英特爾量產的最先進技術為Intel 7制程，比前一代Intel 10的SuperFin制程的每瓦效能提升約10%-15%。

近日，英特爾在馬來西亞封測廠舉行了一場參訪團活動，這是該廠區近51年來首度開放媒體參觀檳城與居林廠區，過程中也讓今年下半年稍晚才要正式發表、首款采用Intel 4制程的處理器，在生產線的實際運作情形得以首次曝光。

這意味該芯片已進入最后準備階段，也顯示英特爾要在4年內推進5個制程節點的計劃又往前邁出一大步。

英特爾在全球共有10個生產據點，這次邀請全球上百名媒體與分析師參訪在檳城的組裝測試廠、故障分析實驗室、驗證實驗室，以及位于居林的晶圓處理加工廠，還有測試設備制造廠。

在檳城廠區的組裝測試廠中，外界得以親眼直擊英特爾下半年稍晚才要登場的Meteor Lake處理器，采用4個小芯片合并而成，已經在生產線上進行最后的組裝測試。

目前，英特爾量產的最先進技術為Intel 7制程，比前一代Intel 10的SuperFin制程的每瓦效能提升約10%-15%，而Meteor Lake采用Intel 4制程生產，導入了極紫外光（EUV）光刻技術，此制程標榜可讓產品的每瓦效能又提升約20%。后續該公司還要持續推進到Intel 3制程，預計今年下半年可準備量產，Intel 20A與18A制程則規劃分別于明年上、下半年進入準備量產階段。 ?

建新廠沖先進封裝

英特爾正在馬來西亞檳城興新建封裝廠，強化2.5D/3D封裝布局版圖，到2025年，旗下最先進的3D Foveros封裝產能將開放給客戶使用。

外界預期，英特爾結合先進制程與先進封裝能量后，“一條龍生產”實力大增，在晶圓代工領域更具競爭力，與臺積電、三星等勁敵再次杠上。

同時，英特爾自家先進封裝能力更壯大，并喊話開放讓客戶只選用其先進封裝方案后，預料也會掀起封測市場騷動，須密切關注對日月光、安靠等OSAT封測廠的沖擊。

臺積電、三星都積極布建先進封裝技術。臺積電方面，主打3D Fabric先進封裝，包括InFo、CoWoS與SoIC方案; 三星也發展I-cube、X-Cube等封裝技術。

英特爾不落人后，其先進封裝包括2.5D EMIB與3D Foveros方案。半導體三雄的競爭態勢從晶圓代工領域，一路延伸至先進封裝。

英特爾從2017年開始導入EMIB封裝，第一代Foveros封裝則于2019年推出，當時凸點間距為50微米。預計今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake處理器，則將利用第二代Foveros封裝技術，凸點間距進一步縮小為36微米。

英特爾并未透露現階段其3D Foveros封裝總產能，僅強調除了在美國奧勒岡州與新墨西哥州之外，在未來的檳城新廠也有相關產能建置，這三個據點的3D封裝產能合計將于2025年時增為目前的4倍。

英特爾副總裁Robin Martin 在22日受訪時強調，未來檳城新廠將會成為英特爾最大的3D Foveros先進封裝據點。

兩年前，英特爾宣布投資35億美元擴充新墨西哥州的先進封裝產能，至今仍進行中。至于檳城新廠，該公司表示，興建進度符合計劃，外界預估，該新廠可能于2024年稍晚或2025年完工運作。

值得注意的是，除了晶圓代工與一條龍延伸到封裝服務，英特爾表示，開放讓客戶也可以只選用其先進封裝方案，目的是希望讓客戶可以更能擁有生產彈性。

英特爾在CEO基辛格帶領下，推行IDM 2.0策略，除了增加自家晶圓廠產能，擴大晶圓代工業務，同時也希望彈性利用第三方的晶圓代工產能。

隨著先進制程演進，小芯片（Chiplet）與異質整合的發展趨勢明確，外界認為，英特爾的2.5D/3D先進封裝布局除了強化自身處理器等產品實力之外，也是其未來對客戶爭取更多晶圓代工服務生意的一大賣點。

目前，幾大晶圓廠積極布局先進封裝，由于芯片堆疊層數大增，帶動ABF載板需求倍增。

業界分析，目前各大廠喊出的3D先進封裝實際仍需要2.5D封裝制程的載板乘載，而且良率仍低，若有出?？谇掖髲S積極導入多元應用，未來載板需求增長可期。

遭到市場點名的廠商一貫不評論單一客戶信息。產業界分別提到，先前3D封裝概念首度推出時，不少人都認為未來不需要載板，因為可由晶圓廠直接3D堆疊做完全套制程，但實際在終端應用上僅少數裝置產品可采用，這是因為3D封裝成本較高，需要量大且真正有產品的出?？诓拍芙档统杀?。

業界分析，從目前ABF載板最大需求應用在高速運算來看，尚未全數使用3D封裝，僅在部分芯片內存做3D封裝。產業界提到，當前3D封裝其實仍是2.5D技術加上部分3D，中端尚未能全面實現僅3D封裝而不需2.5D封裝，而2.5D相關先進封裝正是載板廠商機所在。

編輯：黃飛

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