長電科技副總經(jīng)理梁新夫在本次封測年會上表示：“5G毫米波頻段更高，需要將天線、射頻前端和收發(fā)器整合成單一系統(tǒng)級封裝。在天線部分，AiP技術與其他零件共同整合到單一封裝內(nèi)是關鍵。”同時，梁新夫還指出，電磁屏蔽也是5G封裝發(fā)展的一個重要方向。

華天科技先進封裝研究院院長于大全則指出，在高密度封裝領域，本土廠商與國際廠商還存在一定差距，這也是本土Fan Out封裝技術接下來需要面臨的挑戰(zhàn)。

除了5G帶給扇出型封裝的巨大市場，車載領域也是眾多封測廠商看好Fanout的一個原因。在本次會議上，日月光集團處長林少羽以“驅(qū)動智能汽車封裝解決方案”為主題，為與會者分享了目前汽車市場的趨勢，以及日月光應對車載封裝的全套解決方案。

TSV封裝到了爆發(fā)的年代

除了Fanout，TSV封裝也似乎到了將要爆發(fā)的年代。

所謂TSV封裝，也就是硅穿孔封裝技術，這是一項高密度封裝技術。通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，這項技術能實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。據(jù)Yole預測，2019年先進封裝份額將增至38%，SiP、WLP、TSV等技術引領先進封裝風潮，其中，增長最快的是扇出型封裝和2.5D3D TSV。

透過本次年會各大封測企業(yè)的演講我們發(fā)現(xiàn)，基于硅通孔的2.5D和3D封裝在諸如網(wǎng)絡、云服務芯片和人工智能及虛擬、增強現(xiàn)實的設計方面開始展露頭角。同時，隨著各種消費性電子產(chǎn)品向外觀更輕薄短小的演進，也帶給了2.5D3D TSV封裝技術更多的市場機會。于大全在會上強調(diào)，TSV已經(jīng)到了爆發(fā)的時代。

他認為，TSV深孔的填充技術是3D集成的關鍵技術，TSV填充效果直接關系到集成技術的可靠性和良率等問題，而高的可靠性和良率對于3D TSV 堆疊集成實用化是至關重要的，具有TSV的快閃存儲器晶圓疊層可能會得到快速發(fā)展，在本次年會中，華創(chuàng)與長電都對此進行了分析。

長電認為，BiCS技術3D NAND將促進封裝結構的延展，而華創(chuàng)就3D NAND外圍電路在深亞微米刻蝕設備上推出了自家方案，其硅刻蝕機已突破14nm技術。

晶圓探針卡的重要性

除3D NAND之外，存儲芯片另一大塊的增長在于DRAM方面。但是，伴隨著摩爾定律的演進，存儲芯片要在這場游戲中不被淘汰出局，廠商必須使生產(chǎn)成本降低的速度趕上價格下滑的速度。DRAM芯片廠商應當能夠每年將生產(chǎn)成本降低30%，才能維持適當?shù)睦麧櫬省Ｒ档虳RAM芯片成本，檢測技術也是降低芯片成本中不可缺少的一部分，而提及此，就不得忽視晶圓探針卡的重要性。

晶圓探針卡是一種半導體在制造晶圓階段不可或缺的重要測試分析接口，通過連接測試機和芯片，通過傳輸信號，對芯片參數(shù)進行測試。

在本屆大會中，全球半導體探針卡供應商排名第一名的Form Factor為我們分享了存儲器晶圓測試的一站式解決方案，由量產(chǎn)測試對于高并行度高產(chǎn)出的強烈需求，公司產(chǎn)品可對12吋晶圓進行一次接觸即可完成檢測，大大縮短了芯片的檢測成本。不僅如此，F(xiàn)orm Factor還對其測試機進行了有效的延伸和再利用——ATRE利用現(xiàn)有設備實現(xiàn)更高并行度規(guī)模量產(chǎn)。