于生產(chǎn)。BGA也叫球狀引腳柵格陣列封裝技術(shù)，它是一種高密度表面
2018-09-18 13:23:59
，加速材料老化，使LED光源快速失效。失效模式的物理機理LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統(tǒng)。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。 從發(fā)光芯片到LED燈珠，失效模式有將近三十種，如表1，LED燈珠
2018-02-05 11:51:41
電容器是在工作應(yīng)力和環(huán)境應(yīng)力的綜合作用下工作的，因而會產(chǎn)生一種或幾種失效模式和失效機理，還會有一種失效模式導(dǎo)致另外失效模式或失效機理的發(fā)生。例如，溫度應(yīng)力既可以促使表面氧化、加快老化的影響程度、加速電
2018-01-03 13:25:47
模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。4、失效機理是指失效的物理化學(xué)過程，如疲勞、腐蝕和過應(yīng)力等。失效分析的一般程序收集現(xiàn)場場數(shù)據(jù)。電測并確定失效模式。非破壞檢查。打開封裝
2016-10-26 16:26:27
模式和失效機理的重復(fù)出現(xiàn)。3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。4、失效機理是指失效的物理化學(xué)過程，如疲勞、腐蝕和過應(yīng)力等。失效分析的一般程序1、收集現(xiàn)場數(shù)據(jù)2
2016-12-09 16:07:04
的外部載荷和應(yīng)力包括水汽、濕氣、溫度以及它們的共同作用。在組裝階段常常發(fā)生的一類分層被稱為水汽誘導(dǎo)（或蒸汽誘導(dǎo)）分層，其失效機理主要是相對高溫下的水汽壓力。在封裝器件被組裝到印刷電路板上的時候，為使
2021-11-19 06:30:00
和變稠；電極的電解腐蝕或化學(xué)腐蝕；引線和電極接觸電阻增加；雜質(zhì)和有害離子的影響。 由于實際電容器是在工作應(yīng)力和環(huán)境應(yīng)力的綜合作用下工作的，因而會產(chǎn)生一種或幾種失效模式和失效機理，還會有一種失效模式導(dǎo)致
2018-01-05 14:46:57
稠；電極的電解腐蝕或化學(xué)腐蝕；引線和電極接觸電阻增加；雜質(zhì)和有害離子的影響。 由于實際電容器是在工作應(yīng)力和環(huán)境應(yīng)力的綜合作用下工作的，因而會產(chǎn)生一種或幾種失效模式和失效機理，還會有一種失效模式導(dǎo)致另外
2018-01-02 14:40:37
本文采用恒定溫度應(yīng)力加速壽命試驗對功率VDMOS的可靠性進行了研究，得到較為完整的可靠性數(shù)據(jù)，并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是柵極擊穿，從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應(yīng)用等方面提供有價值的數(shù)據(jù)。
2021-04-14 06:37:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面：1、IGBT過壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
提高電力電子器件的應(yīng)用可靠性顯得尤為重要。一、失效分析簡介失效分析的過程一般是指根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的過程。器件失效是指其功能完全或
2019-10-11 09:50:49
(1)電機驅(qū)動系統(tǒng)失效模式分類根據(jù)失效原因、性質(zhì)、機理、程度、產(chǎn)生的速度、發(fā)生的時間以及失效產(chǎn)生的后果，可將失效進行不同的分類。電動觀光車常見的失效模式可以分為：損壞型、退化型、松脫型、失調(diào)型、阻漏
2016-04-05 16:04:05
各不一樣。各種常見失效模式的主要產(chǎn)生機理歸納如下。[url=]3.1[/url]失效模式的失效機理3.1.1引起電容器擊穿的主要失效機理①電介質(zhì)材料有疵點或缺陷，或含有導(dǎo)電雜質(zhì)或?qū)щ娏Ｗ樱虎陔娊橘|(zhì)的電
2011-11-18 13:16:54
`電容器的常見失效模式和失效機理【下】3.2.6鋁電解電容器的失效機理鋁電解電容器正極是高純鋁，電介質(zhì)是在金屬表面形成的三氧化二鋁膜，負(fù)極是黏稠狀的電解液，工作時相當(dāng)一個電解槽。鋁電解電容器常見失效
2011-11-18 13:19:48
高頻精密電容器的低電平失效機理云母是一種較理想的電容器介質(zhì)材料，具有很高的絕緣性能，耐高溫，介質(zhì)損耗小，厚度可薄達25微米。云母電容器的主要優(yōu)點是損耗小，頻率穩(wěn)定性好、分布電感小、絕緣電阻大，特別適合
2011-11-18 13:18:38
、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機理也各不一樣。各種常見失效模式的主要產(chǎn)生機理歸納如下。3.1失效模式的失效機理3.1.1 引起電容器擊穿的主要失效機理3.1.2 引起電容器開路的主要失效機理3.1.3
2011-12-03 21:29:22
請問一下元器件失效機理有哪幾種？
2021-06-18 07:25:31
。比如像第一種是焊接式IGBT模塊，這種模塊就是我們現(xiàn)在高鐵和動車中用量最大的650伏600安的IGBT模塊，旁邊白色是工業(yè)控制比較多的，是中小功率的模塊封裝形式。第二組是我們專項中的合作公司中山
2012-09-17 19:22:20
基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團隊及先進
2024-03-13 16:26:07
節(jié)能燈功率管的失效機理分析
節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源，在全世界得到了廣泛的應(yīng)用，國內(nèi)節(jié)能燈的生產(chǎn)
2009-05-13 15:25:19677 
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理
1、? 引言
半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:422665 
IGBT及其子器件的幾種失效模式
2010-02-22 10:50:02844 
針對一般失效機理的分析可提高功率半導(dǎo)體器件的可靠性. 利用多種微分析手段, 分析和小結(jié)了功率器件芯片的封裝失效機理. 重點分析了靜電放電( electrostatic d ischarge, ESD)導(dǎo)致的功率器
2011-12-22 14:39:32
67 本文共討論了MEMS加速計的三種高壓滅菌器失效機理。分別說明了每一種失效機理的FA方法（通過建模和測量）和設(shè)計改進。排除了封裝應(yīng)力作為高壓滅菌器失效的根源。
2013-01-24 10:39:191261 
基于集成電路應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機理中文版
2016-02-25 16:08:1110 高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 電機驅(qū)動系統(tǒng)失效模式分類 根據(jù)失效原因、性質(zhì)、機理、程度、產(chǎn)生的速度、發(fā)生的時間以及失效產(chǎn)生的后果，可將失效進行不同的分類。電動觀光車常見的失效模式可以分為：損壞型、退化型、松脫型、失調(diào)
2017-03-09 01:43:231760 元器件長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-17 13:37:3420 元器件的長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-19 08:37:3432 IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式，還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件
2018-06-20 14:51:0015770 
摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機理。討論了短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg、集電極發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。 關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機理 短路
2017-12-03 19:17:492531 對電子元器件的失效分析技術(shù)進行研究并加以總結(jié)。方法 通過對電信器類、電阻器類等電子元器件的失效原因、失效機理等故障現(xiàn)象進行分析。
2018-01-30 11:33:4110912 電容器的常見失效模式有：――擊穿短路；致命失效――開路；致命失效――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效――漏液；部分功能失效――引線腐蝕或斷裂；致命失效――絕緣子破裂；致命失效――絕緣子表面飛弧；
2018-03-15 11:00:1026173 
本文通過大量的歷史資料調(diào)研和失效信息收集等方法，針對不同環(huán)境應(yīng)力條件下的MEMS慣性器件典型失效模式及失效機理進行了深入探討和分析。
2018-05-21 16:23:456951 
本文主要對變壓器線圈常見的三種失效機理進行了介紹，另外還對電感和變壓器類失效機理與故障進行了分析。
2018-05-31 14:41:529637 
電子器件的工作過程中，首先要應(yīng)對的就是熱問題，它包括穩(wěn)態(tài)溫度，溫度循環(huán)，溫度梯度，以及封裝材料在工作溫度下的匹配問題。
2018-08-13 15:43:003265 
或者全失效會在硬件電路調(diào)試上花費大把的時間，有時甚至炸機。 所以掌握各類電子元器件的實效機理與特性是硬件工程師比不可少的知識。下面分類細(xì)敘一下各類電子元器件的失效模式與機理。 電阻器失效 失效模式：各種失效的
2020-06-29 11:15:216642 隨著LED產(chǎn)品制造技術(shù)的逐漸成熟，成本越來越低，性價比越來越高。目前小功率LED產(chǎn)品在大屏幕戶外顯示等商用領(lǐng)域有很大的應(yīng)用范圍，如何增加使用壽命，減少維護成本也是業(yè)界關(guān)注的要點所在。解決高成本問題的一個積極態(tài)度，就是要分析其失效機理，彌補技術(shù)缺陷，以提高LED產(chǎn)品的可靠性，提高LED的性價比。
2020-06-14 09:07:461111 IGBT的封裝失效機理 輸出功率器件的可信性就是指在要求標(biāo)準(zhǔn)下，器件進行要求作用的工作能力，一般用使用期表明。因為半導(dǎo)體材料器件主要是用于完成電流量的轉(zhuǎn)換，會造成很大的輸出功率耗損，因而，電力
2020-12-09 16:34:121379 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供IGBT失效防護機理及電路資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:50:2222 或斷裂；致命失效 ――絕緣子破裂；致命失效 ――絕緣子表面飛弧；部分功能失效 引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類電容器的材料、結(jié)構(gòu)、制造工藝、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機理也各不一樣。 各種常見失效模式的主要產(chǎn)
2021-12-11 10:13:532688 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。
失效機理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。
2022-02-10 09:49:0618 電子器件的工作過程中，首先要應(yīng)對的就是熱問題，它包括穩(wěn)態(tài)溫度，溫度循環(huán)，溫度梯度，以及封裝材料在工作溫度下的匹配問題。
2022-03-11 11:20:17705 
MOSFET的失效機理 本文的關(guān)鍵要點 ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:072544 接上一篇討論了IGBT應(yīng)用的環(huán)境，在什么條件下算是高濕？而高濕環(huán)境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內(nèi)容我們接著討論，從用戶端的角度，如何預(yù)防IGBT模塊因為高濕失效？
2022-07-10 11:55:271964 MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。
2023-02-13 09:30:071144 
MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 
今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負(fù)載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319 實際應(yīng)用中，IGBT常見的兩種失效機理：
突發(fā)失效：即自發(fā)的，不可預(yù)知的失效
漸變失效：可預(yù)測的失效，隨著時間推移慢慢產(chǎn)生，制造商起著決定性的作用
1、突發(fā)失效：應(yīng)用工程師的主要任務(wù)是通過
2023-02-24 15:08:582 介紹了TVS瞬態(tài)抑制二極管的組成結(jié)構(gòu)，失效機理和質(zhì)量因素，希望對你們有所幫助。
2023-03-16 14:53:571 MOSFET等開關(guān)器件可能會受各種因素影響而失效。因此，不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件，還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理。
2023-03-20 09:31:07638 失效率是可靠性最重要的評價標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29586 
驅(qū)動電路的工作頻率（最小脈寬）相對 IGBT 開關(guān)頻率（占空比范圍）不足，或輔助電源平均輸出功率不足，導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個問題導(dǎo)致的后果是，驅(qū)動狀態(tài)發(fā)生波動，系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概率增加。
2023-06-16 10:34:23734 單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952 
集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效中封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式（失效模式），查找封裝失效原因，確定失效的物理化學(xué)過程（失效機理），為集成電路封裝糾正設(shè)計、工藝改進等預(yù)防類似封裝失效的再發(fā)生，提升
2023-06-21 08:53:40572 為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機理，封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進行。
2023-06-25 09:02:30315 
集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26721 集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。根據(jù)應(yīng)力條件的不同，可將失效機理劃分為電應(yīng)力失效機理、溫度-機械應(yīng)力失效
2023-06-26 14:15:31603 
本文通過對典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機理；并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930 PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機理
2023-08-04 09:50:01545 
電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機理為：外部水汽通過表面樹脂保護層浸入到電阻膜層，在內(nèi)部電場作用下，發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水，加速了電阻膜的水解反應(yīng)，致使電阻膜腐蝕失效。
2023-08-18 11:41:371102 
肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 保護器件過電應(yīng)力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45267 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同，如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07722 
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