與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果,充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。
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加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 日 - 新世代電力系統(tǒng)的未來(lái),氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今日宣布,利用該公司的一項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù),在氮化鎵功率晶體管上實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)達(dá)5微秒的短路耐受時(shí)間(SCWT)。這是同類(lèi)產(chǎn)品有記錄以來(lái)首次達(dá)到的成就,也是整個(gè)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑,證明 Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿(mǎn)足伺服電機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車(chē)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅 IGBT 或碳化硅(SiC)MOSFET 提供支持的堅(jiān)固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類(lèi)應(yīng)用領(lǐng)域未來(lái)五年的潛在市場(chǎng)規(guī)模(TAM)超過(guò) 30 億美元。
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該項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)得到了安川電機(jī)公司的支持,安川電機(jī)是Transphorm的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴,同時(shí)也是中低電壓驅(qū)動(dòng)器、伺服系統(tǒng)、機(jī)器控制器和工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者之一。與現(xiàn)有解決方案相比,氮化鎵可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和更小的尺寸,也讓氮化鎵成為伺服系統(tǒng)應(yīng)用中極具吸引力的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),為此,氮化鎵必須通過(guò)該領(lǐng)域要求的嚴(yán)格的穩(wěn)健性測(cè)試,其中最具挑戰(zhàn)性的是需要承受住短路沖擊,當(dāng)發(fā)生短路故障時(shí),器件必須在大電流和高電壓并存的極端條件下正常運(yùn)行。系統(tǒng)檢測(cè)到故障并停止操作有時(shí)可長(zhǎng)達(dá)幾微秒時(shí)間,在此期間,器件必須能承受故障帶來(lái)的沖擊。
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安川電機(jī)公司技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理 Motoshige Maeda 說(shuō):“如果功率半導(dǎo)體器件不能承受短路,那么系統(tǒng)本身很可能發(fā)生故障。業(yè)界曾經(jīng)有一種根深蒂固的看法,認(rèn)為在類(lèi)似上述重型電源應(yīng)用中,氮化鎵功率晶體管無(wú)法滿(mǎn)足短路耐受要求。安川電機(jī)與Transphorm 合作多年,我們認(rèn)為這種看法是毫無(wú)根據(jù)的。今天也證明我們的觀點(diǎn)是正確的。我們對(duì)Transphorm團(tuán)隊(duì)所取得的成果感到興奮,并期待能展示我們的產(chǎn)品設(shè)計(jì)是如何受益于這一全新的氮化鎵器件特性。”
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這項(xiàng)短路技術(shù)已在Transphorm新設(shè)計(jì)的一款15mΩ 650V 氮化鎵器件上進(jìn)行了驗(yàn)證。值得注意的是,在 50 kHz 的硬開(kāi)關(guān)條件下,器件的峰值效率達(dá)到 99.2%,最大功率為12kW , 不僅展示了器件的優(yōu)良性能和高可靠性,也符合高溫高電壓應(yīng)力規(guī)格要求。
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Transphorm 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Umesh Mishra 表示:“標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵器件只能承受持續(xù)時(shí)間為幾百分之一納秒的短路,這對(duì)于故障檢測(cè)和安全關(guān)斷操作來(lái)說(shuō)太短了。然而,憑借我們的cascode架構(gòu)和關(guān)鍵專(zhuān)利技術(shù),在不增設(shè)外部組件的情況下,Transphorm實(shí)現(xiàn)了將短路耐受時(shí)間延長(zhǎng)至5微秒,從而保持器件的低成本和高性能特點(diǎn)。Transphorm了解高功率、高性能逆變器系統(tǒng)的需求,Transphorm超強(qiáng)的創(chuàng)新能力有著悠久的歷史沿革,我們可以自豪地說(shuō),這些經(jīng)驗(yàn)幫助我們將氮化鎵技術(shù)提升到新的水平,這再次證明了Transphorm在高壓氮化鎵穩(wěn)健性和可靠性的全球領(lǐng)先地位,在氮化鎵于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他高功率系統(tǒng)應(yīng)用上改變現(xiàn)有局勢(shì)并扮演關(guān)鍵的角色。”
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對(duì)SCWT成果的完整介紹、演示分析以及更多的相關(guān)內(nèi)容,將在明年的大型電力電子會(huì)議上發(fā)表。
Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)(85705)
- 氮化鎵(114707)
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2021-04-13 06:01:46
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什么是氮化鎵功率芯片?
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2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵(GaN)?
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng),同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外,氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
帶寬更高,這一點(diǎn)很重要,載波聚合技術(shù)的使用以及準(zhǔn)備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比,氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
使用寬帶隙器件做電路設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)
易于驅(qū)動(dòng),不應(yīng)產(chǎn)生高電磁干擾等不利影響,而且要耐用,當(dāng)然還要成本低。柵極驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要驅(qū)動(dòng)碳化硅和氮化鎵器件的柵極可能是最重要的考慮因素,在大多數(shù)情況下,這比驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET更難。這兩種成熟
2023-02-05 15:14:52
雙AMR電機(jī)位置傳感器,適用于安全性至關(guān)重要的應(yīng)用
評(píng)估,并在組件和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中融入安全措施,以避免或管控系統(tǒng)故障,以及檢測(cè)或控制隨機(jī)出現(xiàn)的硬件故障或減輕其影響。這些執(zhí)行器系統(tǒng)通常使用無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)驅(qū)動(dòng),由于這些系統(tǒng)對(duì)安全性至關(guān)重要,設(shè)計(jì)人員在
2020-01-13 10:03:53
增強(qiáng)型GaN功率晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程風(fēng)險(xiǎn)的解決辦法
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固,因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用,集成正確的門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題,給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案,解決設(shè)計(jì)過(guò)程的風(fēng)險(xiǎn)。
2020-10-28 06:59:27
天線系統(tǒng)在NFC設(shè)備中至關(guān)重要
天線系統(tǒng)在NFC設(shè)備中至關(guān)重要。一般來(lái)講,對(duì)工作在13.56MHz的NFC系統(tǒng)進(jìn)行成功設(shè)計(jì)不僅需要對(duì)發(fā)射和接收天線進(jìn)行電磁仿真,還需要將分立組件(包括將射頻功率轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)的整流橋)包含進(jìn)設(shè)計(jì)中
2019-07-17 07:33:36
如何為氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管提供更高的短路能力?
)。圖1. 三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案中使用的功率器件,顯示了兩種短路情況:(a)高端和低端之間的擊穿和(b)感性負(fù)載上的短路。為了支持高壓氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管的持續(xù)采用,確保高SCWT非常重要。但是,鑒于其固有屬性
2023-02-22 16:27:02
如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通?
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。第一步:元器件選型對(duì)于工程師來(lái)說(shuō),GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢(shì),但在設(shè)計(jì)上也帶來(lái)一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源?
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿(mǎn)意。但通過(guò)共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
實(shí)現(xiàn)下一代機(jī)器人至關(guān)重要的關(guān)鍵傳感器技術(shù)介紹
對(duì)實(shí)現(xiàn)下一代機(jī)器人至關(guān)重要的幾項(xiàng)關(guān)鍵傳感器技術(shù)包括磁性位置傳感器、存在傳感器、手勢(shì)傳感器、力矩傳感器、環(huán)境傳感器和電源管理傳感器。
2020-12-07 07:04:36
實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵器件
機(jī)器人和醫(yī)療機(jī)器人、工業(yè)無(wú)人機(jī)和汽車(chē)電機(jī)等應(yīng)用中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),至關(guān)重要。
基于硅器件的逆變器的限制
逆變器的功耗由傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗組成。傳導(dǎo)損耗與開(kāi)關(guān)的RDS(on)成正比。降低溝道電阻有助于降低
2023-06-25 13:58:54
將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路
大幅降低電流在保護(hù)板上的損耗,隨著手機(jī)充電功率達(dá)到200W,電池端的電流達(dá)到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯,甚至需要輔助導(dǎo)熱措施來(lái)為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后,可以無(wú)需導(dǎo)熱材料,降低快充過(guò)程中
2023-02-21 16:13:41
嵌入式Linux應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)有哪些流程
了解硬件功能設(shè)計(jì)熟悉驅(qū)動(dòng)接口細(xì)化、梳理需求確立概要設(shè)計(jì)規(guī)劃開(kāi)發(fā)里程碑確認(rèn)開(kāi)發(fā)環(huán)境、運(yùn)行環(huán)境分配工作任務(wù)協(xié)同開(kāi)發(fā)測(cè)試發(fā)布里程碑測(cè)試發(fā)現(xiàn)硬件、驅(qū)動(dòng)問(wèn)題?是。聯(lián)合硬件、驅(qū)動(dòng)排查 否。進(jìn)入下一步 是否最終
2021-11-04 08:43:56
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的短路保護(hù)如何實(shí)現(xiàn)
可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高,功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過(guò)流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。
2019-06-27 09:06:59
想要實(shí)現(xiàn)高效氮化鎵設(shè)計(jì)有哪些步驟?
和功率因數(shù)校正 (PFC) 配置。 簡(jiǎn)單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過(guò)渡能力。對(duì)于單個(gè)氮化鎵器件,隔離式負(fù) V一般事務(wù)(關(guān)閉)EZDrive?電路是一種低成本、簡(jiǎn)單的方法,可以使用12V驅(qū)動(dòng)
2023-02-21 16:30:09
我們一起來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行
;并不能提振低用戶(hù)對(duì)于投入回報(bào)的信心。雖然通過(guò)“qual”測(cè)試對(duì)于器件的生產(chǎn)制造、質(zhì)量和可靠性具有里程碑式的意義,但還不清楚它在器件使用壽命、故障率和應(yīng)用相關(guān)性方面
2018-08-31 06:50:34
支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
新一代小區(qū)網(wǎng)關(guān):靈活性與高性能至關(guān)重要
新一代小區(qū)網(wǎng)關(guān):靈活性與高性能至關(guān)重要各種各樣的數(shù)字設(shè)備進(jìn)入到越來(lái)越多的家庭之中,如各種多媒體應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、語(yǔ)音與數(shù)據(jù)通信平臺(tái),以及娛樂(lè)系統(tǒng)等。當(dāng)今消費(fèi)者通常可在家中通過(guò)因特網(wǎng)寬帶連接獲得日益豐富
2009-10-05 09:18:53
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念
功率密度計(jì)算解決方案實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
誤解2:氮化鎵技術(shù)不可靠
氮化鎵器件自2010年初開(kāi)始量產(chǎn),而且在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試和大批量客戶(hù)應(yīng)用中,氮化鎵器件展現(xiàn)出具備極高的穩(wěn)健性。EPC器件已經(jīng)通過(guò)數(shù)千億個(gè)
2023-06-25 14:17:47
現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)
的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過(guò)流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問(wèn)題,同時(shí)提供三相電機(jī)控制應(yīng)用中隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)驗(yàn)性示例。
2021-01-25 06:43:37
直線模組新技術(shù)里程碑
桿皮帶傳動(dòng)方式的直線模組,從技術(shù)的領(lǐng)先性在直線模組行業(yè)提上了一個(gè)新的里程碑。JFM超長(zhǎng)行程直線模組在TFT、LED、OLED、AMOLED超大彩色液晶屏、顯示屏、背光屏的搬運(yùn)包裝行業(yè)應(yīng)用畫(huà)上了完美
2017-08-03 10:42:18
硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
,2013年1月達(dá)到140lm為/W。 硅芯片和藍(lán)寶石的區(qū)別,藍(lán)寶石是透明襯底,硅襯垂直結(jié)構(gòu),白光出光均勻,容易配二次光學(xué)。硅襯底氮化鎵基LED直接白光芯片,熒光粉直涂白光芯片分布集中。 下一步怎么做呢
2014-01-24 16:08:55
示波器衡量指標(biāo)中至關(guān)重要但常被忽略的兩個(gè)概念是什么?
示波器衡量指標(biāo)中至關(guān)重要但常被忽略的兩個(gè)概念是什么?
2021-05-12 06:49:05
論壇活動(dòng)] 【有獎(jiǎng)活動(dòng)】為開(kāi)發(fā)板建立專(zhuān)屬里程碑——給開(kāi)發(fā)板控一個(gè)不一樣的玩法
為電子發(fā)燒友而生——為開(kāi)發(fā)板建立專(zhuān)屬里程碑Bug對(duì)于程序員來(lái)說(shuō)意味著無(wú)限的挑戰(zhàn);萬(wàn)用表對(duì)于測(cè)試工程師來(lái)說(shuō)意味著不可缺少的親人;而開(kāi)發(fā)板對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)意味著陪伴,意味著另外一個(gè)“她”是否還曾記得你
2015-12-12 12:13:56
請(qǐng)問(wèn)candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎?
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
誰(shuí)發(fā)明了氮化鎵功率芯片?
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化鎵器件
”的器件。它有多好呢?擊穿電壓是功率晶體管的關(guān)鍵指標(biāo)之一,達(dá)到這個(gè)臨界點(diǎn),半導(dǎo)體阻止電流流動(dòng)的能力就會(huì)崩潰。東脅研究的開(kāi)創(chuàng)性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下,氮化鎵花了近20年的時(shí)間才達(dá)到這一
2023-02-27 15:46:36
針對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用如何選擇寬帶隙器件?
。寬帶隙器件的柵極驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要柵極驅(qū)動(dòng)對(duì)于硅MOSFET和氮化鎵HEMT單元都非常關(guān)鍵,兩者的閾值都很低。氮化鎵器件需要小驅(qū)動(dòng)電流實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài),所需最高電壓也只有7 V左右。碳化硅需要18 V左右才能
2023-02-05 15:16:14
高壓氮化鎵的未來(lái)分析
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來(lái)是怎么樣的
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
恩智浦宣布其PC電源解決方案率先達(dá)到80 PLUS Gold
恩智浦宣布其PC電源解決方案率先達(dá)到80 PLUS Gold標(biāo)準(zhǔn)
GreenChip PC芯片幫助業(yè)界制造更為綠色的PC產(chǎn)品
中國(guó)上海,2008年7月25日
2008-08-02 11:13:10425
后來(lái)居上 亞馬遜將率先達(dá)到1萬(wàn)億美元市值
據(jù)路透社北京時(shí)間3月9日?qǐng)?bào)道,亞馬遜可能超越全球市值最高的公司蘋(píng)果,市值率先達(dá)到1萬(wàn)億美元。
2018-07-29 10:25:001162
3GPP規(guī)范獲批 5G發(fā)展的重要里程碑
3GPP于去年12月宣布首批5G新無(wú)線電(NR)規(guī)范獲批,是5G發(fā)展里程的重要里程碑。
2018-08-08 08:38:143629
特斯拉Model 3產(chǎn)量跨過(guò)10萬(wàn)輛的關(guān)口,達(dá)到了一個(gè)重要的里程碑
根據(jù)Model 3銷(xiāo)量追蹤模型最新估計(jì),特斯拉達(dá)到了一個(gè)重要的里程碑——Model 3產(chǎn)量跨過(guò)了10萬(wàn)輛的關(guān)口。這對(duì)于特斯拉和馬斯克來(lái)說(shuō),以及全球電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)來(lái)說(shuō),都是一個(gè)值得紀(jì)念的里程碑。
2018-10-15 15:37:151348
重要里程碑:沃爾沃汽車(chē)亞太區(qū)電機(jī)實(shí)驗(yàn)室揭幕
電氣化戰(zhàn)略的重要舉措。 推進(jìn)電氣化戰(zhàn)略的重要里程碑 亞太區(qū)電機(jī)實(shí)驗(yàn)室的投入使用,是沃爾沃在中國(guó)全面推進(jìn)電氣化戰(zhàn)略的重要里程碑,將進(jìn)一步加快沃爾沃汽車(chē)在電氣化領(lǐng)域的發(fā)展,以更安全的電氣化產(chǎn)品和更先進(jìn)的技術(shù),為中國(guó)消費(fèi)
2020-11-06 10:20:501590
為什么電流和磁傳感器對(duì)真無(wú)線耳機(jī)的設(shè)計(jì)至關(guān)重要?
為什么電流和磁傳感器對(duì)真無(wú)線耳機(jī)的設(shè)計(jì)至關(guān)重要?
2022-10-31 08:23:430
基于硬件的信任對(duì)于保護(hù)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要
基于硬件的信任對(duì)于保護(hù)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要
2023-01-03 09:45:07411
Transphorm的GaN首次達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的短路穩(wěn)健性里程碑
Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導(dǎo)體器件無(wú)法承受短路事件,系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認(rèn)為GaN功率晶體管無(wú)法滿(mǎn)足像我們這樣的重載電力應(yīng)用所需的短路要求。
2023-08-14 11:47:32345
氮化鎵mos管驅(qū)動(dòng)方法
氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì),合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02413
瑞薩電子收購(gòu)氮化鎵廠商Transphorm
瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布,雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm,這一價(jià)格較Transphorm在1月10日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)約35%,總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234
評(píng)論
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