隨著摩爾定律走向極限，半導(dǎo)體工藝的推進(jìn)愈發(fā)困難，不過現(xiàn)在臺積電和三星的10nm還是量產(chǎn)了。昨天首款10nm工藝芯片高通驍龍835也正式發(fā)布。而曾經(jīng)作為半導(dǎo)體工藝技術(shù)龍頭的英特爾卻動作遲緩，被稱為“牙膏廠”，長時(shí)間待在14nm上不肯動彈。那么，真的是英特爾在技術(shù)上黔驢技窮了嗎？這是要被三星、臺積電反超的節(jié)奏？顯然不是。

　　工藝上仍有很大差異

　　其實(shí)三星、臺積電的工藝與英特爾的制程工藝還是有著比較大的差距。

　　三星、臺積電的工藝數(shù)字都經(jīng)過不同程度的“美化”。這些晶圓代工業(yè)者都想辦法把數(shù)字弄得愈小愈好，這實(shí)際上是商業(yè)策略。

　　這也讓業(yè)界非常困擾。據(jù)說即使是高通內(nèi)部的會議簡報(bào)，都不能直接套用晶圓代工廠公告的技術(shù)數(shù)字，而必須經(jīng)過換算。要問清楚，這個(gè)硅晶圓上到底可以放多少個(gè)邏輯電路？

　　一位資深業(yè)者透露，聯(lián)發(fā)科內(nèi)部也有一套換算方式：臺積電的16nm等于英特爾的20nm、10nm等于英特爾的12nm。接下來未定，可能臺積電的7nm，比英特爾的10nm要好一點(diǎn)。

　　也就是說，三星、臺積電現(xiàn)在量產(chǎn)的10nm也只是與英特爾的14nm工藝相當(dāng)。而一旦英特爾的10nm工藝推出，將會超越三星、臺積電的10nm。

　　對此，英特爾在最新一期的半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威刊物《IEEE Spectrum》上撰文，暢談了自己的10nm工藝，尤其是在技術(shù)、成本方面的巨大優(yōu)勢。

　　Intel高級院士Mark Bohr表示，Intel 10nm工藝的晶體管密度不但會超過現(xiàn)在的Intel 14nm，還會優(yōu)于其他公司的10nm，也就是集成度比他們更高，柵極間距將從14nm工藝的70nm縮小到54nm，邏輯單元?jiǎng)t縮小46％，這比以往任何一代工藝進(jìn)化都更激進(jìn)。

　　英特爾10nmCannon Lake處理器今年年內(nèi)出貨

　　今天，英特爾在CES2017展前發(fā)布會上首次公開演示了一臺搭載10nm Cannon Lake處理器的二合一筆記本，柯再奇用它在現(xiàn)場播放了一段由Jim Parsons和Michael Phelps主演的公司廣告片。

　　科再奇發(fā)布會上表示：“技術(shù)正以前所未有的速度向前發(fā)展，而摩爾定律是加速的核心。”可見，英特爾仍將繼續(xù)努力推動摩爾定律。

　　英特爾強(qiáng)調(diào)，10nm Cannon Lake定于今年年內(nèi)出貨。這下，臺積電和三星恐怕要著急了。

　　雖說臺積電和三星的10nm已經(jīng)量產(chǎn)，但是真正的產(chǎn)品出貨恐怕要等到今年二季度了。而只需要在等最多兩個(gè)季度，英特爾的10nm也可以出貨了。而且，英特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星的10nm工藝。此外，值得注意的是，目前英特爾已經(jīng)與ARM達(dá)成合作，英特爾將可以用自己的先進(jìn)制程工藝生產(chǎn)ARM芯片。一旦英特爾10nm工藝開放代工，將會對臺積電和三星造成沉重打擊。