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日本廣島大學(University?of?Hiroshima)和日本半導體技術理論研究中心(STARC)共同披露了一種適用于CMOS和模擬器件電路的晶體管設計新方法，希望藉此代替繁雜的BSIM4方法。?
廣島大學的量子和功能電子學教授Michiko?Mirua-Mattausch介紹說，雙方合作推出的MOS晶體管模型被命名為MiSIM，它采用開放源HiSIM代碼，極大地簡化了電路模擬過程，使得100nm及其以下尺寸的電路設計時間縮短至一個下午。?
她進一步指出，“對于80nm門電路的設計，我們可將參數數量減少至71個(BSIM4需要400個)，可將設計時間縮短至半天(采用現有的方法需要四天)，并且我們的結果更準確。”?
這種MiSIM/HiSIM工具是利用HSpice/CMI開發的，已全面通過了0.13μm設計規范測試，并且被證明在用于0.11μm及更小尺度設計時準確度更高、速度更快。?
CMOS和模擬器件電路的晶體管設計新方法
- 模擬器(42662)
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